0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

第三代SiC肖特基勢(shì)壘二極管:SCS3系列

kus1_iawbs2016 ? 來源:未知 ? 作者:胡薇 ? 2018-04-09 15:42 ? 次閱讀

安全、可靠、又高效,這不正是:

第三代SiC肖特基勢(shì)壘二極管:SCS3系列

提高追求高可靠性的設(shè)備的效率與安全余量

關(guān)于SCS3系列,我們對(duì)專家進(jìn)行了一系列采訪,娓娓道來這位“完美男友”都能給大家?guī)碓鯓拥陌踩锌煽啃?。從它的前世今生,到它的性格特征以及?shí)際應(yīng)用,請(qǐng)見如下采訪:

-進(jìn)入主題之前請(qǐng)您介紹了很多基礎(chǔ)內(nèi)容,下面請(qǐng)您介紹一下第三代SiC-SBD。SCS3系列被稱為“第三代”,首先請(qǐng)您講一講各“代”的歷史。

前面讓我介紹基礎(chǔ)內(nèi)容,這是非常必要的。要想更好地了解第三代產(chǎn)品的優(yōu)勢(shì)與特點(diǎn),需要先了解SiC-SBD的基本特性等。

第一代是從2010年4月開始量產(chǎn)的SCS1系列。這在當(dāng)時(shí)是日本國內(nèi)首家實(shí)現(xiàn)SiC-SBD量產(chǎn)。第二代是2012年6月推出的SCS2系列,現(xiàn)在很多客戶采用的是SCS2系列。包括不同的封裝和電流規(guī)格等在內(nèi),已經(jīng)實(shí)現(xiàn)近50個(gè)機(jī)型的量產(chǎn)供應(yīng)。第三代是2016年4月推出的SCS3系列。SCS后面的數(shù)字表示各代。

-那么接下來請(qǐng)您介紹一下第三代SiC-SBD的特點(diǎn)。

第三代SiC-SBD的亮點(diǎn)在于,高溫時(shí)的正向電壓VF更低、抗浪涌電流性能IFSM更高、反向電流(漏電流)IR更低。

請(qǐng)看圖,第二代SiC-SBD通過制造工藝改進(jìn),不僅保持與第一代同等的漏電流IR和恢復(fù)特性,還成功將VF降低至約0.15V,達(dá)到當(dāng)時(shí)業(yè)界最小的VF1.35。VF降低有助于降低設(shè)備的傳導(dǎo)損耗。

第三代SiC-SBD為提高抗浪涌電流性能并改善漏電流IR,采用了JBS(Junction Barrier Schottky)結(jié)構(gòu)。JBS結(jié)構(gòu)是基本上有效改善抗浪涌電流性能和漏電流IR的結(jié)構(gòu),而且第二代SiC-SBD實(shí)現(xiàn)的低VF特性還成功得以進(jìn)一步改善。Tj=25℃時(shí)的typ值為1.35V,與第二代同等,但Tj=150℃時(shí)為1.44V,比第二代SiC-SBD低0.11V。這意味著高溫環(huán)境下的導(dǎo)通損耗降低,在高溫環(huán)境下的工作變得更有利。

-抗浪涌電流性能和漏電流看來得到了相當(dāng)大的改善。

抗浪涌電流性能如表格中的額定值所示,從第二代SiC-SBD的38A提高到了1倍以上,高達(dá)82A。通過采用JBS結(jié)構(gòu),并開發(fā)最大限度地發(fā)揮抗浪涌性能的工藝與產(chǎn)品結(jié)構(gòu),實(shí)現(xiàn)了抗浪涌電流性能的大幅改善。

漏電流IR也同樣得到大幅改善。普通肖特基勢(shì)壘二極管的特性存在一種矛盾關(guān)系,即當(dāng)試圖降低正向電壓時(shí),漏電流就會(huì)增加。第三代SiC-SBD不僅繼承了正向電壓低的特點(diǎn),還通過采用JBS結(jié)構(gòu)而大幅降低了漏電流。與第二代SiC-SBD相比,在額定電壓650V、Tj=150℃時(shí)漏電流降低至約1/15。

-這些性能提升和特性改善的目的是什么?

與Si二極管相比,SiC-SBD有望降低應(yīng)用中的損耗。同時(shí),功率元器件是處理大電壓、大電流的產(chǎn)品,還存在“希望使用更放心”這個(gè)背景??估擞侩娏餍阅艿母纳凭褪菫榱藵M足這種需求。

-適合什么樣的應(yīng)用呢?

如果是高效率應(yīng)用,無需特別限定,最適用的用途是電源裝置,尤其是PFC。例如,服務(wù)器和高性能PC等不僅需要提高效率,還要求具備更高的抗浪涌電流性能。SCS3系列改善了第二代的正向電壓特性,可進(jìn)一步提高效率。而且,抗浪涌電流性能提升達(dá)2倍以上,對(duì)于意外發(fā)生的異常問題等具有更高的安全余量。

-請(qǐng)介紹一下SCS3系列的產(chǎn)品陣容。

當(dāng)初推出該系列產(chǎn)品時(shí),產(chǎn)品陣容為6A~10A、TO-220ACP封裝共3種機(jī)型,如今已發(fā)展為5種機(jī)型量產(chǎn)中,加上不同封裝類型擴(kuò)展,已擴(kuò)充到共15種機(jī)型。除通孔型的TO-220ACP外,還計(jì)劃增加TO-220FM、面貼裝型的TO-263AB,可根據(jù)安裝方法和空間來選擇封裝。

另外,雖然已經(jīng)推出第三代產(chǎn)品,但第二代產(chǎn)品也在繼續(xù)擴(kuò)充機(jī)型,客戶可根據(jù)使用條件和要求規(guī)格來自由選擇。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 二極管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    147

    文章

    9486

    瀏覽量

    165177
  • SiC
    SiC
    +關(guān)注

    關(guān)注

    29

    文章

    2691

    瀏覽量

    62286
  • 漏電流
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    256

    瀏覽量

    16961

原文標(biāo)題:技術(shù)加油站|第三代SiC-SBD:SCS3系列

文章出處:【微信號(hào):iawbs2016,微信公眾號(hào):寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    肖特基二極管的結(jié)構(gòu)和封裝形式

    肖特基二極管,又稱熱載流子二極管肖特基勢(shì)壘二極管(Schottky Barrier Diode,縮寫為SBD),是一種基于金屬-半導(dǎo)體結(jié)(M-S結(jié))的特殊
    的頭像 發(fā)表于 09-26 17:43 ?494次閱讀
    <b class='flag-5'>肖特基</b><b class='flag-5'>二極管</b>的結(jié)構(gòu)和封裝形式

    SiC二極管的工作原理和結(jié)構(gòu)

    SiC二極管,即碳化硅二極管,作為第三代半導(dǎo)體材料的重要應(yīng)用之一,其工作原理和結(jié)構(gòu)在電力電子領(lǐng)域具有獨(dú)特的重要性。以下將詳細(xì)闡述SiC
    的頭像 發(fā)表于 09-10 15:09 ?437次閱讀

    SiC二極管概述和技術(shù)參數(shù)

    SiC二極管,全稱SiC碳化硅勢(shì)二極管,也被稱為SiC
    的頭像 發(fā)表于 09-10 14:55 ?544次閱讀

    支持電子設(shè)備進(jìn)一步降低功耗的第5平面型肖特基勢(shì)壘二極管

    ROHM第5平面肖特基勢(shì)壘二極管的效率比上一產(chǎn)品又提高了25%,有助于進(jìn)一步提高開關(guān)電源的效率。
    的頭像 發(fā)表于 08-09 15:21 ?8602次閱讀
    支持電子設(shè)備進(jìn)一步降低功耗的第5<b class='flag-5'>代</b>平面型<b class='flag-5'>肖特基勢(shì)壘二極管</b>

    肖特基二極管與其他二極管的區(qū)別

    肖特基二極管(Schottky Diode),也被稱為肖特基勢(shì)壘二極管,是一種具有特殊結(jié)構(gòu)和優(yōu)異性能的半導(dǎo)體器件。它與其他類型的二極管(如普通二極管
    的頭像 發(fā)表于 07-24 15:05 ?3777次閱讀

    Vishay威世新型第三代1200 V SiC 肖特基二極管,提升開關(guān)電源設(shè)計(jì)能效和可靠性

    新型碳化硅 (SiC) 肖特基二極管 器件采用?MPS?結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),額定電流?5 A ~ 40 A 低正向壓降、低電容電荷和低反向漏電流低 Vishay?推出?16?款新型第三代?120
    的頭像 發(fā)表于 07-05 09:36 ?534次閱讀
    Vishay威世新型<b class='flag-5'>第三代</b>1200 V <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>肖特基</b><b class='flag-5'>二極管</b>,提升開關(guān)電源設(shè)計(jì)能效和可靠性

    肖特基勢(shì)壘二極管的特征有什么

    肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)是一種基于金屬-半導(dǎo)體接觸的二極管,而非傳統(tǒng)的PN結(jié)。這種特殊的結(jié)構(gòu)賦予了SBD獨(dú)特的電氣特性,使其在高頻和高效率的電子電路中具有重要的應(yīng)用。 Si-SBD(硅
    的頭像 發(fā)表于 02-23 11:30 ?796次閱讀
    <b class='flag-5'>肖特基勢(shì)壘二極管</b>的特征有什么

    20 V,1 A低VF肖特基勢(shì)壘二極管PMEG2010EA數(shù)據(jù)手冊(cè)

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《20 V,1 A低VF肖特基勢(shì)壘二極管PMEG2010EA數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 02-19 14:15 ?0次下載
    20 V,1 A低VF<b class='flag-5'>肖特基勢(shì)壘二極管</b>PMEG2010EA數(shù)據(jù)手冊(cè)

    肖特基勢(shì)壘二極管RB751S40數(shù)據(jù)手冊(cè)

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《肖特基勢(shì)壘二極管RB751S40數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 02-19 13:45 ?0次下載
    <b class='flag-5'>肖特基勢(shì)壘二極管</b>RB751S40數(shù)據(jù)手冊(cè)

    具有低導(dǎo)通電阻的GaN-on-SiC肖特基勢(shì)壘二極管設(shè)計(jì)

    北京工業(yè)大學(xué)和中國北京大學(xué)報(bào)道了碳化硅襯底(GaN/SiC)上由氮化鎵制成的全垂直結(jié)構(gòu)肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)的性能
    的頭像 發(fā)表于 02-19 11:23 ?1048次閱讀
    具有低導(dǎo)通電阻的GaN-on-<b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>肖特基勢(shì)壘二極管</b>設(shè)計(jì)

    ROHM推出新一100V耐壓肖特基勢(shì)壘二極管YQ系列

    在全球范圍內(nèi)享有盛譽(yù)的半導(dǎo)體制造商ROHM近日發(fā)布了一款超高速、高耐壓的肖特基勢(shì)壘二極管YQ系列。該系列產(chǎn)品專為車載設(shè)備、工業(yè)設(shè)備和消費(fèi)電子設(shè)備中的電源電路和保護(hù)電路設(shè)計(jì)。
    的頭像 發(fā)表于 01-24 17:14 ?816次閱讀

    【科普小貼士】什么是肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)?

    【科普小貼士】什么是肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)?
    的頭像 發(fā)表于 12-13 14:43 ?1398次閱讀
    【科普小貼士】什么是<b class='flag-5'>肖特基勢(shì)壘二極管</b>(SBD)?

    【科普小貼士】肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)的反向恢復(fù)特性

    【科普小貼士】肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)的反向恢復(fù)特性
    的頭像 發(fā)表于 12-13 14:42 ?742次閱讀
    【科普小貼士】<b class='flag-5'>肖特基勢(shì)壘二極管</b>(SBD)的反向恢復(fù)特性

    【科普小貼士】肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)的金屬差異

    【科普小貼士】肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)的金屬差異
    的頭像 發(fā)表于 12-13 14:40 ?583次閱讀
    【科普小貼士】<b class='flag-5'>肖特基勢(shì)壘二極管</b>(SBD)的金屬差異

    肖特基二極管基本原理

    肖特基二極管 肖特基二極管(Schottky BarrierDiode SBD),也稱肖特基勢(shì)壘二極管,與PN結(jié)
    的頭像 發(fā)表于 11-20 17:20 ?1695次閱讀
    <b class='flag-5'>肖特基</b><b class='flag-5'>二極管</b>基本原理