IGBT半導(dǎo)體與MOS管、三極管的區(qū)別
我們就從常見的開關(guān)說起，這邊給他接一個電源，右邊接一個負(fù)載，然后不停的開關(guān)這個開關(guān)，那么這個負(fù)載上的....
功率半導(dǎo)體器件IGBT結(jié)溫測試方法
功率循環(huán)試驗中最重要的是準(zhǔn)確在線測量結(jié)溫，直接影響試驗結(jié)果和結(jié)論。比較總結(jié)了各種溫度測量方法的一致性....
IGBT失效原因分析
超出關(guān)斷安全工作區(qū)引起擎住效應(yīng)而損壞擎住效應(yīng)分靜態(tài)擎住效應(yīng)和動態(tài)擎住效應(yīng)。IGBT為PNPN4層結(jié)構(gòu)....
變頻器的制動單元和逆變部分的續(xù)流二極管不是矛盾了嗎？
通過制動單元外接制動電阻，該方式配合母線電壓檢測。當(dāng)電機(jī)迅速停機(jī)時，電機(jī)繞組上的能量會通過逆變側(cè)的反....
什么是IGBT的退飽和？什么情況下IGBT會進(jìn)入退飽和狀態(tài)？
如下圖，是IGBT產(chǎn)品典型的輸出特性曲線，橫軸是C，E兩端電壓，縱軸是歸一化的集電極電流?？梢钥吹絀....
mos管是不是三極管?
場效應(yīng)晶體管是由p型和n型兩部分組成。當(dāng)給pn結(jié)加上正向電壓時，由于p區(qū)中的空穴由n區(qū)注入到pn結(jié)電....
IGBT模塊常規(guī)測量以及故障維修方法
將萬用表撥在R×10KΩ擋，用黑表筆接IGBT的集電極(C)，紅表筆接IGBT 的發(fā)射極(E)，此時....
P溝道和N溝道MOSFET在開關(guān)電源中的應(yīng)用
由于具有較低的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）和較小尺寸，N溝道MOSFET在產(chǎn)品選擇上超過了P溝道。在降....
工商網(wǎng)監(jiān)