采用硅工藝的高功率開關的特點就應用
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
電源
+關注
關注
184文章
17400瀏覽量
248762 -
封裝
+關注
關注
126文章
7647瀏覽量
142456 -
功率開關
+關注
關注
1文章
118瀏覽量
26049
發(fā)布評論請先 登錄
相關推薦
安泰功率放大器有哪些特點呢
放大器的特點，以更好地理解其在電子系統(tǒng)中的作用和優(yōu)勢。 1.高功率輸出能力： 功率放大器的主要特點之一是其
微型逆變器中常用的功率開關晶體管類型及特點
開關速度等特點。在微型逆變器中，功率MOSFET主要應用于高壓側的功率轉換。 1.1 結構特點 功率
高功率單模光纖跳線獨特的特點有哪些
高功率單模光纖跳線是一種特殊類型的光纖連接器材，具有一系列獨特的性能和特點。 首先，高功率單模光纖跳線能夠實現(xiàn)更低的衰減，使信號能夠傳播得更
功率MOSFET的主要特點
、電機驅動等領域中扮演著至關重要的角色。與雙極型功率器件相比，功率MOSFET憑借其獨特的特性，如電壓控制、高輸入阻抗、快速開關速度等，成為了現(xiàn)代電子設備中不可或缺的元件。本文將對
高效穩(wěn)定之選：200V1A/2A NMOS管PW2202，功率開關新標桿
。接下來，我們將從描述、特點和應用三個方面，深入剖析PW2202的優(yōu)異表現(xiàn)。 首先，PW2202硅N溝道增強型VDMOSFET是一種高性能的功率開關元件。它
Aigtek功率信號源的特點有哪些
功率信號源是一種用于產生高功率信號的電子設備，主要應用于無線通訊、雷達測量、廣播電視等領域中。功率信號源具有輸出功率大、穩(wěn)定可靠、頻率范圍寬
60V以上的高邊驅動方案探討-采用隔離電源方案
電壓高于60V的時候的高邊開關，芯片面積會指數(shù)級別變大，所以這時候采用BCD工藝做出來的高邊開關
如何調控BOSCH工藝深硅刻蝕？影響深硅刻蝕的關鍵參數(shù)有哪些？
影響深硅刻蝕的關鍵參數(shù)有：氣體流量、上電極功率、下電極功率、腔體壓力和冷卻器。
氮化鎵芯片和硅芯片區(qū)別
氮化鎵芯片和硅芯片是兩種不同材料制成的半導體芯片，它們在性能、應用領域和制備工藝等方面都有明顯的差異。本文將從多個方面詳細比較氮化鎵芯片和硅芯片的特點和差異。 首先，從材料屬性上來看，
艾為電子推出AW135xxTQNR系列射頻開關
隨著5G技術的不斷發(fā)展，終端設備廠商也在不斷加強智能化的產品設計開發(fā)，在射頻鏈路上對開關的要求也越來越高。AW135xxTQNR系列射頻開關采用了國產RF SOI工藝，具有低插損、
激光焊接技術焊接黃銅的工藝特點
的工藝特點。 激光焊接技術焊接黃銅的工藝特點： 1.高效穩(wěn)定， 激光焊接機焊接黃銅可以實現(xiàn)高效穩(wěn)定的焊接效果。由于激光束的能量密度高，可以快
碳化硅功率器件的實用性不及硅基功率器件嗎
碳化硅功率器件的實用性不及硅基功率器件嗎? 碳化硅功率器件相較于傳統(tǒng)的硅基功率器件具有許多優(yōu)勢，
碳化硅功率器件的特點和應用現(xiàn)狀
隨著電力電子技術的不斷發(fā)展，碳化硅（SiC）功率器件作為一種新型的半導體材料，在電力電子領域的應用越來越廣泛。與傳統(tǒng)的硅功率器件相比，碳化硅功率器件具有高效率、
功率開關IN3251G產品特點介紹
IN3251G是一款集成高壓GaNFET功率器件高頻高性能準諧振式交直流轉換功率開關， 應用于27W內高性能、低待機功率、低成本、高效率的隔離型反激式
工商網監(jiān)
評論