UTC 4N60是一個高電壓MOSFET ,并設(shè)計成有更好的特性,如快速開關(guān)時間,低門電荷,低通態(tài)電阻,并具有高耐用雪崩的特點。這個功率MOSFET通常用在高速開關(guān)電源中的應(yīng)用, PWM馬達控制,高高效率的DC -DC轉(zhuǎn)換器和電橋電路。4n60一般有耗盡型和強化型兩種。
特征:
1、4A,600V, RDS(on)=2.5Ω@Vgs=10V
2、極低柵電荷,典型15nC
3、極低反向轉(zhuǎn)換電容;典型8pF
4、快速開關(guān)能力
5、增強的dV/di能力
6、100%雪崩擊穿測試
7、封裝型式:TO-220/TO-220F
8、最大結(jié)溫 150 ℃
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