2018年全球晶圓代工產(chǎn)值再創(chuàng)新高 三星或?qū)⒎闯_(tái)積電

根據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究院最新統(tǒng)計(jì)，2018年全球晶圓代工產(chǎn)值再創(chuàng)新高，有望突破600億美元大關(guān)，年成長(zhǎng)達(dá)5%（2017年成長(zhǎng)8.1%）。

晶圓代工產(chǎn)業(yè)自2017年便開始呈現(xiàn)「一位難求」，客戶排隊(duì)等產(chǎn)能景象，整體產(chǎn)業(yè)榮景延伸至2018上半年，部分晶圓代工廠商甚至在2018上半年交出2位數(shù)年成長(zhǎng)幅度。在2018下半年，客戶需求開始趨緩，眾多制程產(chǎn)品市場(chǎng)表現(xiàn)不如預(yù)期（尤以28nm節(jié)點(diǎn)最明顯）。

成熟制程產(chǎn)品穩(wěn)健發(fā)展

自2017年開始，市場(chǎng)呈現(xiàn)8寸晶圓代工產(chǎn)能比12寸代工產(chǎn)能更加緊缺局勢(shì)，可想而知，成熟制程技術(shù)的應(yīng)用需求依然處在穩(wěn)健成長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，其中包含電源管理、顯示驅(qū)動(dòng)、指紋識(shí)別、影像感測(cè)與MCU等眾多應(yīng)用，制成節(jié)點(diǎn)從40/45nm開始一路往上涵蓋至0.25/0.35/0.5μm等技術(shù)。

事實(shí)上，晶圓代工產(chǎn)業(yè)的二把手和三把手，格芯和聯(lián)電皆于2018年相繼宣布放棄競(jìng)逐先進(jìn)制程技術(shù)，轉(zhuǎn)而將資源集中于12/14nm以上產(chǎn)品市場(chǎng)，可想而知，在物聯(lián)網(wǎng)大趨勢(shì)下，已有部分晶圓代工廠商改采穩(wěn)扎穩(wěn)打的市場(chǎng)策略，將深耕相對(duì)成熟的制程產(chǎn)品。

臺(tái)積電大談10nm以下先進(jìn)制程商機(jī)

相較格芯和聯(lián)電，晶圓代工產(chǎn)業(yè)龍頭臺(tái)積電則持續(xù)于產(chǎn)業(yè)內(nèi)維持其先進(jìn)芯片代工技術(shù)的身分地位。

2018年領(lǐng)先同業(yè)量產(chǎn)7nm技術(shù)后便立即籌劃7nm升級(jí)版，預(yù)計(jì)2019年將EUV引入7nm產(chǎn)品并量產(chǎn)，臺(tái)積電為保持未來5年領(lǐng)導(dǎo)地位，已明確規(guī)劃和投資臺(tái)南廠區(qū)，期望分別于2020年與2022年量產(chǎn)更先進(jìn)的5nm和3nm技術(shù)。

從臺(tái)積電公開資料中可得知，2018上半年便已有不少客戶將產(chǎn)品從10nm轉(zhuǎn)投至更高技術(shù)規(guī)格的7nm，顯現(xiàn)出市場(chǎng)對(duì)更高規(guī)格技術(shù)需求。

三星成晶圓代工先進(jìn)制程技術(shù)關(guān)鍵廠商

除了上述3間重點(diǎn)「純」晶圓代工廠商于2018下半年接連發(fā)布重大策略外，英特爾和三星一直以來也是晶圓代工產(chǎn)業(yè)中值得關(guān)注的廠商。

英特爾和三星雖然都是IDM廠商，但因自身有與臺(tái)積電相匹配的先進(jìn)制程技術(shù)，一直以來也是Fabless芯片設(shè)計(jì)廠商重點(diǎn)關(guān)注的潛力供應(yīng)商，但隨著英特爾因長(zhǎng)年耕耘晶圓代工市場(chǎng)無果而漸進(jìn)式退出，三星將成為客戶在10nm以下產(chǎn)品的唯二選擇。

從數(shù)月前SFF Japan 2018發(fā)布進(jìn)度觀察，三星將于2018～2020年依序完成7nm、5/4nm與3nm，以實(shí)現(xiàn)反超臺(tái)積電的目標(biāo)。