近期,沙特阿卜都拉國(guó)王科技大學(xué)(KAUST)研究團(tuán)隊(duì)研發(fā)出奈米級(jí)氮化鋁鎵(AlGaN)發(fā)光裝置。研究人員以漸變折射率分布限制結(jié)構(gòu)層(GRINSCH)裝置,制作出奈米級(jí)GRINSCH二極體,研究人員期望未來能應(yīng)用在奈米高效能UV LED裝置,像是激光、光感測(cè)器、調(diào)幅器以及積體光學(xué)相關(guān)裝置上。
圖片來源:KAUST官網(wǎng)
現(xiàn)有AlGaN發(fā)光裝置,被視為是取代現(xiàn)有UV氣體激光和含有有毒物質(zhì)的UV燈的UV燈源。不過由于裝置中的UV激光二極體,電壓至少要25伏特才能操作,加上電洞注入層效率不佳,導(dǎo)致串聯(lián)電阻高,導(dǎo)致性能受限。其中原因和AlGaN鋁層的P型半導(dǎo)體涂層以及缺少有效的散熱管道等有關(guān)。
奈米級(jí)AlGaN和原先AlGaN磊晶薄膜層相比,由于表面積對(duì)體積比高,形成有效的應(yīng)力松弛,能直接在包括金屬等基質(zhì)上延展。金屬和以矽或藍(lán)寶石包復(fù)的金屬基質(zhì),能在高電流操作過程,提供更好的散熱管道。另外,奈米級(jí)P型半導(dǎo)體因?yàn)榧尤肓随V,活化能需求低,因此電阻也相對(duì)較小。經(jīng)過研究團(tuán)隊(duì)實(shí)驗(yàn)證實(shí),GRINSCH二極體在電子和光學(xué)表現(xiàn)上出色,所需電壓和串聯(lián)電阻也比原先的二極體要低。
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原文標(biāo)題:清華紫光將以 26 億美元收購法芯片制造商 Linxens
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