紫光240億美元!成都建3D NAND Flash廠

6月26，根據(jù)紫光官方消息，紫光集團(tuán)聯(lián)席總裁王慧軒在接受采訪時(shí)表示，紫光在四川布局宏大，總投資將超過2000億元，主要包括服務(wù)器芯片、安全芯片、存儲(chǔ)芯片和移動(dòng)通訊相關(guān)芯片的研發(fā)，建設(shè)周期將長(zhǎng)達(dá)3-5年。

目前正在建設(shè)的存儲(chǔ)3D NAND Flash廠，一期建設(shè)完畢后會(huì)有一個(gè)月10萬片產(chǎn)能，三期全部完工后每月產(chǎn)能30萬片。

紫光成都存儲(chǔ)芯片項(xiàng)目于2018年10月中旬動(dòng)工，預(yù)計(jì)2020年12月主體完工，該項(xiàng)目占地面積約1200畝，總投資達(dá)240億美元，將建設(shè)12寸3D NAND存儲(chǔ)器晶圓生產(chǎn)線，并開展存儲(chǔ)器芯片及模塊、解決方案等關(guān)聯(lián)產(chǎn)品的研發(fā)、制造和銷售。

與此同時(shí)，紫光集團(tuán)旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)將在今年下半年正式推出自研的Xtacking 2.0技術(shù)，并在年底前量產(chǎn)64層3D NAND，規(guī)劃在2020年跳過96層3D NAND技術(shù)進(jìn)入128層3D NAND階段，進(jìn)一步縮小和世界存儲(chǔ)大廠的差距。