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設(shè)計實(shí)用技巧:有效降低傳導(dǎo)輻射干擾的

設(shè)計idea ? 來源:互聯(lián)網(wǎng) ? 作者:佚名 ? 2018-04-16 09:10 ? 次閱讀

作者:TI 工程師 Vental Mao

一直以來,設(shè)計中的電磁干擾(EMI)問題十分令人頭疼,尤其是在汽車領(lǐng)域。為了盡可能的減小電磁干擾,設(shè)計人員通常會在設(shè)計原理圖和繪制布局時,通過降低高di / dt的環(huán)路面積以及開關(guān)轉(zhuǎn)換速率來減小噪聲源。

但是,有時無論布局和原理圖的設(shè)計多么謹(jǐn)慎,仍然無法將傳導(dǎo)EMI降低到所需的水平。這是因?yàn)樵肼暡粌H取決于電路寄生參數(shù),還與電流強(qiáng)度有關(guān)。另外,開關(guān)打開和關(guān)閉的動作會產(chǎn)生不連續(xù)的電流,這些不連續(xù)電流會在輸入電容上產(chǎn)生電壓紋波,從而增加EMI。

因此,有必要采用一些其他方法來提高傳導(dǎo)EMI的性能。本文主要討論的是引入輸入濾波器來濾除噪聲,或增加屏蔽罩來鎖住噪聲。

圖1 EMI濾波器示意簡圖

圖1是一個簡化的EMI濾波器,包括共模(CM)濾波器和差模(DM)濾波器。 通常,DM濾波器主要用于濾除小于30MHz的噪聲(DM噪聲),CM濾波器主要用于濾除30MHz至100MHz的噪聲(CM噪聲)。 但其實(shí)這兩個濾波器對于整個頻段的EMI噪聲都有一定的抑制作用。

圖2顯示了一個不帶濾波器的輸入引線噪聲,包括正向噪聲和負(fù)向噪聲,并標(biāo)注了這些噪聲的峰值水平和平均水平。 其中,該被測系統(tǒng)主要采用芯片LMR14050SSQDDARQ1輸出5V/5A,并給后續(xù)芯片TPS65263QRHBRQ1供電,同時輸出1.5V/3A,3.3V/2A以及1.8V/2A。 這兩個芯片都工作在2.2MHz的開關(guān)頻率下。 另外,圖中顯示的傳導(dǎo)EMI標(biāo)準(zhǔn)是CISPR25 Class 5(C5)。有關(guān)該系統(tǒng)的更多信息,請查閱應(yīng)用筆記SNVA810。

圖2 C5標(biāo)準(zhǔn)下的噪聲特性(無濾波器)

圖3顯示了增加一個DM濾波器后的EMI結(jié)果。 從圖中可以看出,DM濾波器衰減了中頻段DM噪聲(2MHz至30MHz)近35dBμV/ m。此外高頻段噪聲(30MHz至100MHz)也有所降低,但仍超過限制水平。這主要是因?yàn)镈M濾波器對于高頻段CM噪聲的濾除能力有限。

圖3 C5標(biāo)準(zhǔn)下的噪聲特性(帶DM濾波器)

圖4顯示了增加CM和DM濾波器后的噪聲特性。 與圖3相比,CM濾波器的增加降低了近20dBμV/ m的CM噪聲。 并且EMI性能也通過了CISPR25 C5標(biāo)準(zhǔn)。

圖4 C5標(biāo)準(zhǔn)下的噪聲特性(帶CM和DM濾波器)

圖5顯示了不同布局下帶CM和DM濾波器的噪聲特性,其中濾波器與圖4相同。但與圖4相比,整個頻段的噪聲增加了大約10dBμV/ m,高頻噪聲甚至還超出CISPR25 C5標(biāo)準(zhǔn)的平均值。

圖5 C5標(biāo)準(zhǔn)下的噪聲特性(帶CM和DM濾波器,不同布局)

圖4和圖5之間噪聲結(jié)果的不同主要是由于PCB布線差異所致,如圖6所示。圖5的布線中(圖6的右側(cè)),大面積覆銅(GND)包圍著DM濾波器,并和Vin走線形成了一些寄生電容。 這些寄生電容為高頻信號旁路濾波器提供了有效的低阻抗路徑。 因此,為了最大限度地提高濾波器的性能,需要移除濾波器周圍所有的覆銅,如圖6左側(cè)的布線。

圖6 不同的PCB布線

除了增加濾波器外,另一種優(yōu)化EMI性能的有效方法是增加屏蔽罩。 這是因?yàn)檫B接著GND的金屬屏蔽罩可以阻止噪聲向外輻射。 圖7推薦了一種屏蔽罩的擺放方法。該屏蔽罩恰好覆蓋了板上所有的元器件。

圖8顯示了增加濾波器和屏蔽罩之后的EMI結(jié)果。 如圖所示,整個頻段的噪聲幾乎都被屏蔽罩消除,EMI性能非常好。 這主要是因?yàn)榈刃?a target="_blank">天線的長輸入引線會耦合大量輻射噪聲,而屏蔽罩恰好隔絕了它們。在本設(shè)計中,中頻噪聲也會采用這種方式耦合到輸入引線上。

圖7 帶屏蔽罩的PCB 3D模型

圖8 C5標(biāo)準(zhǔn)下的噪聲特性(帶CM,DM濾波器以及屏蔽罩)

圖9也顯示了帶濾波器和屏蔽罩的噪聲特性。與圖8 不同的是,圖9中屏蔽罩是一個金屬盒,它包裹了整個電路板,且只有輸入引線裸露在外面。 雖然有了這個屏蔽罩,但一些輻射噪聲仍然可以繞過EMI濾波器并耦合到PCB上的電源線,這將會導(dǎo)致比圖8更差的噪聲特性。有趣的是,圖4,圖8和圖9中(相同的布局布線)高頻帶的噪聲特性幾乎相同。 這是因?yàn)樵谠黾覧MI濾波器后,能耦合到輸入線上的高頻段輻射噪聲幾乎已經(jīng)不存在了。

圖9 C5標(biāo)準(zhǔn)下的噪聲特性(帶CM,DM濾波器以及屏蔽金屬盒)

綜合來說,增加EMI濾波器或者屏蔽罩都能有效的改善EMI性能。但是與此同時,濾波器的布局布線以及屏蔽罩的擺放位置需要仔細(xì)斟酌。

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