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耐威科技強(qiáng)推第三代半導(dǎo)體材料,氮化鎵材料項(xiàng)目落戶青島

MWol_gh_030b761 ? 來源:電子發(fā)燒友網(wǎng) ? 作者:工程師譚軍 ? 2018-07-10 11:13 ? 次閱讀

7月5日,耐威科技公告稱,公司與青島市即墨區(qū)人民政府、青島城市建設(shè)投資(集團(tuán))有限責(zé)任公司在2018年國(guó)際集成電路產(chǎn)業(yè)投資(青島)峰會(huì)上簽署《合作框架協(xié)議書》。

首先回顧一下這次合作背景。今年5月24日,耐威科技宣布與袁理先生、青島海絲民和半導(dǎo)體投資中心(有限合伙)、青島民芯投資中心(有限合伙)共同投資設(shè)立兩家控股子公司——聚能晶源(青島)半導(dǎo)體材料有限公司與青島聚能創(chuàng)芯微電子有限公司,耐威科技分別持股35%、40%。

兩家控股子公司業(yè)務(wù)均與氮化鎵(GaN)相關(guān):聚能創(chuàng)芯主要從事功率與微波器件,尤其是氮化鎵(GaN)功率與微波器件的設(shè)計(jì)、開發(fā);聚能晶源主要從事半導(dǎo)體材料,尤其是氮化鎵(GaN)外延材料的設(shè)計(jì)、開發(fā)、生產(chǎn)。

隨后,耐威科技將聚能晶源項(xiàng)目落地青島市即墨區(qū),青島城投擬通過青島海絲民出資參與聚能晶源項(xiàng)目,因此有了這次耐威科技、青島城投與青島即墨政府簽署合作協(xié)議。

協(xié)議內(nèi)容包括:

(1)為幫助和盡快形成產(chǎn)能,占領(lǐng)國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體材料市場(chǎng)份額,青島即墨同意與聚能晶源另行簽署正式項(xiàng)目合作協(xié)議,為聚能晶源提供一系列項(xiàng)目支持;

(2)為支持聚能晶源吸納骨干尖端人才,各方互相協(xié)助使得聚能晶源為本項(xiàng)目引進(jìn)的優(yōu)秀人才切實(shí)享受到青島市、區(qū)等各項(xiàng)人才優(yōu)惠政策。

(3)聚能晶源預(yù)計(jì)本項(xiàng)目投資總額不少于約2億元人民幣:2018年年底前投資總額不低于 5000 萬元人民幣,2020年底前投資總額不低于1.5 億元人民幣;

(4)聚能晶源未來產(chǎn)品線將覆蓋功率與微波器件應(yīng)用,打造世界級(jí)氮化鎵(GaN)材料公司,項(xiàng)目主要產(chǎn)品有面向功率器件應(yīng)用的氮化鎵(GaN)外延片,以及面向微波器件應(yīng)用的氮化鎵(GaN)外延片等。

耐威科技表示,這次合作有利于公司加快第三代半導(dǎo)體材料,尤其是氮化鎵(GaN)外延材料的設(shè)計(jì)、開發(fā)、生產(chǎn)進(jìn)度;有利于公司把握產(chǎn)業(yè)發(fā)展機(jī)遇,盡快拓展相關(guān)材料在國(guó)防裝備、航空電子、5G 通信、物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域的推廣應(yīng)用;有利于公司以傳感為核心所進(jìn)行的“材料-芯片-器件-系統(tǒng)-應(yīng)用”的全面布局。

耐威科技緊密圍繞軍工電子、物聯(lián)網(wǎng)兩大產(chǎn)業(yè)鏈,一方面大力發(fā)展導(dǎo)航、MEMS、航空電子三大核心業(yè)務(wù),一方面積極布局無人系統(tǒng)、智能制造等潛力業(yè)務(wù),主要產(chǎn)品及業(yè)務(wù)包括軍/民用導(dǎo)航系統(tǒng)及器件、MEMS芯片的工藝開發(fā)及晶圓制造、航空電子系統(tǒng)等。

2016年耐威科技全資收購(gòu)瑞典純MEMS代工企業(yè)Silex(賽萊克斯),正式切入MEMS領(lǐng)域并作為其重點(diǎn)發(fā)展及投資方向。2016年11月,耐威科技宣布在北京投資建設(shè)“8英寸MEMS國(guó)際代工線建設(shè)項(xiàng)目”,該項(xiàng)目獲得國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)基金的支持,目前項(xiàng)目建設(shè)正在高速推進(jìn)中。

目前國(guó)內(nèi)在氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)材料及器件方面的發(fā)展起步較晚,與國(guó)際水平仍有較大差距,正在積極布局中。

氮化鎵(GaN)方面,除了正在入局的耐威科技外,相關(guān)企業(yè)還有蘇州能訊、中稼半導(dǎo)體、三安光電、海特高新、英諾賽科、江西晶能等。

其中,蘇州能訊已自主開發(fā)了氮化鎵材料生長(zhǎng)、器件設(shè)計(jì)、制造工藝、封裝與可靠性技術(shù),是國(guó)內(nèi)首家商用氮化鎵(GaN)電子器件生產(chǎn)企業(yè);海特高新控股子公司海威華芯的氮化鎵已成功突破6英寸GaN晶圓鍵合技術(shù);英諾賽科(珠海)科技有限公司8英寸硅基氮化鎵(GaN)生產(chǎn)線也已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)......

隨著全球半導(dǎo)體第三次產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移,中國(guó)作為全球最大的半導(dǎo)體市場(chǎng),在第三代半導(dǎo)體材料領(lǐng)域機(jī)遇與挑戰(zhàn)共存,需腳踏實(shí)地努力實(shí)現(xiàn)彎道超車。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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原文標(biāo)題:耐威科技發(fā)力第三代半導(dǎo)體材料,其氮化鎵材料項(xiàng)目宣布簽約青島

文章出處:【微信號(hào):gh_030b7610d46c,微信公眾號(hào):GaN世界】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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