CIN的選擇以及RFB1, RFB2的選擇

CIN的選擇

雖然不及CL對(duì)輸出穩(wěn)定性的影響大，但CIN也是電容值越大、ESR越小則輸出穩(wěn)定性越好，紋波也越小。大到某種程度，降低輸出紋波的效果會(huì)變小，從防止對(duì)輸入側(cè)的電磁干擾(EMI)的意義上說，電容值應(yīng)從CL的一半左右開始探討較好。

圖22同樣顯示了使圖23中的CIN變化時(shí)輸入側(cè)紋波大小會(huì)發(fā)生怎樣的變化。雖然是一般不常進(jìn)行確認(rèn)的數(shù)據(jù)，但對(duì)降低EMI是很重要的數(shù)據(jù)。CIN不會(huì)因ESR太小而輸出振蕩，所以盡量使用低ESR電容為宜。

RFB1, RFB2的選擇

使用FB（反饋）產(chǎn)品時(shí)，RFB1、RFB2用于決定輸出電壓，對(duì)同一輸出電壓有時(shí)可考慮多種組合。此時(shí)選擇RFB1+RFB2=150kΩ～500kΩ比較妥當(dāng)。這里成為問題的是輕負(fù)載時(shí)的效率和重負(fù)載時(shí)的輸出穩(wěn)定性。因?yàn)榱飨騌FB1、RFB2的電流沒有被作為輸出功率使用，而視作DC/DC轉(zhuǎn)換器的損失，所以要想提高輕負(fù)載時(shí)的效率的話，要將RFB1、RFB2設(shè)定得大一些(RFB1+RFB2<1MΩ左右)。而要想提高重負(fù)載時(shí)的瞬態(tài)響應(yīng)的話，則要做好輕負(fù)載時(shí)的效率差的準(zhǔn)備。

CFB的選擇

CFB是紋波反饋調(diào)整用電容器相位補(bǔ)償電容，該值也會(huì)影響負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)。根據(jù)L值，表10中的CFB值為最佳值。過小于該值或過大于該值工作穩(wěn)定性都差。

圖中以XC9220C093為例說明了CFB的影響。在圖26的電路中，RFB1=82kΩ時(shí)，fZFB=10kHz的CFB為390pF左右。(圖23=39pF)、(圖24=390pF)和(圖25=1000pF)是對(duì)改變CFB時(shí)的負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)的比較。39pF的話，負(fù)載變重時(shí)電壓急劇下降，電壓恢復(fù)到恒定狀態(tài)的時(shí)間短，而1000pF的話，負(fù)載變重時(shí)的瞬間電壓下降雖小，但電壓恢復(fù)到恒定狀態(tài)的時(shí)間長(zhǎng)。

圖

表10 決定最優(yōu)CFB的標(biāo)準(zhǔn)fZFB

圖21. XC9220C093負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)(IOUT=0mA?200mA, CFB=39pF)

圖22. XC9220C093負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)(IOUT=0mA?00mA,CFB=390pF)

圖23. XC9220C093負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)(IOUT=0mA?200mA,CFB=1000pF)FB＝1000pF）

圖24. XC9220C093 圖23～圖25的測(cè)試電路

圖25所示為加上RFB1和fZFB時(shí)標(biāo)準(zhǔn)CFB的值。

圖25. RFB1與CFB的關(guān)系

附錄．主要外設(shè)元件列表

列表

(1)FET

(2)SBD

(3)線圈

(4)陶瓷電容

(5)有機(jī)高分子固體電解電容

(6)鋁電解電容