2018年三星科技日的三大利器

近日，三星2018科技日在圣何塞（San Jose,CA）圓滿結(jié)束，此次三星也帶來了一些新產(chǎn)品、新技術(shù)，這些創(chuàng)新有助于最大化數(shù)據(jù)中心的效率，并使人工智能和其他企業(yè)和新興技術(shù)成為可能。2018年三星科技日的主要內(nèi)容包括:

三星代工廠的7nm的EUV進(jìn)程節(jié)點在功耗、性能和尺寸方面有顯著改進(jìn)。

SmartSSD是一種現(xiàn)場可編程門陣列（FPGA）SSD，它提供加速的數(shù)據(jù)處理以及能夠繞過服務(wù)器CPU限制。

在企業(yè)應(yīng)用程序和數(shù)據(jù)中心，QLC-SSD每個單元提供存儲比TLC-SSD多33%，這樣能合并存儲占用并提高所有權(quán)總成本(TCO)。

據(jù)三星半導(dǎo)體公司總裁蔡志剛（J S Choi）表示：“三星的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)力和產(chǎn)品競爭力是無與倫比的?！睂?nm EUV投入生產(chǎn)表示三星取得了巨大突破。SmartSSD和256GB 3DS RDIMM的發(fā)布也代表了性能和容量的突破，將繼續(xù)推動計算邊界。同時，這些對三星綜合技術(shù)生態(tài)系統(tǒng)的補充將為下一代數(shù)據(jù)中心、高性能計算(HPC)、企業(yè)、人工智能(AI)和新興應(yīng)用提供動力。

實現(xiàn)三星7nm LPP（低功耗PLUS）EUV工藝節(jié)點的初始生產(chǎn)是半導(dǎo)體制造中的一個重要里程碑。7nm LPP EUV工藝技術(shù)所提供的關(guān)鍵優(yōu)點包括與10nm工藝相比，減少了40%的面積、50%的動態(tài)功率降低和20%的性能提升。7LPP工藝是最終實現(xiàn)3nm工藝的關(guān)鍵步驟。

三星新推出的SmartSSD和四級單元(QLC)-SSD加速了數(shù)據(jù)處理，繞過了服務(wù)器CPU限制，并降低了功耗。這些新產(chǎn)品允許數(shù)據(jù)中心以更快的速度繼續(xù)擴展，又可以控制成本。

新的數(shù)據(jù)中心產(chǎn)品包括鍵值(KV)-SSD和Z-SSD。KV-SSD克服了塊存儲的低效性，減少了延遲。當(dāng)CPU架構(gòu)達(dá)到最大值時，數(shù)據(jù)中心的性能可以均勻地擴展。下一代Z-SSD將是有史以來最快的閃存，具有超低延遲、雙端口高可用性和u - 2格式，Z-SSD還具有PCIe Gen 4接口，順序讀取帶寬有望達(dá)到12GB/s，比現(xiàn)在的SATA III ssd快20倍。

三星針對數(shù)據(jù)中心和企業(yè)應(yīng)用的QLC-SSD比tlc - ssd每個單元提供了33%的存儲空間。三星的1TB QLC-SSD為企業(yè)用戶提供了一種最前沿的存儲選擇，與HDDs相比，它創(chuàng)造了顯著的競爭效率，并有助于提高所有權(quán)總成本(TCO)的最重要指標(biāo)。