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快訊:臺積電擴大開放創(chuàng)新平臺,可在4小時內驗證5nm芯片

h1654155971.8456 ? 來源:lq ? 2019-05-16 15:28 ? 次閱讀

01

2019 年一季度手機市場成績單出爐:華為超越蘋果,成為全球第二

「超越蘋果、三星,成為全球第一?!惯@個目標對于華為來說已經不止提了一次。而在剛過去的一個季度中,華為則已近完成了該目標的一半。

根據 IDC 近日發(fā)布的 2019 年第一季度全球智能手機統(tǒng)計,華為在該季度出貨量已經超越了蘋果,位列第二。

看點

02

臺積電擴大開放創(chuàng)新平臺,可在4小時內驗證5nm芯片

借助臺積電這一平臺,各大設計公司的生產力將進一步提高。

在代工工藝上走在前列的臺積電又傳出了新的動作,最近它宣布其開放創(chuàng)新平臺(Open Innovation Platform,OIP)云端聯(lián)盟將進一步擴大,因明導國際(Mentor)加入了這支由亞馬遜云端服務(AWS)、益***際計算機科技Cadence)、微軟Azure(Microsoft Azure)和新思科技(Synopsys)等企業(yè)組成的隊伍中。

看點

03

三星智能手機顯示屏新專利曝光 有望迎來環(huán)繞屏

近日,一項名為 " 具有多塊顯示屏的電子設備及其控制方法 "的三星顯示屏新專利曝光。

外媒notebookcheck 5月4日報道,該專利于2016年向世界知識產權局(WIPO)提交,但直到2019年4月才出現(xiàn)在該機構的公共數(shù)據庫中。

由LetsGoDigital發(fā)現(xiàn)的與該文檔相關的圖像表明,該專利是很久以前在Galaxy S6系列中首次出現(xiàn)的Edge技術的合理延伸。

看點

04

安兔兔4月安卓好評榜公布:三星Note 9第一 Mate 20 X第十

其中三星Galaxy Note 9以97%的好評率位居榜首,魅族16th、三星Galaxy S9+、小米8透明探索版以96%的好評率并列第二,魅族16th Plus以95%好評率位居第五名。

上述手機均是2018年推出的旗艦產品,其中小米8透明探索版(發(fā)布時間是5月31日)、三星Galaxy S9+是2018年上半年推出的旗艦,三星Galaxy Note 9、魅族16th、魅族16th Plus是2018年下半年推出的旗艦。

第6-10名分別是一加6、OPPO Find X、小米9、三星Galaxy S10+、華為Mate 20 X等。其中一加6、OPPO Find X搭載的是高通驍龍845移動平臺,發(fā)布于2018年;華為Mate 20 X搭載麒麟980處理器,小米9、三星Galaxy S10+發(fā)布于2019年上半年,搭載的是高通驍龍855旗艦平臺(部分版本三星Galaxy S10+搭載Exynos 9820)。

看點

05

蘋果新專利:QLEDOLED合體

iPhone的顯示屏幕是成本最高的組件,而在顯示屏采購環(huán)節(jié),蘋果不得不面對受制于高端AMOLED面板唯一供應商三星顯示的窘境,所以在顯示技術領域,蘋果的投資策略一直非常積極,一方面希望扶持能夠抗衡三星的新供應商,一方面在前沿顯示技術上,也在大手筆的進行專利研發(fā)。

據iDropNews 報道,蘋果最近申請通過了一項新的專利,據美國商標和專利局最新的專利清單顯示,該專利名稱為:“Quantum dot LED(QLED)和 OLED 集成于顯示器”。

看點

06

臺積電6nm制程工藝將至,明年Q1試產!

雖然Intel在10nm工藝上卡殼了,但是它的對手們卻是突飛猛進,勢如破竹;比如臺積電,前腳才剛宣布5nm EUV工藝試產,后腳又來了個6nm(N6)工藝官宣。

周知,目前臺積電7nm工藝有兩個版本,第一代采用傳統(tǒng)DUV光刻技術,第二代則是首次加入EUV極紫外光刻,已進入試產階段,預計下一代蘋果A、華為麒麟都會用。

而新的6nm工藝也有EUV極紫外光刻技術,聲稱相比第一代7nm工藝可以將晶體管密度提升18%,同時設計規(guī)則完全兼容第一代7nm,便于升級遷移,降低成本。

看點

07

國內存儲大廠欲破國際技術“時差”,64層技術直跳128層!

國內首家 NAND Flash 大廠長江存儲的新一代 64 層 3D NAND 芯片即將在 8 月投產,這個時間點加入全球存儲競賽堪稱是“最混亂的時代”,但也可視為是“最佳入局的時間點”。

因為 NAND Flash 價格從緩跌到重挫,逼得三星電子(Samsung Electronics)放出不再降價的信息,更讓美光(Micron)祭出多年罕見的減產策略,未來長江存儲的猛烈追趕,將帶給全球存儲世界什么樣的震撼?

長江存儲在 2018 年成功研發(fā) 32 層 3D NAND 芯片后,進一步規(guī)劃在 2019 年 8 月開始生產新一代的 64 層 3D NAND 芯片,等于宣告加入全球 NAND Flash 戰(zhàn)局,對比今年三星、SK海力士(SK Hynix )進入 90 層 3D NAND 芯片生產,長江存儲追趕世界大廠的步伐又大幅邁進一步。

32 層 3D NAND 芯片的研發(fā)成功對于長江存儲而言,只是練兵意義,真正要上戰(zhàn)場打仗的技術,絕對是 2019 年即將亮相的 64 層 3D NAND芯 片,目前的良率進度如期,預計 8 月可進入生產。

看點

08

官宣!郭臺銘十天后“退休”,鴻?;驅⒉捎萌A為輪值事長模式

郭臺銘5月7日在記者會上表示鴻海新董事長將會在本月10號誕生,還稱只要是鴻海董事就有機會擔任董事長,但至于具體是誰,則要由董事會來決定,自己不能在董事會前宣布人選。

這無疑是證實了此前關于郭臺銘將辭去鴻海董事長一職的傳聞,此前路透社曾報道稱,臺灣鴻海董事長郭臺銘將計劃在未來幾個月內辭去董事長一職。

看點

09

ASML商業(yè)竊密案勝訴:獲賠57億 三星涉嫌

ASML于5月4日發(fā)表聲明指出,加州圣克拉拉市法院判決XTAL竊取ASML商業(yè)機密一案,ASML獲得勝訴。加州高等法院判給ASML 8.45億美元(約合57.4億人民幣)賠償及臨時禁制令,并接手已破產的XTAL的大部分知識產權。

法院裁定ASML獲賠償?shù)?.45億美元遠高于2018年底通過中段判決的2.23億美元。ASML發(fā)言人強調,因為涉及的不僅僅是公司的損失。“這個賠償數(shù)額是各種因素的組合。法院已經研究了XTAL不開發(fā)自身產品而節(jié)省的成本,以及ASML本身的收入損失等等?!?/p>

看點

10

華為助卡塔爾沃達豐完成中東首次實時5G通話

據外媒消息,卡塔爾沃達豐和華為已于近期達成了一項戰(zhàn)略協(xié)議,將大幅擴張和增強卡塔爾沃達豐的整個無線網絡基礎設施,包括大規(guī)模推出5G技術。

根據這項協(xié)議,兩家處于數(shù)字創(chuàng)新前沿的行業(yè)領袖將攜手加速卡塔爾的數(shù)字轉型,以實現(xiàn)該國的經濟增長目標。

卡塔爾沃達豐首席執(zhí)行官Sheikh Hamad Abdulla Jassim al-Thani說:“卡塔爾沃達豐與華為的進一步合作將支持卡塔爾成為全球智能城市和數(shù)字經濟發(fā)展領導者的愿景。華為在5G技術標準化方面現(xiàn)在正處于全球領先地位,與華為的5G合作將加快新一代技術的轉型,這些技術將支持智能城市、人工智能和其他應用。”

華為公司中東地區(qū)部總裁楊友桂表示:“華為致力于與沃達豐合作,推動數(shù)字創(chuàng)新,利用5G的大規(guī)模商業(yè)推廣來共同構建成熟的5G生態(tài)系統(tǒng),共享成功,促進社會進步?!?/p>

看點

11

AMD宣布聯(lián)合Cray打造世界最強超算Frontier

AMD今天宣布聯(lián)合Cray公司,基于EPYC霄龍?zhí)幚砥鳎╖en 3或Zen 4架構)、Radeon Instinct加速卡、ROCm開源軟件三大平臺,為美國能源部橡樹嶺實驗室打造有史以來性能最強的超級計算機“Frontier”,峰值運可達每秒1.5 exaflops(百億億次)。

據悉, 每個節(jié)點上CPUGPU通信為定制化的Infinity Fabric互聯(lián)技術,可達到高帶寬、低時延。

AMD表示,這臺超算將于2021年交付,占地兩個籃球場,據說價格9位數(shù)美元。幫助ORNL的研究人員利用前所未有的計算能力和下一代人工智能技術來搭建、模擬和提高對天氣科學、亞原子結構科學、基因組學、物理學和其他重要科學領域現(xiàn)象的理解。

看點

12

12.華為新全面屏手機專利曝光:額頭采用圓頂設計

根據外媒LetsgoDigital的報道,華為一款全面屏專利曝光,為了解決前置攝像頭難題,華為采用了額頭采用圓頂設計。

手機頂部略呈圓形,這意味著有足夠的空間將自拍相機和感應元件放在中間。手機后置雙攝像頭,中間有一個閃光燈,還搭載了后置指紋,底部提供3.5mm耳機孔。

外媒預計,華為(或榮耀)很有可能打算在2019年的某個時間推出這款手機。

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原文標題:國內存儲大廠欲破國際技術“時差”,64層技術直跳128層!郭臺銘即將退休|last week review

文章出處:【微信號:eda365wx,微信公眾號:EDA365電子論壇】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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