NI測(cè)試平臺(tái)助力其成為半導(dǎo)體測(cè)試界標(biāo)桿

半導(dǎo)體技術(shù)的要求通常會(huì)超出傳統(tǒng)ATE所能為模擬、混合信號(hào)和RF測(cè)試提供的測(cè)試覆蓋范圍。半導(dǎo)體測(cè)試工程師需要更智能的解決方案來(lái)解決成本、可擴(kuò)展性、設(shè)計(jì)和器件挑戰(zhàn)。NI測(cè)試平臺(tái)的“三大優(yōu)勢(shì)”與“三大應(yīng)用”助力NI成為半導(dǎo)體測(cè)試界標(biāo)桿級(jí)選手

三大優(yōu)勢(shì)

降低測(cè)試成本

采用從特性分析到生產(chǎn)均適用的平臺(tái)化方法，為RF和混合信號(hào)測(cè)試提供了更低成本的高性能測(cè)試解決方案。

更快速的測(cè)試

NI半導(dǎo)體測(cè)試客戶表示，借助NI平臺(tái)化方法，他們?cè)跐M足測(cè)量和性能要求的同時(shí)，將測(cè)試時(shí)間縮短了10倍。

更精準(zhǔn)的測(cè)量

NI產(chǎn)品提供了業(yè)界領(lǐng)先的測(cè)量精度，并通過(guò)NI校準(zhǔn)和系統(tǒng)服務(wù)來(lái)確保精度的長(zhǎng)期有效性。

三大應(yīng)用

我們正在與合作伙伴一起努力滿足對(duì)芯片更高性能、更小尺寸、更低成本等要求，目前已經(jīng)有許多成功案例：

借助半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)(STS)，Integrated Device Technology(IDT)公司能夠測(cè)試各種設(shè)備類型，同時(shí)維持高測(cè)試吞吐量和可擴(kuò)展性來(lái)滿足未來(lái)的性能需求。

Analog Devices基于LabVIEW和PXI開(kāi)發(fā)了一個(gè)MEMS測(cè)試系統(tǒng)，與先前生產(chǎn)中使用的自動(dòng)測(cè)試設(shè)備相比，資本設(shè)備成本降低了11倍。

Qorvo公司借助PXI，將蜂窩功率放大器的特性分析時(shí)間從兩周縮短至一天，而且沒(méi)有犧牲測(cè)量質(zhì)量或增加資本成本。

案例還有很多，想深入了解的小伙伴戳閱讀原文哦。

NI將重點(diǎn)突破以下三大應(yīng)用領(lǐng)域：

右滑發(fā)現(xiàn)更多……

批量生產(chǎn)測(cè)試

實(shí)驗(yàn)室特性分析和驗(yàn)證

晶圓