臺(tái)積電7nm/5nm工藝進(jìn)展，將向長(zhǎng)壽命節(jié)點(diǎn)轉(zhuǎn)型

據(jù)臺(tái)積電稱，相較于前一代的10nm工藝，7nm工藝有望在性能、功耗、芯片面積上都有顯著的改善，而且很可能會(huì)被用于制造業(yè)界最強(qiáng)大的移動(dòng)處理器。

7nm工藝之后，臺(tái)積電計(jì)劃推出7nm+版本。不僅如此，臺(tái)積電還計(jì)劃在2020年發(fā)布全新的5nm制造工藝，該技術(shù)將又比7nm、7nm+有大幅度提升，從而進(jìn)一步顯著改善移動(dòng)處理器。

在電話會(huì)議中，臺(tái)積電還充分討論了5nm技術(shù)。

聯(lián)合首席執(zhí)行官魏哲家表示，臺(tái)積電在256M的SRAM芯片上看到了“兩位數(shù)的良率”，以及將會(huì)使用5nm工藝制造“更大的測(cè)試芯片”。

這里所說的良率，指的是所生產(chǎn)的芯片能同時(shí)滿足性能和功耗指標(biāo)的百分比。其中的收益率是和技術(shù)的健康程度成正比的。

目前臺(tái)積電在5nm工藝上的工作仍未全部完成，良率也偏低，與符合智能手機(jī)所需要的處理器成本來說，遠(yuǎn)遠(yuǎn)不能滿足。不過這是一個(gè)非常好的里程碑技術(shù)，如今也處于正軌之上。

魏哲家在電話中表示，一些臺(tái)積電的主要客戶——可能是智能手機(jī)處理器大咖級(jí)制造商——已經(jīng)在用該技術(shù)設(shè)計(jì)“功能模塊”了。

雖然這些客戶目前還不能使用該技術(shù)來設(shè)計(jì)完整的產(chǎn)品，但可能正處于流片測(cè)試階段，以實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵技術(shù)。當(dāng)這一套設(shè)計(jì)完成時(shí)，設(shè)計(jì)人員則可以非常容易的使用5nm技術(shù)來用到別的產(chǎn)品上。

盡管臺(tái)積電開發(fā)過一些壽命較短的技術(shù)——如20nm、10nm——但這5nm技術(shù)應(yīng)該不屬于其中。近年來，臺(tái)積電將轉(zhuǎn)型為長(zhǎng)壽命節(jié)點(diǎn)技術(shù)的公司。

根據(jù)魏哲家的說法，5nm工藝將擁有較長(zhǎng)的壽命，它也非常具有成本效益，這就意味著，該技術(shù)將被更廣泛的使用，不僅僅是那些追求高性能的產(chǎn)品。

因此，在2020年5nm工藝投入大規(guī)模的生產(chǎn)之后，臺(tái)積電還會(huì)在2021年推出5nm+的進(jìn)階產(chǎn)品，也就是對(duì)性能、功耗、面積上有所增強(qiáng)，

再到2022年，我們就可以期待臺(tái)積電的下一次飛躍——3nm。