關于NOR Flash擦寫和原理分析

NOR Flash

NOR Flash是現在市場上兩種主要的非易失閃存技術之一。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR Flash 技術，徹底改變了原先由EPROM（Erasable Programmable Read-Only-Memory電可編程序只讀存儲器）和EEPROM（電可擦只讀存儲器Electrically Erasable Programmable Read - Only Memory）一統(tǒng)天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司發(fā)表了NAND Flash 結構，強調降低每比特的成本，有更高的性能，并且像磁盤一樣可以通過接口輕松升級。NOR Flash 的特點是芯片內執(zhí)行（XIP ，eXecute In Place），這樣應用程序可以直接在Flash閃存內運行，不必再把代碼讀到系統(tǒng)RAM中。NOR 的傳輸效率很高，在1~4MB的小容量時具有很高的成本效益，但是很低的寫入和擦除速度大大影響到它的性能。NAND的結構能提供極高的單元密度，可以達到高存儲密度，并且寫入和擦除的速度也很快。應用NAND的困難在于Flash的管理需要特殊的系統(tǒng)接口。

性能比較

flash閃存是非易失存儲器，可以對稱為塊的存儲器單元塊進行擦寫和再編程。任何flash器件的寫入操作只能在空或已擦除的單元內進行，所以大多數情況下，在進行寫入操作之前必須先執(zhí)行擦除。NAND器件執(zhí)行擦除操作是十分簡單的，而NOR則要求在進行擦除前先要將目標塊內所有的位都寫為0。

由于擦除NOR器件時是以64～128KB的塊進行的，執(zhí)行一個寫入/擦除操作的時間為5s，與此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的塊進行的，執(zhí)行相同的操作最多只需要4ms。

執(zhí)行擦除時塊尺寸的不同進一步拉大了NOR和NAND之間的性能差距，統(tǒng)計表明，對于給定的一套寫入操作（尤其是更新小文件時），更多的擦除操作必須在基于NOR的單元中進行。這樣，當選擇存儲解決方案時，設計師必須權衡以下的各項因素。

l 、NOR的讀速度比NAND稍快一些。

2、 NAND的寫入速度比NOR快很多。

3 、NAND的4ms擦除速度遠比NOR的5s快。

4 、大多數寫入操作需要先進行擦除操作。

5 、NAND的擦除單元更小，相應的擦除電路更少。

此外，NAND的實際應用方式要比NOR復雜的多。NOR可以直接使用，并可在上面直接運行代碼；而NAND需要I/O接口，因此使用時需要驅動程序。不過當今流行的操作系統(tǒng)對NAND結構的Flash都有支持。此外，Linux內核也提供了對NAND結構的Flash的支持。

詳解

NOR和NAND是現在市場上兩種主要的非易失閃存技術。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司發(fā)表了NAND flash結構，強調降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經過了十多年之后，仍然有相當多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存。

像“flash存儲器”經?？梢耘c相“NOR存儲器”互換使用。許多業(yè)內人士也搞不清楚NAND閃存技術相對于NOR技術的優(yōu)越之處，因為大多數情況下閃存只是用來存儲少量的代碼，這時NOR閃存更適合一些。而NAND則是高數據存儲密度的理想解決方案。

NOR的特點是芯片內執(zhí)行（XIP， eXecute In Place），這樣應用程序可以直接在flash閃存內運行，不必再把代碼讀到系統(tǒng)RAM中。NOR的傳輸效率很高，在1～4MB的小容量時具有很高的成本效益，但是很低的寫入和擦除速度大大影響了它的性能。

NAND結構能提供極高的單元密度，可以達到高存儲密度，并且寫入和擦除的速度也很快。應用NAND的困難在于flash的管理需要特殊的系統(tǒng)接口。

接口差別

NOR flash帶有SRAM接口，有足夠的地址引腳來尋址，可以很容易地存取其內部的每一個字節(jié)。

NAND器件使用復雜的I/O口來串行地存取數據，各個產品或廠商的方法可能各不相同。8個引腳用來傳送控制、地址和數據信息。

NAND讀和寫操作采用512字節(jié)的塊，這一點有點像硬盤管理此類操作，很自然地，基于NAND的存儲器就可以取代硬盤或其他塊設備。

容量成本

NAND flash的單元尺寸幾乎是NOR器件的一半，由于生產過程更為簡單，NAND結構可以在給定的模具尺寸內提供更高的容量，也就相應地降低了價格。

NOR flash占據了容量為1～16MB閃存市場的大部分，而NAND flash只是用在8～128MB的產品當中，這也說明NOR主要應用在代碼存儲介質中，NAND適合于數據存儲，NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC（多媒體存儲卡Multi Media Card）存儲卡市場上所占份額最大。

可靠耐用

采用flash介質時一個需要重點考慮的問題是可靠性。對于需要擴展MTBF（平均故障間隔時間Mean Time Between Failures）的系統(tǒng)來說，Flash是非常合適的存儲方案。可以從壽命（耐用性）、位交換和壞塊處理三個方面來比較NOR和NAND的可靠性。

壽命（耐用性）

在NAND閃存中每個塊的最大擦寫次數是一百萬次，而NOR的擦寫次數是十萬次。NAND存儲器除了具有10比1的塊擦除周期優(yōu)勢，典型的NAND塊尺寸為NOR器件的八分之一，每個NAND存儲器塊在給定的時間內的刪除次數要少一些。

1. NOR FLASH 的簡單介紹

NOR FLASH 是很常見的一種存儲芯片，數據掉電不會丟失.NOR FLASH支持Execute On Chip，即程序可以直接在FLASH片內執(zhí)行（這意味著存儲在NOR FLASH上的程序不需要復制到RAM就可以直接運行）。這點和NAND FLASH不一樣。因此，在嵌入式系統(tǒng)中，NOR FLASH很適合作為啟動程序的存儲介質.NOR FLASH的讀取和RAM很類似（只要能夠提供數據的地址，數據總線就能夠正確的給出數據），但不可以直接進行寫操作。對NOR FLASH的寫操作需要遵循特定的命令序列，最終由芯片內部的控制單元完成寫操作。

從支持的最小訪問單元來看，NOR FLASH一般分為 8 位的和16位的（當然，也有很多NOR FLASH芯片同時支持8位模式和是16 位模式，具體的工作模式通過特定的管腳進行選擇）。

對8位的 NOR FLASH芯片，或是工作在8-BIT模式的芯片來說，一個地址對應一個BYTE（8-BIT）的數據。例如一塊8-BIT的NOR FLASH，假設容量為4個BYTE.那芯片應該有8個數據信號D7-D0 和2個地址信號，A1-A0.地址0x0對應第0個 BYTE，地址0x1對應于1BYTE，地址0x2對應于第2個BYTE，而地址0x3則對應于第3 個BYTE.對16位的 NOR FLASH芯片，或是工作在16-BIT模式的芯片來說，一個地址對應于一個HALF-WORD（16-BIT）的數據。例如，一塊16-BIT的 NOR FLASH，假設其容量為4個BYTE.那芯片應該有16 個數據信號線D15-D0 和1個地址信號A0.地址 0x0對應于芯片內部的第0個HALF-WORD，地址0x1對應于芯片內部的第1個 HALF-WORD

FLASH一般都分為很多個SECTOR，每個SECTOR包括一定數量的存儲單元。對有些大容量的FLASH，還分為不同的BANK，每個BANK包括一定數目的SECTOR.FLASH的擦除操作一般都是以SECTOR，BANK或是整片FLASH為單位的。

在對FLASH進行寫操作的時候，每個BIT可以通過編程由1變?yōu)?，但不可以有0修改為1.為了保證寫操作的正確性，在執(zhí)行寫操作前，都要執(zhí)行擦除操作。擦除操作會把FLASH的一個SECTOR，一個BANK或是整片FLASH的值全修改為0xFF.這樣，寫操作就可以正確完成了。

由于NOR FLASH沒有本地壞區(qū)管理，所以一旦存儲區(qū)塊發(fā)生毀損，軟件或驅動程序必須接手這個問題，否則可能會導致設備發(fā)生異常。 在解鎖、抹除或寫入NOR FLASH區(qū)塊時，特殊的指令會先寫入已繪測的記憶區(qū)的第一頁（Page）。接著快閃記憶芯片會提供可用的指令清單給實體驅動程序，而這些指令是由一般性閃存接口（CommON FLASH memory Interface， CFI）所界定的。 與用于隨機存取的ROM不同，NOR FLASH也可以用在存儲設備上;不過與NAND FLASH相比，NOR FLASH的寫入速度一般來說會慢很多。

2. NOR Flash的燒寫方式

以下內容，如無特別說明，處理器指的是 ARM 處理器，FLASH 指的都是 NOR FLASH.另外，BYTE指的是8-BIT的數據單元，HALF-WORD代表的是16-BIT的數據單元，而WORD 則代表了32-BIT的數據單元。

2.1 處理器尋址

ARM 可以說是目前最流行的32位嵌進式處理器。在這里只提一下ARM處理器的尋址，為后面做個展墊。從處理器的角度來看，系統(tǒng)中每個地址對應的是一個BYTE的數據單元。這和很多別的處理器都是一樣的。

2.2 處理器和NOR FLASH的硬件連接

從前面的先容，我們知道從處理器的角度來看，每個地址對應的是一個 BYTE 的數據單元。而，NOR FLASH 的每個地址有可能對應的是一個BYTE的數據單元，也有可能對應的是一個HALF-WORD的數據單元。所以在硬件設計中，連接ARM處理器和 NOR FLASH時，必須根據實際情況對地址信號做特別的處理。

假如ARM處理器外部擴展的是8-BIT的NOR FLASH， 數據線和地址線的連接應該如圖1所示。 從圖中我們可以看到，處理器的數據信號D0-D7和 FLASH的數據信號D0-D7是逐一對應連接的，處理器的地址信號A0-An和NOR FLASH的地址信號A0-An 也是逐一對應連接的。

假如ARM處理器外部擴展的是16-BIT的NOR FLASH， 地址線必須要錯位連接。 圖2給了一個ARM處理器和16-BIT NOR FLASH的連接示意圖。如圖2所示，ARM處理器的數據信號D0-D15和FLASH 的數據信號D0-D15是逐一對應的。而ARM處理器的地址信號和NOR FLASH 的地址信號是錯位連接的，ARM的A0懸空，ARM 的A1 連接FLASH 的A0，ARM 的A2連接FLASH的A1，依次類推。需要錯位連接的原因是：ARM處理器的每個地址對應的是一個BYTE 的數據單元，而 16-BIT 的 FLASH 的每個地址對應的是一個HALF-WORD（16-BIT）的數據單元。為了保持匹配，所以必須錯位連接。這樣，從ARM處理器發(fā)送出來的地址信號的最低位A0對16-BIT FLASH來說就被屏蔽掉了。

補充說明：

一般來說，ARM處理器內部要設置相應的寄存器，告訴處理器外部擴展的FLASH的位寬（8-BIT/16-BIT/32-BIT） 。這樣，處理器才知道在訪問的時候如何從FLASH正確的讀取數據;

有些ARM處理器內部可以設置地址的錯位。對于支持軟件選擇地址錯位的處理器，在連接16-BIT FLASH的時候，硬件上可以不需要把地址線錯位。讀者設計的時候，請參考MCU的數據手冊，以手冊為準，以免造成不必要的麻煩;

假如處理器支持內部設置地址錯位，在實際訪問的時候，送出的地址實際上是在MCU內部做了錯位處理，其作用是等效于硬件連接上的錯位的。

上面的描述可能比較抽象，下面讓我們來看2個ARM處理器訪問16-BIT FLASH的例子：

例子 1:ARM處理器需要從地址0x0讀取一個BYTE

ARM處理器在地址線An-A0上送出信號0x0;

16-BIT FLASH在自己的地址信號An-A0上看到的地址是0x0，然后將地址0x0對應的16-BIT數據單元輸出到D15-D0上;

ARM處理器知道訪問的是16-BIT的FLASH，從D7-D0上讀取所需要的一個BYTE的數據。

例子 2:ARM處理器需要從地址0x1讀取一個BYTE

ARM處理器在地址線An-A0上送出信號0x1;

16-BIT FLASH在自己的地址信號An-A0上看到的地址依然是0x0， 然后將地址0x0對應的16-BIT數據單元輸出到D15-D0上;

ARM處理器知道訪問的是16-BIT的FLASH，從D15-D8 上讀取所需要的一個BYTE 的數據。

2.3 從軟件角度來看 ARM 處理器和 NOR FLASH 的連接

從軟件的角度來理解ARM處理器和 FLASH的連接。對于8-BIT的FLASH的連接，很好理解，由于ARM處理器和8-BIT FLASH的每個地址對應的都是一個 BYTE 的數據單元。所以地址連接毫無疑問是逐一對應的。假如 ARM 處理器連接的是 16-BIT 的處理器，由于 ARM 處理器的每個地址對應的是一個 BYTE 的數據單元，而 16-BIT FLASH 的每個地址對應的是一個 HALF-WORD 的16-BIT的數據單元。所以，也毫無疑問，ARM處理器訪問16-BIT處理器的時候，地址肯定是要錯開一位的。在寫FLASH驅動的時候，我們不需要知道地址錯位是由硬件實現的，還是是通過設置ARM處理器內部的寄存器來實現的，只需要記住2點：

ARM處理器訪問8-BIT FLASH的時候，地址是逐一對應的;

ARM處理器訪問16-BIT FLASH的時候，地址肯定是錯位的。

2.4 8-BIT FLASH 燒寫驅動實例 - HY29F040

HY29F040是現代公司的一款8-BIT的NOR FLASH.在這個小節(jié)里，我們以這個芯片為例子，講述如何對8-BIT NOR FLASH進行操作。

HY29F040的容量為512K-BYTE，總共包括8 個SECTOR，每個SECTOR 的容量是64K-BYTE.該芯片支持SECTOR擦除，整片擦除和以BYTE 為基本單位的寫操縱.HY29F040的命令定義如表-1所示。

下面，我們來看看如何實現基本的擦除和編程操作。在本節(jié)后面的描述中，我們使用了下面的2 個定義：

U32 sysbase; //該變量用來表示 FLASH 的起始地址

#define SysAddr8（sysbase， offset） （（volatile U8*）（sysbase）+（offset）） //用來方便對指定的 FALSH 地址進行操作

宏SysAddr8定義了一個 BYTE（8-BIT）指針，其地址為（sysbase + offset）。假設FLASH的起始地址為0x10000000，假如要將0xAB寫到FLASH的第一個BYTE中往，可以用下面的代碼：

*SysAddr8（0x10000000， 0x1） = 0xAB;

注意：

在本節(jié)后面的描述中，sysbase代表的是FLASH的起始地址，而SysAddr8中的offset則代表了相對于FLASH起始地址的BYTE偏移量.offset也是8-BIT FLASH在自己的地址信號An-A0上看到的地址。

a. 整片擦除操作

整片擦除操縱共需要6個周期的總線寫操作：

將 0xAA寫到 FLASH 地址 0x5555;

將 0x55 寫到 FLASH 地址 0x2AAA;

將 0x80 寫到 FLASH 地址 0x5555;

將 0xAA寫到 FLASH 地址 0x5555;

將 0x55 寫到 FLASH 地址 0x2AAA;

將 0x10 寫到 FLASH 地址 0x5555.

對應的代碼：

*SysAddr8（sysbase， 0x5555） = 0xAA; //將值 0xAA寫到 FLASH 地址 0x5555

*SysAddr8（sysbase， 0x2AAA） = 0x55; //將值 0x55 寫到 FLASH 地址 0x2AAA

*SysAddr8（sysbase， 0x5555） = 0x80; //將值 0x80 寫到 FLASH 地址 0x5555

*SysAddr8（sysbase， 0x5555） = 0xAA; //將值 0xAA寫到 FLASH 地址 0x5555

*SysAddr8（sysbase， 0x2AAA） = 0x55; //將值 0x55 寫到 FLASH 地址 0x2AAA

*SysAddr8（sysbase， 0x5555） = 0x10; //將值 0x10 寫到 FLASH 地址 0x5555

b. SECTOR擦除操作

SECTOR的擦除操縱共需要6個周期的總線寫操作：

將 0xAA寫到 FLASH 地址 0x5555;

將 0x55 寫到 FLASH 地址 0x2AAA;

將 0x80 寫到 FLASH 地址 0x5555;

將 0xAA寫到 FLASH 地址 0x5555;

將 0x55 寫到 FLASH 地址 0x2AAA;

將 0x30 寫到要擦除的 SECTOR 對應的地址。

對應的代碼：

*SysAddr8（sysbase， 0x5555） = 0xAA; //將值 0xAA寫到 FLASH 地址 0x5555

*SysAddr8（sysbase， 0x2AAA） = 0x55; //將值 0x55 寫到 FLASH 地址 0x2AAA

*SysAddr8（sysbase， 0x5555） = 0x80; //將值 0x80 寫到 FLASH 地址 0x5555

*SysAddr8（sysbase， 0x5555） = 0xAA; //將值 0xAA寫到 FLASH 地址 0x5555

*SysAddr8（sysbase， 0x2AAA） = 0x55; //將值 0x55 寫到 FLASH 地址 0x2AAA

*SysAddr8（sysbase， addr） = 0x30; //將值 0x30 寫到要擦除的 SECTOR 對應的地址

c. BYTE擦除操作

寫一個BYTE 的數據到FLASH中往，需要 4個周期的總線寫操作：

將 0xAA寫到 FLASH 地址 0x5555;

將 0x55 寫到 FLASH 地址 0x2AAA;

將 0xA0 寫到 FLASH 地址 0x5555;

將編程數據（BYTE）寫到對應的編程地址上。

對應的代碼：

*SysAddr8（sysbase， 0x5555） = 0xAA; //將值 0xAA寫到 FLASH 地址 0x5555

*SysAddr8（sysbase， 0x2AAA） = 0x55; //將值 0x55 寫到 FLASH 地址 0x2AAA

*SysAddr8（sysbase， 0x5555） = 0xA0; //將值 0xA0 寫到 FLASH 地址 0x5555

*SysAddr8（sysbase， addr） = data; //將一個 BYTE的數據寫到期看的地址

2.5 16-BIT FLASH 燒寫驅動實例 - SST39VF160

SST39VF160是SST公司的一款16-BIT的NOR FLASH. 在這個小節(jié)里， 我們以SST39VF160為例子， 講述如何對16-BIT NOR FLASH進行操作。對8-BIT FLASH的操作很好理解，但對16-BIT FLASH的操作理解起來要晦澀很多。我盡力描述得清楚些。

SST39VF160的容量為2M-BYTE ， 總共包括512個SECTOR， 每個SECTOR 的容量是4K-BYTE. 該芯片支持SECTOR擦除，整片擦除和以 HALF-WORD 為基本單位的寫操縱.SST39VF160 的命令定義如表-2 所示。在表 2 中，由于所有命令都是從FLASH的角度來定義的。 所以， 所有的地址都是HALF-WORD地址， 指的是16-BIT FLASH在自己的地址信號An-A0上看到的地址。

在本節(jié)后面的描述中，我們使用了下面的2個定義：

U32 sysbase; //該變量用來表示 FLASH 的起始地址

#define SysAddr16（sysbase， offset） （（volatile U16*）（sysbase）+（offset）） //用來方便對指定的 FALSH 地址進行操作

SysAddr16（sysbase， offset）首先定義了一個16-BIT HALF-WORD的指針，指針的地址為sysbase，然后根據offset做個偏移操縱。 由于HALF-WORD指針的地址是2個BYTE對齊的， 所以每個偏移操縱會使得地址加2. 終極， SysAddr16 （sysbase， offset）相當于定義了一個HALF-WORD的指針，其終極地址為（sysbase + 2offset） 。在使用SysAddr16的時候，將sysbase設置成 FLASH 的起始地址，offset 則可以理解為相對于 FLASH 起始地址的HALF-WORD 偏移量或是偏移地址。假設FLASH 的起始地址為 0x10000000，SysAddr16（0x10000000， 0）指向 16-BIT FLASH 的第 0 個HALF-WORD， SysAddr16（0x10000000， 1指向16-BIT FLASH的第1個HALF-WORD.依次類推。假如要將0xABCD分別寫到FLASH 的第0個和第 1個HALF-WORD 中往，可以用下面的代碼：

*SysAddr16（0x10000000， 0x0） = 0xABCD;

*SysAddr16（0x10000000， 0x1） = 0xABCD;

接下來，我們分別從ARM處理器的角度和FLASH的角度來具體分析一下。

從 ARM 的角度來看：

假設 FLASH 的起始地址為 0x10000000，由于 ARM 處理器知道 FLASH 的地址空間為 0x10000000 ~ （0x10000000 +FLASH容量 – 1），所以在對這個地址空間進行訪問的時候，會設置好FLASH的片選信號，并將低位的地址輸出到 地址信號上。以*SysAddr16（0x10000000， 0x1） = 0xABCD 為例。從ARM 處理器的角度來看，該操縱是把0xABCD寫到地址0x10000002上往。所以ARM處理器終極會在它的地址信號An-A0輸出地址0x2，同時會在D15-D0 上輸出0xABCD.

從 FLASH 的角度來看：

還是以 *SysAddr16（0x10000000， 0x1） = 0xABCD 為例，FLASH看到的地址是多少呢？接著分析.ARM 處理器在執(zhí)行操縱的時候，會設置好相應的FLASH片選使能信號，并在ARM的地址信號An-A0上輸出 0x2.由于 ARM和 16-BIT FLASH的地址信號的連接是錯開一位的， 所以， FLASH終極在自己的地址An-A0上看到的信號是0x1， 相當于將ARM處理器輸出的地址往右做了一個移位操縱，恰好對應的是FLASH的第1 個HALF-WORD.同時，FLASH會在自己的D15-D0上看到數據0xABCD.

通過上面的分析，我們知道 SysAddr16 中指定的 offset 的值就是 16-BIT FLASH 在自己的地址 An-A0 上看到的值。所以，我們可以很方便的通過 SysAddr16（sysbase， offset） 對 FLASH 進行操縱，其中 sysbase 代表 FLASH 起始地址，offset 則代表了FLASH 的第幾個HALF-WORD（HALF-WORD偏移量或偏移地址）

注意：

在本節(jié)后面的描述中，SysAddr16中的 SYSBASE代表的是FLASH的起始地址，而SysAddr16中的 OFFSET則代表了相對于FLASH起始地址的 HALF-WORD 偏移量或偏移地址.OFFSET 的值也是16-BIT FLASH在自己的地址信號An-A0上看到的值;

在SST39VF160的命令定義中，所有的地址都是針對FLASH的HALF-WORD地址，指的是在FLASH自己的地址信號An-A0上看到的地址。

整片擦除操作

整片擦除操縱共需要6個周期的總線寫操作：

將 0x00AA寫到 FLASH HALF-WORD 地址 0x5555;

將 0x0055 寫到 FLASH HALF-WORD地址 0x2AAA;

將 0x0080 寫到 FLASH HALF-WORD地址 0x5555;

將 0x00AA寫到 FLASH HALF-WORD 地址 0x5555;

將 0x0055 寫到 FLASH HALF-WORD地址 0x2AAA;

將 0x0010 寫到 FLASH HALF-WORD地址 0x5555.

對應的代碼：

*SysAddr16（sysbase， 0x5555） = 0x00AA; //將值 0x00AA 寫到 FLASH HALF-WORD地址 0x5555

*SysAddr16（sysbase， 0x2AAA） = 0x0055; //將值 0x0055 寫到 FLASH HALF-WORD地址 0x2AAA

*SysAddr16（sysbase， 0x5555） = 0x0080; //將值 0x0080 寫到 FLASH HALF-WORD地址 0x5555

*SysAddr16（sysbase， 0x5555） = 0x00AA; //將值 0x00AA 寫到 FLASH HALF-WORD地址 0x5555

*SysAddr16（sysbase， 0x2AAA） = 0x0055; //將值 0x0055 寫到 FLASH HALF-WORD地址 0x2AAA

*SysAddr16（sysbase， 0x5555） = 0x0010; //將值 0x0010 寫到 FLASH HALF-WORD地址 0x5555

SECTOR擦除操作

SECTOR的擦除操縱共需要6個周期的總線寫操作：

將 0x00AA寫到 FLASH HALF-WORD 地址 0x5555;

將 0x0055 寫到 FLASH HALF-WORD地址 0x2AAA;

將 0x0080 寫到 FLASH HALF-WORD地址 0x5555;

將 0x00AA寫到 FLASH HALF-WORD 地址 0x5555;

將 0x0055 寫到 FLASH HALF-WORD地址 0x2AAA;

將 0x0030 寫到要擦除的 SECTOR 對應的 HALF-WORD地址。

對應的代碼：

*SysAddr16（sysbase， 0x5555） = 0x00AA; //將值 0x00AA 寫到 FLASH HALF-WORD地址 0x5555

*SysAddr16（sysbase， 0x2AAA） = 0x0055; //將值 0x0055 寫到 FLASH HALF-WORD地址 0x2AAA

*SysAddr16（sysbase， 0x5555） = 0x0080; //將值 0x0080 寫到 FLASH HALF-WORD地址 0x5555

*SysAddr16（sysbase， 0x5555） = 0x00AA; //將值 0x00AA 寫到 FLASH HALF-WORD地址 0x5555

*SysAddr16（sysbase， 0x2AAA） = 0x0055; //將值 0x0055 寫到 FLASH HALF-WORD地址 0x2AAA

*SysAddr16（sysbase， addr 》》 1） = 0x0030; //將值 0x0030 寫到要擦除的 SECTOR 對應的HALF-WORD地址

注意：

上面的代碼中第6個操縱周期中的ADDR 是從ARM處理器的角度來看的BYTE地址，由于在擦除的時候，用戶?？粗付ǖ氖菑?ARM 的角度看到的地址，這樣更方便和更直觀。而在 SysAddr16 的宏定義中，OFFSET 表示的是相對于FLASH起始地址的 HALF-WORD 偏移量，或是FLASH在自己的地址信號An-A0上看到的地址。所以需要執(zhí)行一個右移操作，把ADDR轉換成 HALF-WORD 地址。

舉例說明，SST39VF160 每個 SECTOR 的大小是 4K-BYTE.從 ARM 處器的角度和用戶的角度來看，SECTOR-0 相對于FLASH起始地址的BYTE地址是0x0;從FLASH來看SECTOR-0 的HALF-WORD地址是0x0.從ARM處理器的角度和用戶的角度來看， FLASH SECTOR-1相對于FLASH起始地址的BYTE地址0x1000; 從FLASH來看， SECTOR-1的HALF-WORD地址應該是（0x1000 》》 1） = 0x800.

假如要擦除SECTOR-0，上面代碼的第6條指令應該是：

*SysAddr16（sysbase， 0x0 》》 1） = 0x0030;

假如要擦除SECTOR-1，上面代碼的第6條指令應該是：

*SysAddr16（sysbase， 0x1000 》》 1） = 0x0030;

HALF-WORD 編程操作

寫一個HALF-WORD的數據到FLASH中往，需要4個周期的總線寫操作：

將 0x00AA寫到 FLASH HALF-WORD 地址 0x5555;

將 0x0055 寫到 FLASH HALF-WORD地址 0x2AAA;

將 0x00A0 寫到 FLASH HALF-WORD 地址 0x5555;

將編程數據（HALF-WORD）寫到對應的 HALF-WORD地址。

對應的代碼：

*SysAddr16（sysbase， 0x5555） = 0x00AA; //將值 0x00AA 寫到 FLASH 地址 0x5555

*SysAddr16（sysbase， 0x2AAA） = 0x0055; //將值 0x0055 寫到 FLASH 地址 0x2AAA

*SysAddr16（sysbase， 0x5555） = 0x00A0; //將值 0x00A0 寫到 FLASH 地址 0x5555

*SysAddr16（sysbase， addr 》》 1） = data; //將數據寫到對應的 HALF-WORD 地址

注意：

上面的代碼中第4個操作周期中的ADDR是從ARM處理器的角度來看的BYTE地址， 由于在執(zhí)行寫操作的時候，用戶?？粗付ǖ氖菑?ARM 的角度看到的地址，這樣會更方便和更直觀。而在 SysAddr16 的宏定義中，OFFSET表示的是相對于FLASH起始地址的HALF-WORD偏移量。 所以需要執(zhí)行一個右移操縱， 把它轉換成HALF-WORD地址。

例如要將數據 0x0123 寫到地址 0x0處，對應的是 FLASH 的第 0 個 HAFL-WORD，對應的 HALF-WORD 地址應該是0x0，上面代碼的第4條指令應該是：

*SysAddr16（sysbase， 0x0 》》 1） = 0x0123;

又如要將數據0x4567寫到地址0x2處， 對應的是FLASH的第1個 HALF-WORD， 對應的HALF-WORD地址應該是0x1， 上面代碼的第4條指令應該是：

*SysAddr16（sysbase， 0x2 》》 1） = 0x4567;

再如要將數據0x89AB寫到地址0x4處， 對應的是FLASH的第2個HALF-WORD， 對應的HALF-WORD地址應該是0x2，上面代碼的第4條指令應該是：

*SysAddr16（sysbase， 0x4 》》 1） = 0x89AB;

還如要將數據0xCDEF 寫到地址 0x6處，對應的是 FLASH 的第 3 個 HALF-WORD，對應的 HALF-WORD 地址應該是0x3，上面代碼的第4條指令應該是：

*SysAddr16（sysbase， 0x6 》》 1） = 0xCDEF;

2.6 結束語

以上簡單介紹了NOR FLASH原理，以及如何對NOR FLASH進行操作， 但沒有包括狀態(tài)查詢， 保護等其他操縱。 對于更復雜的多片FLASH并聯的情況也沒有討論，如有需要者，可自行分析.