4月16日,三星官網(wǎng)發(fā)布新聞稿,宣布已經(jīng)完成5納米FinFET工藝技術(shù)開(kāi)發(fā),現(xiàn)已準(zhǔn)備好向客戶(hù)提供樣品。
與7納米工藝相比,三星的5納米FinFET工藝技術(shù)提供了高達(dá)25%的邏輯面積效率提升。同時(shí)由于工藝改進(jìn),其功耗降低了20%、性能提高了10%,從而使芯片能夠擁有更具創(chuàng)新性的標(biāo)準(zhǔn)單元架構(gòu)。
跨越到5納米工藝,除了在功率性能區(qū)域(PPA)的數(shù)據(jù)提高之外,客戶(hù)還可以充分利用EUV(極紫外光刻)技術(shù),推動(dòng)產(chǎn)品接近性能極限。
除此之外,還可以將7納米的相關(guān)知識(shí)產(chǎn)權(quán)重用到5納米工藝上,使得客戶(hù)從7納米向5納米過(guò)渡時(shí)可以大幅降低成本,縮短5納米產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)周期。
三星表示,自2018年第四季度以來(lái),三星5納米產(chǎn)品就擁有了強(qiáng)大的設(shè)計(jì)基礎(chǔ)設(shè)施,包括工藝設(shè)計(jì)工具、設(shè)計(jì)方法、電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化工具和IP。此外,三星晶圓廠已經(jīng)開(kāi)始向客戶(hù)提供5納米多項(xiàng)目晶圓服務(wù)。
2018年10月,三星宣布將首次生產(chǎn)7納米制程芯片,這是三星首個(gè)采用EUV光刻技術(shù)的產(chǎn)品。目前,三星已于今年年初開(kāi)始批量生產(chǎn)7納米芯片。
除了7納米與5納米之外,三星還在與客戶(hù)開(kāi)發(fā)6納米芯片,同樣是一種基于EUV技術(shù)的芯片產(chǎn)品。
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