今天三星公司將會舉行Samsung Tech Day,其中宣布的重點包括了7nm EUV工藝、SmartSSD(FPGA SSD)、數(shù)據(jù)中心的QLC-SSD、256GB 3DS RDIMM內(nèi)存,那么與我們關(guān)系最密切的莫過于7nm EUV工藝量產(chǎn),三星表示7nm LPP對比現(xiàn)有的10nm FinFET工藝,可以實現(xiàn)提升40%面積能效、性能增加20%、功耗降低50%目標(biāo)。
目前納米工藝推進遇到了極限問題,主要是由制造設(shè)備帶來,具體來說就是光刻機的分辨率制約,想要刻畫出精細、只有數(shù)納米寬度線條,對于光源聚集性能要求非常高。分辨率越高,刻畫的線條越精細越清晰。
但凡是光源總會有衍射問題,想要克服衍射問題,就必須使用波長越短的光來刻畫晶體管掩模。
很久以前用的是Hg光源,100-80nm工藝以后開始使用248nm的KrF光源,此后一直使用193nm的ArF光源,不過對于7nm以下工藝來說,需要用到全新的EUV光源,波長可以下降到只有13nm長,這被視為7nm工藝的重要技術(shù)組成部分。
目前三星宣布已經(jīng)完成了整套7nm EUV工藝的技術(shù)流程開發(fā)以及產(chǎn)線部署,進入了可量產(chǎn)階段。三星表示7nm LPP工藝可以減少20%的光學(xué)掩模流程,整個制造過程更加簡單了,節(jié)省了時間和金錢,又可以實現(xiàn)40%面積能效提升、性能增加20%、功耗降低50%目標(biāo)。
因此7nm EUV工藝才是半導(dǎo)體制造關(guān)鍵性節(jié)點,絕大部分半導(dǎo)體廠商都將會在此工藝上停留非常長的時間(喜歡改名字另當(dāng)別論),往后5nm、3nm工藝攻堅難度更加大了,遇到是半導(dǎo)體材料物理極限,而非光源極限問題那么“簡單”。
三星還說7nm LPP工藝將會在韓國華城的S3工廠展開,2020年前再新開一條產(chǎn)線生產(chǎn)相關(guān)芯片,滿足市場所需。你猜哪一家產(chǎn)品會率先用上7nm EUV工藝?
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原文標(biāo)題:三星宣布7nm EUV工藝量產(chǎn),留給Intel的時間不多了
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