近日,臺積電公布了3nm制程工藝計劃,目前臺南園區(qū)的3nm晶圓工廠已經(jīng)通過了環(huán)評初審,臺積電計劃投資6000億新臺幣(約為194億美元),2020年開始建廠,2021年完成設備安裝,預計最快2022年底到2023年初投產,3nm廠完成后預計雇用員工達四千人。
臺積電的7nm工藝今年已經(jīng)量產了,首發(fā)的7nm芯片是嘉楠耘智的ASIC礦機芯片,采用該工藝的芯片還有蘋果的A12、海思麒麟980以及AMD、NVIDIA的7nm CPU/GPU芯片。與16nm FF工藝相比,臺積電的7nm工藝(代號N7)將提升35%的性能,降低65%的能耗,同時晶體管密度是之前的三倍。2019年初則會推出EUV工藝的7nm+(代號N7+)工藝,晶體管密度再提升20%,功耗降低10%,不過性能沒有變化。
在3nm節(jié)點上,臺積電也公布了相關計劃,去年表態(tài)稱投入了數(shù)百名工程師資源進行早期研發(fā),而晶圓工廠也將落戶南科臺南園區(qū),占地28公頃,位置緊鄰臺積電的5nm工廠。目前***環(huán)保部門已經(jīng)通過了“臺南科學園區(qū)二期基地開發(fā)暨原一期基地變更計畫環(huán)差案”的初審,預計在2020年交地給臺積電建設工廠。
南科管理局長林威呈表示,由于園區(qū)產業(yè)的發(fā)展需求,為了確保世界先進制程的領先優(yōu)勢,提出了“臺南科學園區(qū)二期基地開發(fā)暨原一期基地變更計劃環(huán)差案”,一方面檢討園區(qū)土地使用分區(qū)計劃,另一方面也是為了引進先進制程的需求,提出園區(qū)用水量、用電量、污水放流量、土方等的變更。
南科管理局提出報告,為了滿足臺積電3nm建廠需要,南科臺南基地,每日用水量將由25萬噸增至32.5萬噸,用電量則由222萬瓦增至299.5萬瓦;推估此次變更后,溫室氣體排放量一年增加427萬噸。臺積電一開始就承諾,在市場供給機制的完善下,3nm廠新增用電量將隨著量產時程,逐年取得20%用電度數(shù)的再生能源,預估每年最高可減少約85.41萬噸的二氧化碳當量。
3nm技術可以說已經(jīng)接近半導體工藝的物理極限,而其目前也處于實驗室階段,臺積電資深處長莊子壽坦言:“3nm制程技術難度高,是很大挑戰(zhàn)?!?/p>
-
臺積電
+關注
關注
43文章
5570瀏覽量
165867 -
3nm
+關注
關注
3文章
230瀏覽量
13930
原文標題:臺積電3nm真要來了!
文章出處:【微信號:icunion,微信公眾號:半導體行業(yè)聯(lián)盟】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。
發(fā)布評論請先 登錄
相關推薦
評論