當(dāng)前半導(dǎo)體制程微縮已經(jīng)來到10納米節(jié)點(diǎn)以下,EUV極紫外光光刻技術(shù)已成為不可或缺的設(shè)備,包括現(xiàn)在的7納米制程,以及未來5納米、3納米甚至2納米制程都將采用該技術(shù)。
藉由EUV設(shè)備導(dǎo)入,不僅可以加快生產(chǎn)效率、提升良率,還能降低成本,除了晶圓代工業(yè)者積極導(dǎo)入,連DRAM存儲器生產(chǎn)廠商也考慮引進(jìn)。
為了因應(yīng)制程微縮的市場需求,全球主要生產(chǎn)EUV設(shè)備的廠商ASML正積極開發(fā)下一代EUV設(shè)備,就是High-NA(高數(shù)值孔徑)EUV產(chǎn)品,預(yù)計幾年內(nèi)就能正式量產(chǎn)。
根據(jù)韓國媒體《ETNews》報導(dǎo),High-NA的EUV設(shè)備與目前EUV設(shè)備的最大不同點(diǎn),在于使用EUV曝光時,透過提升透鏡解析度,使解析度(resolution)和微影疊對(overlay)能力比現(xiàn)行EUV系統(tǒng)提升70%,達(dá)到業(yè)界對幾何式芯片微縮(geometric chip scaling)的要求。
ASML利用德國蔡司半導(dǎo)體業(yè)務(wù)部門的技術(shù)提升透鏡解析度,就為了此目的,ASML于2016年正式收購了德國蔡司半導(dǎo)體業(yè)務(wù)部門24.9%股權(quán)。
針對下一代High-NA的EUV產(chǎn)品,ASML之前也已從3個主要客戶取得4臺訂單,并售出8臺High-NA EUV產(chǎn)品的優(yōu)先購買權(quán)。這些訂單中,晶圓代工龍頭臺積電也是其中之一。
事實(shí)上,2018年時,臺積電就宣布增加3億美元資本支出,為下一代EUV設(shè)備的預(yù)付款,也就是已預(yù)購新一代High-NA的EUV設(shè)備。針對新一代High-NA EUV設(shè)備,ASML預(yù)計2025年正式量產(chǎn)。
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