GaN材料系列具有低的熱產(chǎn)生率和高的擊穿電場,是研制高溫大功率電子器件和高頻微波器件的重要材料。目前,隨著 MBE技術(shù)在GaN材料應用中的進展和關(guān)鍵薄膜生長技術(shù)的突破,成功地生長出了GaN多種異質(zhì)結(jié)構(gòu)。用GaN材料制備出了金屬場效應晶體管(MESFET)、異質(zhì)結(jié)場效應晶體管(HFET)、調(diào)制摻雜場效應晶體管(MODFET)等新型器件。
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發(fā)表于 11-14 11:03
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