中芯國(guó)際：一季度營(yíng)收8.31億美元低于預(yù)期，28納米占比下滑至3.2%

根據(jù)《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》的報(bào)導(dǎo)，臺(tái)積電南京廠(chǎng)的16nm制程即將提前在今年5月份進(jìn)入量產(chǎn)。較當(dāng)時(shí)之前預(yù)計(jì)的時(shí)間提早半年。未來(lái)正式進(jìn)入量產(chǎn)之后，臺(tái)積電南京廠(chǎng)預(yù)計(jì)每月將有2.2萬(wàn)片12寸晶圓的產(chǎn)能，此舉將會(huì)對(duì)大陸最大的晶圓代工廠(chǎng)中芯國(guó)際帶來(lái)較大壓力。

一季度營(yíng)收8.31億美元低于預(yù)期，28納米占比下滑至3.2%

不久前，國(guó)內(nèi)最大的晶圓代工廠(chǎng)中芯國(guó)際公布2018年第一季度財(cái)報(bào)。根據(jù)財(cái)報(bào)顯示，第一季度的營(yíng)收為8.31億美元，其中包含光罩制造、晶圓測(cè)試及其它技術(shù)授權(quán)收入1.076億美元，較2017年同期的7.93 億美元增長(zhǎng)4.8%，較2017年第四季度的7.87億美增長(zhǎng)5.6%，低于7%-9%的增長(zhǎng)目標(biāo)。

此外，2018年第一季度毛利為2.2億美元，較2017年第四季度增長(zhǎng)48.3%，較 2017年同期則下滑0.3%。單季毛利率為26.5%，較2017年第四季度的18.9%，增長(zhǎng)7.6個(gè)百分點(diǎn)，較 2017年同期的27.8%，下滑1.3個(gè)百分點(diǎn)。就毛利率的部分來(lái)看，符合 2017 年第四季時(shí)預(yù)期達(dá)到 25%-27%的標(biāo)準(zhǔn)。另外據(jù)了解，今年一季度中芯國(guó)際研發(fā)投入了1.23億美元。

中芯國(guó)際聯(lián)席CEO趙海軍和梁孟松在財(cái)報(bào)中指出，受惠于客戶(hù)與產(chǎn)業(yè)需求的同步成長(zhǎng)，使得產(chǎn)能利用率持續(xù)改善，而且制程研發(fā)及新業(yè)務(wù)平臺(tái)也能進(jìn)展順利的情況下，2018 年第一季度來(lái)于中國(guó)區(qū)的收入，較2017年第四季度增長(zhǎng)28%，較2017年同期也增長(zhǎng)40%。其中，不包含技術(shù)授權(quán)的中國(guó)區(qū)收入，較2017年第 四季度增長(zhǎng)2%，較2017年同期增長(zhǎng)11%。

而就制程技術(shù)對(duì)營(yíng)收占比來(lái)看，28納米占3.2%、40/45納米占21.7%、55/65納米占20.9%、90 納米及其以上的制程占比為 54.2%。

值得注意的是，今年一季度中芯國(guó)際的28納米的營(yíng)收占比在同比及環(huán)比均出現(xiàn)了下滑。即便是以2017年全年的營(yíng)收占比來(lái)看，28nm工藝貢獻(xiàn)的總體占比也達(dá)到了8.0％。

最后，在區(qū)域營(yíng)收占比上，中國(guó)地區(qū)占比也超過(guò)62%。

產(chǎn)能利用率提升至88.3%

至于，在產(chǎn)能的狀況方面，因?yàn)?018年第一季度深圳8寸（200mm）廠(chǎng)產(chǎn)能的擴(kuò)充，中芯國(guó)際得以達(dá)成從2017年第四季度的44.275萬(wàn)片8寸晶圓的產(chǎn)能，擴(kuò)充到2018年第 一季度44.775萬(wàn)片8寸晶圓產(chǎn)能的目標(biāo)，而且整體產(chǎn)能利用率提升至88.3%。

同時(shí)，來(lái)自電源管理IC的需求也越來(lái)越高，200毫米晶圓廠(chǎng)正全力生產(chǎn)，高壓BCD工藝則轉(zhuǎn)向其300毫米晶圓廠(chǎng)。

明年上半年試產(chǎn)14nmFinFET工藝，將切入AI領(lǐng)域

對(duì)于2018年第二季度的營(yíng)運(yùn)狀況，中芯國(guó)際表示，預(yù)計(jì)第二季度營(yíng)收將較第一季度增長(zhǎng)7%-9%，包含確認(rèn)的技術(shù)授權(quán)收入約5600 萬(wàn)美元。毛利率介于23%-25% 的區(qū)間。而第二季度稅后凈利，則將會(huì)在2.27-2.33 億美元之間。

據(jù)中芯國(guó)際聯(lián)席CEO梁孟松透露，中芯國(guó)際將在2018年下半年量產(chǎn)28nm HKC+工藝，2019年上半年開(kāi)始試產(chǎn)14nm FinFET工藝，并藉此進(jìn)入AI芯片領(lǐng)域。

另外梁孟松表示，28nm工藝在整個(gè)2018年將占據(jù)中芯國(guó)際出貨量的5-10％，其中新的28nm HKC占比將基本接近28nm Poly-SiON。

梁孟松強(qiáng)調(diào)，中芯會(huì)致力于搭建業(yè)務(wù)平臺(tái)，完整對(duì)接客戶(hù)，把握機(jī)遇，加速技術(shù)開(kāi)發(fā)，目標(biāo)是建立起完整的工藝平臺(tái)，整合技術(shù)、IP以及完備的設(shè)計(jì)服務(wù)，強(qiáng)化競(jìng)爭(zhēng)力，以滿(mǎn)足客戶(hù)需求，包括跨入人工智能AI領(lǐng)域，中芯也都準(zhǔn)備完整的ASIC IP建置，提供客戶(hù)完整設(shè)計(jì)代工方案，預(yù)計(jì)明年上半年投入。