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Turnkey時代逐漸遠(yuǎn)去,瑞芯微公布“世界杯”發(fā)展計劃迎接AIoT新時代

荷葉塘 ? 來源:電子發(fā)燒友 ? 作者:程文智 ? 2019-04-26 17:07 ? 次閱讀
自2016年開始,瑞芯微電子(簡稱“瑞芯微”)舉辦每年一度的“瑞芯微之春(夏)”技術(shù)開發(fā)者大會,介紹公司最新動態(tài),開展廣泛的技術(shù)交流,為對接下游客戶需求提供了良好的渠道。今年4月23日,以“智享芯未來”為主題的第四屆瑞芯微開發(fā)者大會在福州舉行,瑞芯微董事長兼CEO勵民認(rèn)為,Turnkey的時代正在逐漸遠(yuǎn)去,瑞芯微將會與所有的合作伙伴一起共同迎接和建設(shè)產(chǎn)業(yè)互聯(lián)網(wǎng)/AIoT的新時代。
他同時還公布了瑞芯微根據(jù)世界杯的周期定制的瑞芯微“世界杯”發(fā)展計劃,其第一個世界杯計劃是2002年日韓世界杯,也就是瑞芯微2001年創(chuàng)立到2004年的四年計劃,當(dāng)時的業(yè)務(wù)重點是復(fù)讀機/收音機主控芯片;隨后的2006年“世界杯”計劃是MP4核心芯片;……今年,他們公布了2018年的“世界杯”計劃,那就是拓寬跑道,在深耕AP的同時,發(fā)展光電芯片、MCU、電源、連接芯片,以多產(chǎn)品矩陣迎接產(chǎn)業(yè)物聯(lián)網(wǎng)/AIoT時代的來臨。
圖1:瑞芯微高級副總裁陳鋒。
對此,瑞芯微高級副總裁陳鋒也非常贊同,“在AIoT時代,終端應(yīng)用將會很分散,不可能像以前那樣抓住一個‘爆品’應(yīng)用,因此,我們需要打造一個產(chǎn)品矩陣來應(yīng)對AIoT時代的挑戰(zhàn)?!?/div>
瑞芯微的“新跑道”
在此次開發(fā)者大會上,瑞芯微大秀肌肉,展示了他們未來四年的計劃和產(chǎn)品規(guī)劃。其中最為重要的改變就是大大拓寬了產(chǎn)品線,與在平板電腦時代,以AP產(chǎn)品為主線外,還加入了電源管理、無線連接、MCU和針對客戶需求的半定制ASIC產(chǎn)品線。此外,還布局了手機周邊的配套應(yīng)用,在與國內(nèi)手機大客戶合作的過程中,形成了多品類芯片,涵蓋了電源、電池、語音等應(yīng)用;其HDR、夜景、視頻處理等算法在國內(nèi)部分品牌的旗艦手機中得到了采用。
圖2:瑞芯微現(xiàn)在的產(chǎn)品線。
負(fù)責(zé)芯片研發(fā)的瑞芯微副總裁李詩勤表示,“瑞芯微現(xiàn)在的AP,跟大家熟悉的傳統(tǒng)AP是不同的,過去瑞芯微主要做平板電腦和電視盒子。而未來的瑞芯微AP將會主要針對一些新興市場,比如AIoT行業(yè)應(yīng)用,這里包括新零售、汽車電子、智能安防、工業(yè)控制、智慧商顯等智能物聯(lián)硬件。“
電源管理芯片,以前主要是跟瑞芯微的AP搭配使用,但現(xiàn)在,已經(jīng)擴展到了快充、無線充電和電池保護(hù),甚至未來將會進(jìn)入電動類產(chǎn)品中。
值得一提的是,瑞芯微從去年開始布局無線連接方面的產(chǎn)品,現(xiàn)在已經(jīng)推出單獨的WiFi產(chǎn)品,計劃今年會推出藍(lán)牙和WiFi+藍(lán)牙的Combo產(chǎn)品。
在MCU方面,據(jù)李詩勤介紹,瑞芯微將會從低功耗MCU和高壓MCU兩個細(xì)分市場切入,低功耗MCU產(chǎn)品將會采用ArmRISC-V架構(gòu)。
2019年新產(chǎn)品布局
談到芯片設(shè)計,總是會繞不開工藝節(jié)點問題。在李詩勤看來,瑞芯微一直是一個在工藝上敢于吃螃蟹的公司,他們在2011年就有28nm工藝的芯片進(jìn)行了量產(chǎn)。當(dāng)然,他也強調(diào)瑞芯微雖然追求新工藝,也不“討厭“舊工藝?,F(xiàn)在瑞芯微還有些產(chǎn)品使用的是40nm工藝,這主要還是看功耗和成本的平衡。
圖3:瑞芯微AP芯片產(chǎn)品的工藝演進(jìn)路線。
他舉例說,瑞芯微去年開始推出了22nm的FDSOI工藝人工智能芯片RK1808和RK3399PRO,在這兩個平臺上取得了不錯的性能和功耗平衡。
而去年下半年開始,瑞芯微著手進(jìn)行了14nm和8nm工藝的研發(fā),從目前的樣片測試情況來看,14nm工藝的產(chǎn)品相對于目前主流的28nm工藝產(chǎn)品來說,功耗降低了35%,性能提升了25%左右。今年第四季度,瑞芯微將會推出一款基于14nm的新一代智能視覺處理器產(chǎn)品RV1109。
圖4:瑞芯微新一代智能視覺處理器RV1109主要性能指標(biāo)。
對于去年下半年開始準(zhǔn)備的8nm產(chǎn)品開發(fā),馬上也要出成果了。那就是預(yù)計明年第一季度將會推出的RK3399的下一代產(chǎn)品RK3588。
圖5:瑞芯微新一代旗艦應(yīng)用處理器RK3588的主要性能參數(shù)。
做SoC芯片,還有一個繞不開的核心技術(shù),那就是IP,瑞芯微憑借著這些年在軟件、算法和芯片設(shè)計上的積累,全面布局各種IP。
圖6:瑞芯微視頻編解碼IP研發(fā)方向。
首先是視頻編解碼。瑞芯微在最新的視頻編解碼器上,從用戶的主觀感受入手,在細(xì)節(jié)質(zhì)量上做了非常大的提升,包括自適應(yīng)的編解碼,碼率的穩(wěn)定性,以及在超低碼率上的編解碼質(zhì)量等?!坝捎谖覀儾捎昧硕嗪说脑O(shè)計架構(gòu),未來我們將很容易升級到8K@60FPS的編碼。在現(xiàn)在的設(shè)計中,我們已經(jīng)充分考慮了即將到來的8K的需求?!崩钤娗谡f。
在標(biāo)準(zhǔn)方面,除了支持H.265、H.264、VP9、AVS2、AV1等標(biāo)準(zhǔn)外,未來將會增加支持AVS3和H.266標(biāo)準(zhǔn)。對應(yīng)的新產(chǎn)品是新一代機頂盒芯片RK3530。
圖7:新一代機頂盒芯片RK3530主要性能參數(shù)。
其次,在影像及神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)處理IP研發(fā)方向上也有了更新?!皻v時一年多,通過我們算法、應(yīng)用和IC設(shè)計多個團(tuán)隊的合作,根據(jù)我們過去的算法研究經(jīng)驗和產(chǎn)品的需求,從頭開始定義,精心打造出了最新一代的ISP IP。特別是我們的HDR算法。”李詩勤在演講中表示。
圖8:瑞芯微在影像及神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)處理IP方面的研發(fā)方向。
在神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)處理單元上的研發(fā),瑞芯微也取得了不少的成就。李詩勤認(rèn)為未來NPU在AP里面將會像CPUGPU一樣不可或缺。“我們自己設(shè)計的NPU,具有可配置的運算能力,從1Tops到8Tops,甚至更高,全部的運算單元可擴展,可配置。支持INT8/INT16/FP16,能滿足不同的場景應(yīng)用,未來還會擴展到INT4。”
此外,瑞芯微還自研了完整的工具鏈,可以兼容市面上流行的可用框架,讓客戶能夠很容易做模型設(shè)計和訓(xùn)練。李詩勤表示,未來瑞芯微將會對現(xiàn)在的架構(gòu)進(jìn)行優(yōu)化,提供面向功能的專用NPU。他解釋說,就是讓NPU可以跟影像處理ISP、視頻編解碼器等進(jìn)行無縫對接。
這些IP將會集成進(jìn)RV1108、RV1109,以及RK3530產(chǎn)品內(nèi)。
圖9:電源芯片技術(shù)發(fā)展方向。
李詩勤認(rèn)為,電源芯片是瑞芯微除了AP之外,非常重要的一個產(chǎn)品線。到目前為止,其電源芯片出貨量已經(jīng)超過1億顆,其中快充控制芯片RK825超過了5千萬顆,不良率低于20ppm。
陳鋒也認(rèn)為電源芯片是瑞芯微非常有成長潛力的一個產(chǎn)品線,除了原有的跟AP配套之外,瑞芯微在應(yīng)用方向上進(jìn)行了比較大的拓展,“將會有電池管理、快充、無線充電、系統(tǒng)整合的電源方案,包括結(jié)構(gòu)光的電源管理,屏下指紋電源管理等。其中有些產(chǎn)品正在工程送樣中。”
未來,瑞芯微電源芯片的發(fā)展方向有兩個:一是大功率,一是低功耗。大功率電源芯片,支持正負(fù)36V電壓輸出。目前已經(jīng)設(shè)計好的有正負(fù)15V電壓輸出,還有利用多相并聯(lián)技術(shù)去設(shè)計大電流的產(chǎn)品,最高可以達(dá)到12A。
低功耗MCU產(chǎn)品線,自然少不了低功耗電源模塊的支持。目前瑞芯微微安級待機功耗的DCDC產(chǎn)品和納安級待機功耗的LDO產(chǎn)品。
圖10:瑞芯微無線連接技術(shù)研發(fā)路線。
在無線連接芯片方面,瑞芯微目前有支持WLAN 802.11.b/g/n的RK912,已在小批量出貨中了。還有即將推出的無線MCU芯片RK2206,將主要面向低端語音控制和IoT應(yīng)用。預(yù)計明年將會有更多的集成了WiFi和藍(lán)牙的MCU芯片上市。
圖11:瑞芯微新產(chǎn)品RK2206主要參數(shù)及量產(chǎn)時間。
圖12:瑞芯微的低功耗MCU技術(shù)研發(fā)方向。
對于MCU產(chǎn)品線,瑞芯微從超低功耗MCU切入,在工藝平臺上,使用22nm FDSOI工藝的MCU芯片電壓低至0.5~0.65V,“考慮到性價比,我們也會采用40nm ULP工藝,在該工藝平臺下,電壓低至0.8V,待機功耗可以做到跟22nm相同的數(shù)量級?!崩钤娗谠谘葜v中表示。
為了獲得超低功耗,瑞芯微的MCU產(chǎn)品采用了智能功耗控制技術(shù),及自適應(yīng)的時鐘關(guān)斷和電流關(guān)斷技術(shù),同時通過數(shù)據(jù)壓縮技術(shù),來減少跟外界數(shù)據(jù)的頻繁交換,大大降低系統(tǒng)的功耗。此外,在22nm工藝下有一個體偏置(Body Bias)的智能控制技術(shù)。“我們在今年的一些芯片里,已經(jīng)采用了。與不使用體偏置技術(shù)相比,使用后,操作電壓低于0.5V,動態(tài)功耗降低接近40%,總功耗降低35%?!崩钤娗谥赋觥?/div>
圖13:瑞芯微高壓MCU研發(fā)方向。
在高壓MCU研發(fā)方向上,“55nm BCD工藝是我們未來的選擇方向,選擇該工藝的原因是它有比較好的功耗和成本優(yōu)勢?!崩钤娗诮忉屨f。
未來
在本次技術(shù)開發(fā)者大會上,瑞芯微董事長兼CEO勵民在最后對瑞芯微的未來發(fā)展做了展望,他表示,瑞芯微將會秉持開放合作的態(tài)度,與合作伙伴一起做好產(chǎn)品。堅持在“大音頻、大感知、大視頻和大軟件”領(lǐng)域不斷推進(jìn),爭取做出世界一流的產(chǎn)品。如果客戶愿意做出世界一流的終端產(chǎn)品,瑞芯微也很愿意一直陪伴。
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