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      IGBT基本工作原理

      工程師 ? 來源：網(wǎng)絡(luò)整理 ? 作者：h1654155205.5246 ? 2019-04-24 15:38 ? 次閱讀

      IGBT的工作原理

      IGBT由柵極（G）、發(fā)射極（E）和集電極（C）三個極控制。如圖1，IGBT的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP晶體管提供基極電流，使IGBT導通。反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT關(guān)斷。由圖2可知，若在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動正電壓，則MOSFET導通，這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導通;若IGBT的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V，則MOSFET截止，切斷PNP晶體管基極電流的供給，使得晶體管截止。

      　IGBT的工作原理

      圖1 IGBT 結(jié)構(gòu)圖

      　IGBT的工作原理

      圖2 IGBT電氣符號（左）與等效的電路圖（右）

      如果IGBT柵極與發(fā)射極之間的電壓，即驅(qū)動電壓過低則IGBT不能穩(wěn)定的工作，如果過高甚至超過柵極—發(fā)射極之間的耐壓，則IGBT可能會永久損壞。同樣，如果IGBT集電極與發(fā)射極之間的電壓超過允許值，則流過IGBT的電流會超限，導致IGBT的結(jié)溫超過允許值，此時IGBT也有可能會永久損壞。

      聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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