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SK海力士宣布推出全球首款4D閃存,已經(jīng)推進到了128層堆疊

xPRC_icunion ? 來源:未知 ? 作者:工程師曾玲 ? 2018-08-12 10:55 ? 次閱讀

正在美舉辦的Flash Memory Summit首日已經(jīng)結(jié)束,亮點頗多。

Keynote環(huán)節(jié),倒數(shù)第二個出場(排在我國的長江存儲前)的是SK海力士,它在NAND市場的全球份額排名第五,DRAM份額全球第二。

首先是3D NAND的技術(shù)路線選擇,SK海力士稱,CTF(Charge Trap Flash,電荷捕獲型)比Floating Gate(浮柵型)存儲單元面積更小、速度更快、更耐用(P/E次數(shù)多)。

其實三星從2013年的第一代V-NAND 3D閃存就開始使用CTF了,東芝/西數(shù)(閃迪)的BiCS亦是如此。當然,美光/Intel還是堅持浮柵,不過這倒無所謂,畢竟他們有更厲害的3D Xpoint(基于相變內(nèi)存,還一說是ReRAM磁阻式內(nèi)存)。

接下來,SK海力士宣布推出了全球首款4D閃存。

從現(xiàn)場給出的技術(shù)演示來看,4D閃存和此前長江存儲的Xtacking十分相似,只不過外圍電路(PUC,Peri.Circuits)在存儲單元下方,好處有三點,一是芯片面積更小、二是處理工時縮短、三是成本降低。

參數(shù)方面,號稱業(yè)內(nèi)第一款4D閃存是V5 512Gb TLC,采用96層堆疊、I/O接口速度1.2Gbps(ONFi 4.1標準)、面積13平方毫米,今年第四季度出樣。

BGA封裝的可以做到1Tb(128GB),模組最大2TB,塞到2.5寸的U.2中更是可以做到64TB,2019年上半年出樣。

性能方面,V5 4D芯片面積相較于V4 3D減小20%、讀速提升30%、寫速提升25%。

另外,V5 4D也規(guī)劃了QLC閃存,通過96層堆疊,單Die最小1Tb,明年下半年出樣。

展望

SK海力士內(nèi)部的4D閃存已經(jīng)推進到了128層堆疊,很快可以做到單芯片512GB,2025年做到單芯片8TB。目前,SK海力士的3D NAND是72層堆疊,單芯片最大512Gb(64GB),首款企業(yè)級產(chǎn)品PE4010已于今年6月份出貨給微軟Azure服務(wù)器。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標題:4D閃存!業(yè)內(nèi)首款,SK海力士重磅宣布,128層!

文章出處:【微信號:icunion,微信公眾號:半導(dǎo)體行業(yè)聯(lián)盟】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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