0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

微波組件組裝中,經(jīng)常出現(xiàn)內(nèi)引線鍵合系統(tǒng)的缺陷

3X1L_gh_f97d258 ? 來源:lp ? 2019-03-11 16:26 ? 次閱讀

摘要:微波組件組裝中,經(jīng)常出現(xiàn)內(nèi)引線鍵合系統(tǒng)的缺陷。一些缺陷在某種條件下可導(dǎo)致產(chǎn)品失效。研究了內(nèi)引線鍵合的缺陷和失效問題,分辯其失效模式和失效機(jī)理,確定其最終的失效原因,提出了改進(jìn)設(shè)計(jì)和制造工藝的建議。采取有效質(zhì)量管理措施后,消除了故障隱患,提高了產(chǎn)品可靠性。

隨著現(xiàn)代電子技術(shù)的發(fā)展,微波組件的工作頻率越來越高,其在武器裝備中的應(yīng)用范圍越來越廣。微波組件的有源部分通常由單個(gè)或多個(gè)管芯、封裝器件、單片電路以及它們的組合組成,無源部分通常由電阻、電容、電感、環(huán)行器、隔離器、分布式傳輸線、接插件等各種元器件以及做成傳輸線的電路基板組成。

金絲鍵合系統(tǒng)廣泛應(yīng)用于微波組件的制造工藝中。芯片與芯片、芯片與微帶線、微帶線與微帶線、接插件與微帶線之間經(jīng)常采用鍵合金絲的方式進(jìn)行電氣連接。因組件的體積較小,生產(chǎn)數(shù)量少、品種多、結(jié)構(gòu)復(fù)雜,金絲鍵合多采用人工操作方式進(jìn)行。金絲鍵合的質(zhì)量直接決定微波多芯片組件的可靠性、穩(wěn)定性及電性能。鍵合質(zhì)量受引線材料、鍵合區(qū)鍍層質(zhì)量、鍵合工藝參數(shù)等多方面的影響[1]。

以上照片射頻百花潭單獨(dú)供圖,僅供學(xué)習(xí)

由于芯片、接插件、電路基板品種繁多,導(dǎo)致鍵合區(qū)域差異較大,經(jīng)手工裝聯(lián)后的裸芯片及鍵合系統(tǒng),在后續(xù)的測(cè)試調(diào)試、環(huán)境適應(yīng)性試驗(yàn)中,經(jīng)常出現(xiàn)因熱應(yīng)力或機(jī)械應(yīng)力損傷而導(dǎo)致鍵合系統(tǒng)出現(xiàn)缺陷,甚至失效。鍵合系統(tǒng)缺陷在某種條件下可導(dǎo)致組件失效。一種失效模式可能是由一種缺陷,也可能是由幾種缺陷在某種條件下導(dǎo)致。了解失效發(fā)生的機(jī)理,才能有效地預(yù)防失效的發(fā)生。通過分析研制過程中的缺陷和失效問題,分辯其失效模式和失效機(jī)理,確定其最終的失效原因,提出改進(jìn)設(shè)計(jì)和制造工藝的建議,采取有效質(zhì)量管理措施,消除故障隱患,使產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定可靠[2]。

1 失效模式1.1 金帶開路失效組件中元器件的種類繁多,金帶常需鍵合在性能差異較大的板材上。根據(jù)不同的材料應(yīng)選取相應(yīng)的鍵合參數(shù),鍵合參數(shù)選用不當(dāng),鍵合部位將存在缺陷,在機(jī)械應(yīng)力作用下可產(chǎn)生失效。用金帶將陶瓷濾波器上的微帶線與FR4介質(zhì)板上微波線連接起來,故障點(diǎn)在陶瓷片一端,如圖1所示。金帶鍵合頸部的斷裂,使電氣連接呈現(xiàn)時(shí)斷時(shí)續(xù)的狀態(tài),而導(dǎo)致組件失效。

圖1金帶頸部斷裂

1.2 金絲短路失效芯片安裝方向偏差導(dǎo)致鍵合金線過長(zhǎng)、交叉,如圖2所示。交叉絲短路失效。

圖2金絲交叉

介質(zhì)板上的鍵合點(diǎn)與芯片上的鍵合區(qū)位置沒有做到按順序一一對(duì)應(yīng),如圖3所示,相鄰金絲短路失效。

圖3金絲過長(zhǎng)

1.3 金絲損傷生產(chǎn)過程中,常出現(xiàn)金絲倒伏、變形、扭曲、裂口及擦痕等機(jī)械損傷。

圖4所示為金絲本體損傷。在200~500倍顯微鏡下觀察,發(fā)現(xiàn)金絲拱弧表面有損傷,不光滑,比較毛糙。在某種狀態(tài)下,微帶線連接點(diǎn)金絲將開路失效。

1.4 金絲鍵合拉力偏小按照工藝規(guī)范操作,形貌符合檢驗(yàn)可接受標(biāo)準(zhǔn)

圖4金絲拉毛受損

的金絲,偶爾有部分鍵合強(qiáng)度不合格,即拉力數(shù)值偏小。該缺陷不易被發(fā)現(xiàn),長(zhǎng)期使用后易導(dǎo)致鍵合點(diǎn)的脫鍵,其對(duì)產(chǎn)品的危害較大。鍵合部位不潔、金鍍層不合格是引發(fā)該故障的主要因素。

1.5 金絲鍵合可靠性差金絲鍵合于鍍金層的下層金屬上,如圖5所示。失去鍍金層保護(hù)的底層金屬在高溫高濕等條件下易受到氧化、腐蝕,鍵合于該處的金絲易發(fā)生開路失效。

圖5金絲鍵合于鍍金層的底層金屬上

1.6 廢棄的金絲存在于組件內(nèi)導(dǎo)致電性能失效

生產(chǎn)或返修過程中常需將原來不合格的金絲去除,重新鍵合合格的金絲。更換下來的金絲若遺棄于組件內(nèi),有可能導(dǎo)致組件短路失效。圖6所示為廢棄的金絲存在于殼體內(nèi)側(cè)安裝輸出端絕緣子的孔隙中,有時(shí)導(dǎo)致絕緣子內(nèi)導(dǎo)體與殼體短路,從而引起電性能失效。

圖6絕緣子安裝孔中有廢棄的金絲

2 故障原因分析2.1 金帶鍵合根部失效觀察發(fā)生故障的部位(如圖1所示),發(fā)現(xiàn)介質(zhì)板表面低于陶瓷板表面,導(dǎo)致金帶的兩鍵合點(diǎn)不在同一水平面內(nèi),且落差較大。金帶在陶瓷板端無向上的弧度,而貼近陶瓷片表面,在其邊沿處折彎通向介質(zhì)板,且故障部位的鍵合點(diǎn)頸部變形較大。金帶彎曲弧度過小,且與器件邊緣接觸,在溫度循環(huán)時(shí),應(yīng)力不能在金帶上釋放,而集中到鍵合頸部,而鍵合頸部過薄,其能承受的機(jī)械強(qiáng)度下降,導(dǎo)致其撕裂,出現(xiàn)開路失效。

2.2 金絲短路失效芯片安裝方向偏差導(dǎo)致鍵合金線的過長(zhǎng)、交叉(如圖2所示)。鍵合引線長(zhǎng)度過長(zhǎng)、交叉的危害為:隨著鍵合引線長(zhǎng)度的增加,質(zhì)量也增加了,在振動(dòng)、沖擊的環(huán)境下,引線的受力增加,這樣頸縮點(diǎn)的受力增加,因此斷裂的可能性增加,可靠性降低;鍵合引線長(zhǎng)度過長(zhǎng)使該引線更容易變形,變形后和其他不相連金屬化層短路的可能性也大大增加;不同引線間的交叉,上面的引線在塌絲的情況下就會(huì)造成交叉引線的短路,從而降低器件的可靠性[3]。電路板設(shè)計(jì)時(shí),未將微帶鍵合點(diǎn)布置到芯片左側(cè),就近與芯片上鍵合區(qū)一一對(duì)應(yīng),而是如圖3所示金絲過長(zhǎng)。導(dǎo)致自左向右的鍵合金絲越來越長(zhǎng),且間距越來越小。設(shè)計(jì)PCB時(shí)應(yīng)使鍵合金絲應(yīng)盡可能短,長(zhǎng)度應(yīng)控制在金絲直徑的100倍以內(nèi)。金絲間間距應(yīng)不小于2倍的金絲直徑,長(zhǎng)度越大,間距應(yīng)相應(yīng)增大。長(zhǎng)金絲應(yīng)避免跨接于裸露的金屬化線之上。其存在的隱患為:相鄰長(zhǎng)金絲間易短路;長(zhǎng)金絲易變形與其下方的金屬化線或微帶線短路;金絲鍵合部位的頸部易斷裂,導(dǎo)致失效。

2.3 金絲損傷在200~500倍顯微鏡下觀察故障點(diǎn)連接絲,可以發(fā)現(xiàn)金絲拱弧表面有損傷,不光滑,比較毛糙,如圖4所示。在低溫狀態(tài)下,發(fā)現(xiàn)端口處微帶線連接點(diǎn)金絲開路。

該產(chǎn)品選用的鍵合方式是手動(dòng)金絲球鍵合,鍵合選用陶瓷劈刀。在這種工藝中,一個(gè)融化的金絲球粘在需連接的一條鍍金微帶線的端頭上。壓下后形成第一個(gè)鍵合點(diǎn),然后從第一個(gè)鍵合點(diǎn)抽出彎曲的金絲在另一條鍍金微帶線的端頭以月牙鍵合形成第二個(gè)鍵合點(diǎn)。鍵合劈刀內(nèi)部的構(gòu)造決定了焊球的大小、直徑及高度,劈刀的好壞直接決定了鍵合的質(zhì)量。鍵合過程中金絲在劈刀中產(chǎn)生相對(duì)運(yùn)動(dòng),劈刀必須提供足夠的空間讓金絲無阻礙地通過。若使用時(shí)間過長(zhǎng),劈刀受損,金絲受到機(jī)械損傷,機(jī)械強(qiáng)度下降易斷裂。

2.4 金絲鍵合拉力偏小某組件電路板上裝配工藝較為復(fù)雜,既有貼片元件、手工焊接元器件又有芯片燒結(jié)及金絲鍵合工藝。該組件經(jīng)環(huán)境應(yīng)力篩選后,電性能測(cè)試發(fā)現(xiàn)指標(biāo)超差。開蓋目檢,發(fā)現(xiàn)某芯片與微帶的連接金絲有一根在微帶鍵合點(diǎn)處浮起。隨機(jī)選取其余形貌正常的金絲做拉力試驗(yàn),結(jié)果數(shù)值普遍偏小。通過排查,導(dǎo)致故障發(fā)生的原因?yàn)椋涸撾娐钒迳衔Ь€為鍍薄金,厚度為0.01~0.05 μm,而鍵合金絲要求鍍厚金,鍍金層厚度不小于3.0μm。入所檢驗(yàn)時(shí),鍍薄金電路板默認(rèn)為無金絲鍵合,不需做鍵合拉力試驗(yàn),作為合格品入庫(kù)備用。

金絲與微帶鍍金層的鍵合,為熱壓超聲鍥形鍵合。厚金可塑性強(qiáng),鍵合過程中,金絲與鍵合區(qū)的金接觸面幾乎接近到原子引力的范圍,使表面原始交界面處的金原子相互擴(kuò)散,使兩者緊密結(jié)合成牢固的鍵接。

影響超聲波鍵合的質(zhì)量因素,主要有金絲的質(zhì)量、鍵合區(qū)鍍金層的質(zhì)量、劈刀的平整度及鍵合壓力、鍵合時(shí)間、加熱溫度、超聲功率等參數(shù)。

2.5 金絲鍵合于鍍金層的下層金屬上工藝過程中,因顧慮金層表面沾污導(dǎo)致鍵合強(qiáng)度下降,而試圖刮去受污染的部分,得到潔凈的鍍金層表面,以提高鍵合的可靠性。然而,該操作受人為因素的影響較大,無法保證剩余金層的厚度,甚至暴露底層金屬(銅)。

金絲鍵合于潔凈的鍍金層表面,因沒有界面腐蝕、金屬間化合物形成等問題,可靠性非常好。金絲鍵合于潔凈的銅表面上,將會(huì)產(chǎn)生金屬間化合物,導(dǎo)致鍵合強(qiáng)度下降。銅在空氣中非常容易氧化,表面形成一層氧化膜,可鍵合性及導(dǎo)電性將變差,在潮濕、加電的情況下,易形成電化學(xué)腐蝕,導(dǎo)致脫鍵。

2.6 組件內(nèi)存在多余的金絲某組件在測(cè)試時(shí),發(fā)現(xiàn)輸出功率有時(shí)正常,有時(shí)比正常值低30 dB左右。經(jīng)排查原因是:一根廢棄的金絲存在于殼體內(nèi)側(cè)安裝輸出端絕緣子的孔隙中,有時(shí)導(dǎo)致絕緣子內(nèi)導(dǎo)體與殼體短路,從而使輸出功率下降。微波組件中,大量的鍵合金絲用于器件間作為信息交換的橋梁。人工鍵合的一致性較差,質(zhì)量易受到人為因素的影響。有時(shí)金絲上會(huì)存在有裂口、彎曲、割口、卷曲、刻痕或頸縮等缺陷,或后續(xù)工序中受外力后,倒伏、變形。剔除不合格的金絲,重新鍵合金絲在工藝過程中常常發(fā)生。由于剔除的金絲尺寸小,而組件內(nèi)部元器件密度高縫隙多,尋找失落的金絲很困難。多余的金絲存在于組件內(nèi)部,當(dāng)長(zhǎng)度大于裸露的金屬間距時(shí),可使兩引線、金屬化層與引線、各功能電路元件或者以上各部分之間橋接,可使產(chǎn)品性能劣化或失效。污染、殘留助焊劑等,在某種條件下引起電遷移、電化學(xué)腐蝕、樹枝狀晶體生長(zhǎng),可導(dǎo)致器件性能劣化,甚至失效。

微波組件中電路間距小、元件密度高、廣泛使用裸芯片,工藝制造過程較復(fù)雜。事后對(duì)多余物的清理是一項(xiàng)費(fèi)時(shí)費(fèi)力,且不易達(dá)到目標(biāo)的工作,多余物的控制應(yīng)貫穿于產(chǎn)品設(shè)計(jì)制造的各個(gè)階段。

3 預(yù)防措施3.1 電路設(shè)計(jì)設(shè)計(jì)電路板時(shí),應(yīng)充分考慮工藝可操作性和產(chǎn)品使用的可靠性。鍵合系統(tǒng)中,金絲的長(zhǎng)度、金絲是否交叉與電路板的設(shè)計(jì)有直接的關(guān)系。PCB設(shè)計(jì)時(shí),應(yīng)充分考慮芯片的方位,芯片上的鍵合點(diǎn)與PCB上的鍵合點(diǎn)間距盡可能的短,且按順序一一對(duì)應(yīng)。

合理的PCB設(shè)計(jì)將使工藝操作人員很容易做出合格產(chǎn)品,生產(chǎn)效率及可靠性將大大提高。

3.2 工藝設(shè)計(jì)工藝設(shè)計(jì)師應(yīng)與電路設(shè)計(jì)師密切配合,及時(shí)給予合理的建議,幫助其完善產(chǎn)品工藝設(shè)計(jì),避免生產(chǎn)過程中出現(xiàn)難以操作的工序。盡量保持兩鍵合點(diǎn)處于同一水平面,焊接點(diǎn)遠(yuǎn)離芯片和鍵合點(diǎn),或工序設(shè)計(jì)時(shí)將鍵合置于焊接之后,以減小工藝操作難度和工序之間的相互影響,提高產(chǎn)品質(zhì)量和生產(chǎn)效率。

3.3 設(shè)備管理超聲鍥形鍵合的質(zhì)量與超聲功率、溫度、壓力及鍵合時(shí)間密切相關(guān),調(diào)整好四個(gè)參數(shù)的關(guān)系是保證鍵合質(zhì)量的必要條件。通過鍵合拉力測(cè)試,選取鍵合形貌滿足要求、拉力測(cè)試合格的參數(shù),由操作者使用相同設(shè)備對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行生產(chǎn),可有效保證產(chǎn)品的合格率。使用的鍵合設(shè)備應(yīng)在計(jì)量有效期內(nèi)。當(dāng)過程檢驗(yàn)發(fā)現(xiàn)金絲出現(xiàn)批次性質(zhì)量問題時(shí),應(yīng)排查鍵合設(shè)備是否出現(xiàn)故障。操作者應(yīng)關(guān)注設(shè)備運(yùn)行狀況,發(fā)現(xiàn)異常立即停止操作,及時(shí)向有關(guān)人員匯報(bào),及時(shí)追查用此設(shè)備生產(chǎn)的所有產(chǎn)品,采取有效措施,直到可確保產(chǎn)品無故障隱患存在。設(shè)備恢復(fù)正常,方可繼續(xù)使用。

鍵合過程中所用的劈刀狀態(tài)不佳,磨損嚴(yán)重,劈刀端面的平整度、芯片燒結(jié)后的水平偏斜度,也會(huì)影響鍵合點(diǎn)的工藝質(zhì)量。

3.4 外協(xié)產(chǎn)品管理

對(duì)需要鍵合金絲的外購(gòu)?fù)鈪f(xié)件加強(qiáng)質(zhì)量管理。對(duì)需鍵合金絲的介質(zhì)板,與外協(xié)單位簽訂技術(shù)協(xié)議,明確微帶線的鍍金層質(zhì)量要求。必要時(shí)下廠監(jiān)制。入所檢驗(yàn),首先檢查其質(zhì)量證明文件應(yīng)滿足協(xié)議要求,再抽取適量的介質(zhì)板鍵合金絲,做鍵合拉力試驗(yàn),合格后入庫(kù)備用。對(duì)提供需要鍵合的元器件原材料的合格供應(yīng)商名錄采取動(dòng)態(tài)管理,監(jiān)督合格供應(yīng)商的質(zhì)量管理體系。檢查生產(chǎn)廠家的質(zhì)量控制措施是否滿足鍵合工藝的要求。必要時(shí),抽取元器件進(jìn)行DPA分析,以確認(rèn)其使用材料及工藝質(zhì)量是否滿足鍵合要求。

3.5 過程控制金絲鍵合過程中,選用的鍵合參數(shù)將直接決定鍵合系統(tǒng)的質(zhì)量。選擇合適的加熱溫度,有利于鍵合的快速完成,并提高鍵合點(diǎn)的機(jī)械強(qiáng)度。但加熱過高,鍵合過程中可導(dǎo)致某些芯片焊接材料重熔。超聲功率過大,金絲變形過大,鍵合點(diǎn)機(jī)械強(qiáng)度下降。另外,超聲功率過大使得鍵合強(qiáng)度被破壞,造成過鍵合,不利于鍵合強(qiáng)度的提高[4]。超聲功率過小,起不到應(yīng)有的效果,鍵合不牢。鍵合壓力過小,不能牢固地壓住金絲,鍵合不牢。鍵合壓力過大,金絲變形過多,頸部易斷,甚至破壞芯片的鍵合區(qū)。鍵合時(shí)間太短,不能有效完成鍵合。時(shí)間太長(zhǎng),鍵合的變形過多機(jī)械強(qiáng)度下降。因此,應(yīng)根據(jù)不同的鍵合條件,在工藝規(guī)范中選取適當(dāng)?shù)逆I合參數(shù),按照工藝流程操作。每批產(chǎn)品均進(jìn)行首件檢驗(yàn),目檢形貌后測(cè)試鍵合拉力,兩項(xiàng)都符合要求時(shí),方可進(jìn)行批生產(chǎn),并在產(chǎn)品隨行文件上及時(shí)紀(jì)錄相關(guān)數(shù)據(jù)。

潔凈的鍵合區(qū),有利于金絲與鍵合區(qū)鍍金層的金原子相互擴(kuò)散,形成牢固的鍵接。在受到污染的鍵合區(qū)上鍵合的金絲,隨著時(shí)間的推移,機(jī)械強(qiáng)度下降,易發(fā)生脫鍵。工作環(huán)境及工藝紀(jì)律符合相關(guān)潔凈廠房管理要求。合理安排工序,避免清洗后的待鍵合區(qū)受到污染,保證其潔凈,選擇合適的參數(shù)可有效保證鍵合系統(tǒng)的質(zhì)量。

金絲鍵合是微波組件中最關(guān)鍵的工序。為保證產(chǎn)品質(zhì)量實(shí)行定崗、定員、定設(shè)備的“三定”原則及執(zhí)行自檢、互檢及專檢的“三檢”制度。

3.6 操作人員培訓(xùn)人工鍵合與機(jī)器自動(dòng)鍵合相比一致性較差,鍵合質(zhì)量容易受到人為因素的影響,因此加強(qiáng)對(duì)操作人員培訓(xùn)尤為重要。操作人員應(yīng)熟練掌握鍵合設(shè)備的使用方法、工藝操作規(guī)范,嚴(yán)格遵守工藝紀(jì)律,嚴(yán)禁無證上崗。組織操作人員進(jìn)行業(yè)務(wù)培訓(xùn),掌握《微電子試驗(yàn)方法和程序》中有關(guān)內(nèi)容。鍵合后應(yīng)使用放大30~60倍(必要時(shí)100~200倍)帶垂直光源的立體光學(xué)顯微鏡傾斜適當(dāng)?shù)慕嵌冗M(jìn)行檢查,金絲形貌必須滿足GJB548B-2005方法2010.1中3.2.1、方法2012.1中3.11.2.2 f項(xiàng)及方法2017.1中3.1.5的要求。發(fā)現(xiàn)問題及時(shí)匯報(bào),質(zhì)量管理人員組織相關(guān)人員分析出現(xiàn)問題的原因,采取糾正措施。經(jīng)審核試驗(yàn)驗(yàn)證的措施應(yīng)補(bǔ)充完善到工藝操作規(guī)范中。根據(jù)工藝規(guī)范選取適當(dāng)?shù)逆I合參數(shù),按照工藝流程操作,并在產(chǎn)品隨行文件上及時(shí)紀(jì)錄。發(fā)現(xiàn)問題及時(shí)匯報(bào),嚴(yán)禁私自處理。

組織操作人員進(jìn)行業(yè)務(wù)交流。通過對(duì)典型不合格案例的講解,闡明導(dǎo)致的原因、改進(jìn)措施及對(duì)產(chǎn)品可靠性的危害,促進(jìn)操作人員的業(yè)務(wù)水平及質(zhì)量意識(shí)的提高。

3.7 質(zhì)量管理

細(xì)化完善技術(shù)、質(zhì)量、工藝、裝配、調(diào)試和檢驗(yàn)等各類人員責(zé)任制。質(zhì)量管理重在全過程控制,質(zhì)量人員應(yīng)將主要精力由質(zhì)量問題處理轉(zhuǎn)移到預(yù)防為主的過程控制上,避免出現(xiàn)質(zhì)量問題。切實(shí)做好生產(chǎn)現(xiàn)場(chǎng)操作人員的培訓(xùn)和管理工作,在精細(xì)化管理上下功夫,推進(jìn)操作人員崗位技能提升,使人員能力與崗位要求相匹配。推進(jìn)常態(tài)化、標(biāo)準(zhǔn)化、規(guī)范化的操作要點(diǎn)、檢驗(yàn)要點(diǎn)等作業(yè)步驟,通過規(guī)范崗位操作,確保產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定受控。質(zhì)量管理人員負(fù)責(zé)收集信息,組織相關(guān)人員分析原因,采取糾正措施,并審核經(jīng)驗(yàn)證的措施應(yīng)落實(shí)到相關(guān)的設(shè)計(jì)文件和工藝文件中。質(zhì)量師組織檢查類似問題在其他產(chǎn)品中是否存在,是否采取相應(yīng)的糾正措施。研制過程中,加強(qiáng)過程管理,變以往的事后補(bǔ)救為事前預(yù)防,金絲鍵合質(zhì)量有顯著提高:產(chǎn)品篩選過程中未發(fā)生因金絲鍵合質(zhì)量而導(dǎo)致的失效,交付產(chǎn)品也無因金絲鍵合質(zhì)量而導(dǎo)致失效返修。

4 結(jié)束語金絲鍵合工藝在微波組件中廣泛使用,鍵合系統(tǒng)的失效在組件的失效中占有的比例相當(dāng)大,約占1/3。其中部分失效需要經(jīng)過較長(zhǎng)的時(shí)間才能暴露出來,給使用方帶來較大的危害,返工成本相應(yīng)增大。加強(qiáng)全體人員產(chǎn)品質(zhì)量培訓(xùn),對(duì)產(chǎn)品質(zhì)量高度重視,才能對(duì)提高產(chǎn)品質(zhì)量起到長(zhǎng)效作用。產(chǎn)品質(zhì)量是設(shè)計(jì)進(jìn)去,制造出來的,只有加強(qiáng)設(shè)計(jì)人員、操作人員的能力培訓(xùn),認(rèn)真總結(jié)經(jīng)驗(yàn)教訓(xùn),形成設(shè)計(jì)準(zhǔn)則及操作規(guī)范并貫徹實(shí)施,才能從源頭保證產(chǎn)品的可靠性。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 芯片
    +關(guān)注

    關(guān)注

    452

    文章

    49985

    瀏覽量

    419665
  • 元器件
    +關(guān)注

    關(guān)注

    112

    文章

    4664

    瀏覽量

    91674
  • 微波組件
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    16

    瀏覽量

    7295

原文標(biāo)題:微波組件內(nèi)鍵合線常見故障分析與預(yù)防

文章出處:【微信號(hào):gh_f97d2589983b,微信公眾號(hào):高速射頻百花潭】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    有償求助本科畢業(yè)設(shè)計(jì)指導(dǎo)|引線鍵合|封裝工藝

    任務(wù)要求: 了解微電子封裝引線鍵合工藝,學(xué)習(xí)金絲引線鍵合原理,開發(fā)引線鍵合工藝仿真方法,通過數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)分析和仿真結(jié)果,分析得出引線鍵合工序
    發(fā)表于 03-10 14:14

    半導(dǎo)體引線鍵合清洗工藝方案

    大家好!       附件是半導(dǎo)體引線鍵合清洗工藝方案,請(qǐng)參考,謝謝!有問題聯(lián)系我:***  szldqxy@163.com
    發(fā)表于 04-22 12:27

    混合電路內(nèi)引線鍵合可靠性研究

    摘要:本文簡(jiǎn)述了混合電路以及半導(dǎo)體器件內(nèi)引線鍵合技術(shù)原理,分析了影響內(nèi)引線鍵合系統(tǒng)質(zhì)量的因素,重點(diǎn)分析了最常見的幾種失效模式:
    發(fā)表于 05-31 09:38 ?30次下載

    大功率IGBT模塊封裝的超聲引線鍵合技術(shù)

    從超聲引線鍵合的機(jī)理入手,對(duì)大功率IGBT 模塊引線的材料和界面特性進(jìn)行了分析,探討了
    發(fā)表于 10-26 16:31 ?66次下載
    大功率IGBT模塊封裝<b class='flag-5'>中</b>的超聲<b class='flag-5'>引線鍵合</b>技術(shù)

    集成電路封裝引線鍵合技術(shù)

    在回顧現(xiàn)行的引線鍵合技術(shù)之后,本文主要探討了集成電路封裝引線鍵合技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)。球形焊接工藝比楔形焊接工藝具有更多的優(yōu)勢(shì),因而獲得了廣泛使用。傳統(tǒng)的前向拱絲越來越
    發(fā)表于 10-26 17:13 ?86次下載
    集成電路封裝<b class='flag-5'>中</b>的<b class='flag-5'>引線鍵合</b>技術(shù)

    LED引線鍵合的檢測(cè)內(nèi)容與工藝評(píng)價(jià)

    引線鍵合是LED封裝制造工藝的主要工序,其作用是實(shí)現(xiàn)LED芯片電極與外部引腳的電路連接。引線鍵合工藝的方法和質(zhì)量直接影響著LED燈珠的可靠性和成本。 檢測(cè)內(nèi)容: 1. 引線直徑、形貌
    發(fā)表于 10-23 11:52 ?14次下載
    LED<b class='flag-5'>引線鍵合</b>的檢測(cè)內(nèi)容與工藝評(píng)價(jià)

    LED引線鍵合工藝評(píng)價(jià)

    引線鍵合是LED封裝制造工藝的主要工序,其作用是實(shí)現(xiàn)LED芯片電極與外部引腳的電路連接。引線鍵合工藝的方法和質(zhì)量直接影響著LED燈珠的可靠性和成本。 服務(wù)客戶: LED封裝廠 檢測(cè)手段: 掃描電鏡
    發(fā)表于 11-21 11:15 ?1892次閱讀

    引線鍵合工藝流程講解

    引線鍵合是指在半導(dǎo)體器件封裝過程,實(shí)現(xiàn)芯片(或其他器件)與基板或框架互連的一種方法。作為最早的芯片封裝技術(shù),引線鍵合因其靈活和易于使用的特點(diǎn)得到了大規(guī)模應(yīng)用。引線鍵合工藝是先將直徑較
    的頭像 發(fā)表于 04-07 10:40 ?7555次閱讀

    引線鍵合是什么?引線鍵合的具體方法

    的傳輸路徑)的方法被稱為引線鍵合(Wire Bonding)。其實(shí),使用金屬引線連接電路的方法已是非常傳統(tǒng)的方法了,現(xiàn)在已經(jīng)越來越少用了。近來,加裝芯片(Flip Chip Bon
    的頭像 發(fā)表于 08-09 09:49 ?4178次閱讀
    <b class='flag-5'>引線鍵合</b>是什么?<b class='flag-5'>引線鍵合</b>的具體方法

    什么是引線鍵合?引線鍵合的演變

    引線鍵合是在硅芯片上的 IC 與其封裝之間創(chuàng)建互連的常用方法,其中將細(xì)線從器件上的焊盤連接到封裝上的相應(yīng)焊盤(即引線)。此連接建立了從芯片內(nèi)部電路到連接到印刷電路板 (PCB) 的
    發(fā)表于 10-24 11:32 ?2082次閱讀
    什么是<b class='flag-5'>引線鍵合</b>?<b class='flag-5'>引線鍵合</b>的演變

    典型Wire Bond引線鍵合不良原因分析

    典型Wire Bond引線鍵合不良原因分析
    的頭像 發(fā)表于 11-14 10:50 ?1443次閱讀
    典型Wire Bond<b class='flag-5'>引線鍵合</b>不良原因分析

    優(yōu)化關(guān)鍵工藝參數(shù)提升功率器件引線鍵合的可靠性

    歡迎了解 聶洪林 陳佳榮 任萬春 郭林 蔡少峰 李科 陳鳳甫 蒲俊德 (西南科技大學(xué) 四川立泰電子有限公司) 摘要: 探究了引線鍵合工藝的重要參數(shù)對(duì)功率器件可靠性的影響機(jī)制,進(jìn)而優(yōu)化超聲
    的頭像 發(fā)表于 12-25 08:42 ?967次閱讀
    優(yōu)化關(guān)鍵工藝參數(shù)提升功率器件<b class='flag-5'>引線鍵合</b>的可靠性

    金絲引線鍵合的影響因素探究

    好各個(gè)關(guān)鍵點(diǎn),提升產(chǎn)品的質(zhì)量和可靠性。通過對(duì)金絲引線鍵合整個(gè)生產(chǎn)過程的全面深入研究,分析了設(shè)備調(diào)試、劈刀選型、超聲、溫度、壓力、劈刀
    的頭像 發(fā)表于 02-02 17:07 ?638次閱讀
    金絲<b class='flag-5'>引線鍵合</b>的影響因素探究

    引線鍵合技術(shù):微電子封裝的隱形力量,你了解多少?

    引線鍵合是微電子封裝領(lǐng)域中的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù),它負(fù)責(zé)實(shí)現(xiàn)芯片與封裝基板或其他芯片之間的電氣連接。隨著集成電路技術(shù)的不斷進(jìn)步,引線鍵合技術(shù)也在不斷發(fā)展,以適應(yīng)更高性能、更小尺寸和更低成本的需求。本文將詳細(xì)介紹引線鍵合技術(shù)的發(fā)展歷程、現(xiàn)
    的頭像 發(fā)表于 04-28 10:14 ?1021次閱讀
    <b class='flag-5'>引線鍵合</b>技術(shù):微電子封裝的隱形力量,你了解多少?

    金絲強(qiáng)度測(cè)試儀試驗(yàn)方法:拉脫、引線拉力、剪切力

    金絲強(qiáng)度測(cè)試儀是測(cè)量引線鍵合強(qiáng)度,評(píng)估強(qiáng)度分布或測(cè)定
    的頭像 發(fā)表于 07-06 11:18 ?456次閱讀
    金絲<b class='flag-5'>鍵</b><b class='flag-5'>合</b>強(qiáng)度測(cè)試儀試驗(yàn)方法:<b class='flag-5'>鍵</b><b class='flag-5'>合</b>拉脫、<b class='flag-5'>引線</b>拉力、<b class='flag-5'>鍵</b><b class='flag-5'>合</b>剪切力