富士通FRAM已經(jīng)能夠滿足智能表計應(yīng)用的各類需求,但富士通已投入開發(fā)與試產(chǎn)下一代高性能存儲產(chǎn)品——NRAM。NRAM是富士通與Nantero公司協(xié)議授權(quán)后,共同打造的下一代顛覆性新型存儲器,因為它同時繼承了FRAM的高速寫入、高讀寫耐久性,又具備與NOR Flash相當(dāng)?shù)拇笕萘颗c造價成本,并實現(xiàn)很低的功耗。以智能表計方案為例,使用一個NRAM就可以替代電、水、氣、熱表中的Flash、FRAM和EEPROM等所有存儲單元,不僅減少了存儲器的使用數(shù)量,也有利于系統(tǒng)工程師簡化設(shè)計上的難度。
圖7:基于富士通NRAM可簡化智能表計方案設(shè)計
作為NRAM的第一代產(chǎn)品,16Mbit的DDR3 SPI接口產(chǎn)品最快將于2020年底上市,勢必引發(fā)存儲行業(yè)的新一輪變革。馮逸新自信地表示:“NRAM既繼承了FRAM的高性能,又具有替換NOR Flash大容量的特點,我們堅信這必將是一個劃時代的存儲器解決方案!”
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