0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

關(guān)于半導體RF烹飪的關(guān)鍵技術(shù)的介紹(一)

NXP視頻 ? 作者:工程師余飛宇 ? 2018-06-28 18:45 ? 次閱讀
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 半導體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    334

    文章

    26647

    瀏覽量

    212772
  • NXP
    NXP
    +關(guān)注

    關(guān)注

    60

    文章

    1255

    瀏覽量

    182493
  • RF
    RF
    +關(guān)注

    關(guān)注

    65

    文章

    3036

    瀏覽量

    166638
收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦

    半導體靶材:推動半導體技術(shù)飛躍的核心力量

    半導體靶材是半導體材料制備過程中的重要原料,它們在薄膜沉積、物理氣相沉積(PVD)、化學氣相沉積(CVD)等多種技術(shù)中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。本文將詳細介紹
    的頭像 發(fā)表于 09-02 11:43 ?340次閱讀
    <b class='flag-5'>半導體</b>靶材:推動<b class='flag-5'>半導體</b><b class='flag-5'>技術(shù)</b>飛躍的核心力量

    SK海力士分析半導體行業(yè)關(guān)鍵參與者

    在生活中很常見,但它們的起源、用途、意義等仍然鮮為人知。通過六篇文章,“半導體綜述系列”將采用六何分析法(5W1H分析法)對半導體相關(guān)知識展開講解,旨在介紹這項關(guān)鍵技術(shù)的基礎(chǔ)知識。
    的頭像 發(fā)表于 08-21 15:06 ?406次閱讀

    半導體器件的關(guān)鍵參數(shù)解析:從基礎(chǔ)到應(yīng)用

    半導體器件是現(xiàn)代電子技術(shù)中不可或缺的重要元件,它們的工作原理和性能特性都與些基本的物理公式和參數(shù)緊密相關(guān)。本文將詳細闡述半導體器件的基本公式,包括
    的頭像 發(fā)表于 06-18 09:56 ?1867次閱讀
    <b class='flag-5'>半導體</b>器件的<b class='flag-5'>關(guān)鍵</b>參數(shù)解析:從基礎(chǔ)到應(yīng)用

    儲能BMS的關(guān)鍵技術(shù)是什么

    組成部分,其關(guān)鍵技術(shù)對于提高儲能系統(tǒng)的安全性、經(jīng)濟性和可靠性具有重要意義。本文將深入探討儲能BMS的關(guān)鍵技術(shù),以期為相關(guān)研究和應(yīng)用提供參考。
    的頭像 發(fā)表于 05-17 15:28 ?558次閱讀

    半導體發(fā)展的四個時代

    代工廠來開發(fā)和交付。臺積電是這階段的關(guān)鍵先驅(qū)。 半導體的第四個時代——開放式創(chuàng)新平臺 仔細觀察,我們即將回到原點。隨著半導體行業(yè)的不斷成熟,工藝復(fù)雜性和設(shè)計復(fù)雜性開始呈爆炸式增長。
    發(fā)表于 03-27 16:17

    半導體發(fā)展的四個時代

    交給代工廠來開發(fā)和交付。臺積電是這階段的關(guān)鍵先驅(qū)。 半導體的第四個時代——開放式創(chuàng)新平臺 仔細觀察,我們即將回到原點。隨著半導體行業(yè)的不斷成熟,工藝復(fù)雜性和設(shè)計復(fù)雜性開始呈爆炸式
    發(fā)表于 03-13 16:52

    關(guān)于半導體設(shè)備

    想問下,半導體設(shè)備需要用到溫度傳感器的有那些設(shè)備,比如探針臺有沒有用到,具體要求是那些,
    發(fā)表于 03-08 17:04

    機器視覺缺陷檢測是工業(yè)自動化領(lǐng)域的關(guān)鍵技術(shù)

    機器視覺缺陷檢測是工業(yè)自動化領(lǐng)域的關(guān)鍵技術(shù),
    的頭像 發(fā)表于 02-22 13:59 ?464次閱讀
    機器視覺缺陷檢測是工業(yè)自動化領(lǐng)域的<b class='flag-5'>一</b>項<b class='flag-5'>關(guān)鍵技術(shù)</b>

    光伏逆變器拓撲概述及關(guān)鍵技術(shù)

    光伏逆變器拓撲概述及關(guān)鍵技術(shù)
    的頭像 發(fā)表于 02-21 09:47 ?651次閱讀
    光伏逆變器拓撲概述及<b class='flag-5'>關(guān)鍵技術(shù)</b>

    關(guān)于半導體存儲的最強入門科普

    關(guān)于半導體存儲的最強入門科普
    的頭像 發(fā)表于 11-30 17:16 ?862次閱讀
    <b class='flag-5'>關(guān)于</b><b class='flag-5'>半導體</b>存儲的最強入門科普

    物聯(lián)網(wǎng)關(guān)鍵技術(shù)和應(yīng)用

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《物聯(lián)網(wǎng)關(guān)鍵技術(shù)和應(yīng)用.pdf》資料免費下載
    發(fā)表于 11-28 10:37 ?1次下載
    物聯(lián)網(wǎng)<b class='flag-5'>關(guān)鍵技術(shù)</b>和應(yīng)用

    國內(nèi)第片300mm射頻(RF)SOI晶圓的關(guān)鍵技術(shù)

    多晶硅層用作電荷俘獲層是RF-SOI中提高器件射頻性能的關(guān)鍵技術(shù),晶粒大小、取向、晶界分布、多晶硅電阻率等參數(shù)與電荷俘獲性能有密切的關(guān)系;此外,由于多晶硅/硅的復(fù)合結(jié)構(gòu),使得硅晶圓應(yīng)力極難控制。
    的頭像 發(fā)表于 11-21 15:22 ?1018次閱讀

    RF MEMS、軟件無線電 未來LTE手機的兩大關(guān)鍵技術(shù)

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《RF MEMS、軟件無線電 未來LTE手機的兩大關(guān)鍵技術(shù).pdf》資料免費下載
    發(fā)表于 11-10 15:16 ?0次下載
    <b class='flag-5'>RF</b> MEMS、軟件無線電 未來LTE手機的兩大<b class='flag-5'>關(guān)鍵技術(shù)</b>

    半導體材料特性介紹

    半導體材料具有些與我們已知的導體、絕緣體完全不同的電學、化學和物理特性,正是由于這些特點,使得半導體器件和電路具有獨特的功能。在接下來的半導體
    的頭像 發(fā)表于 11-03 10:24 ?951次閱讀
    <b class='flag-5'>半導體</b>材料特性<b class='flag-5'>介紹</b>

    獨立式IO:半導體制造過程控制的關(guān)鍵技術(shù)

    半導體行業(yè)介紹 半導體產(chǎn)業(yè),這個涉及半導體設(shè)計和制造的產(chǎn)業(yè),自1960年左右開始興起,當時半導體器件的制造已經(jīng)成為
    的頭像 發(fā)表于 10-31 11:34 ?665次閱讀
    獨立式IO:<b class='flag-5'>半導體</b>制造過程控制的<b class='flag-5'>關(guān)鍵技術(shù)</b>