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UnitedSiC

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2022年全球電動(dòng)汽車銷量達(dá)到1000萬輛

去年全球電動(dòng)汽車銷量激增,主要受中國和歐洲的強(qiáng)勁增長所推動(dòng),為遭受經(jīng)濟(jì)放緩、高通脹和生產(chǎn)干擾等因素影....
的頭像 UnitedSiC 發(fā)表于 01-31 09:36 ?980次閱讀

中國2022年汽車銷量增長2.1% 電動(dòng)汽車銷量超日本新車銷量

統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示,2022年全年乘用車銷量為2356.3萬輛,比上年增長9.5%。其中,電動(dòng)汽車和插電式....
的頭像 UnitedSiC 發(fā)表于 01-16 10:31 ?936次閱讀

如何在數(shù)千瓦電壓下實(shí)現(xiàn)99.3%以上的效率

交流輸入電源的設(shè)計(jì)師必須竭力滿足許多要求,包括功能要求、安全要求和EMC要求等等。他們通常需要進(jìn)行權(quán)....
的頭像 UnitedSiC 發(fā)表于 01-09 09:32 ?503次閱讀

UnitedSiC在追求精益求精的過程中不斷推動(dòng)SiC進(jìn)步

今天的開關(guān)選擇多種多樣,IGBT因低導(dǎo)電損耗而受到極大功率應(yīng)用的青睞,MOSFET則憑借能盡量減小相....
的頭像 UnitedSiC 發(fā)表于 01-04 14:33 ?442次閱讀

利用高效的UnitedSiC共源共柵SiC FET技術(shù)實(shí)現(xiàn)99.3%的系統(tǒng)能效

CleanWave200采用UnitedSiC共源共柵FET,能夠在100kHz的頻率下實(shí)現(xiàn)99.3....
的頭像 UnitedSiC 發(fā)表于 12-12 09:25 ?703次閱讀

UintedSiC銀燒結(jié)技術(shù)在碳化硅市場中獨(dú)樹一幟

隨著邏輯晶體管面積不斷減小至亞微米級尺寸,它能以更低的總體成本進(jìn)行更快的運(yùn)行并損耗較低的功率。事實(shí)上....
的頭像 UnitedSiC 發(fā)表于 11-21 10:27 ?898次閱讀

在正確的比較中了解SiC FET導(dǎo)通電阻隨溫度產(chǎn)生的變化

比較SiC開關(guān)的數(shù)據(jù)資料并非易事。由于導(dǎo)通電阻的溫度系數(shù)較低,SiC MOSFET似乎占據(jù)了優(yōu)勢,但....
的頭像 UnitedSiC 發(fā)表于 11-14 09:05 ?947次閱讀

SiC FET的起源和發(fā)展

高頻開關(guān)等寬帶隙半導(dǎo)體是實(shí)現(xiàn)更高功率轉(zhuǎn)換效率的助力。SiC FET就是一個(gè)例子,它由一個(gè)SiC JF....
的頭像 UnitedSiC 發(fā)表于 11-11 09:13 ?997次閱讀

SiC FET性能和優(yōu)勢及起源和發(fā)展介紹

高頻開關(guān)等寬帶隙半導(dǎo)體是實(shí)現(xiàn)更高功率轉(zhuǎn)換效率的助力。SiC FET就是一個(gè)例子,它由一個(gè)SiC JF....
的頭像 UnitedSiC 發(fā)表于 11-11 09:11 ?1357次閱讀

SiC FET器件的特征

寬帶隙半導(dǎo)體是高效功率轉(zhuǎn)換的助力。有多種器件可供人們選用,包括混合了硅和SiC技術(shù)的SiC FET。....
的頭像 UnitedSiC 發(fā)表于 10-31 09:03 ?938次閱讀

UnitedSiC FET-Jet計(jì)算器成為更好的器件選擇工具

UnitedSiC FET-Jet計(jì)算器讓為功率設(shè)計(jì)選擇SiC FET和SiC肖特基二極管變得輕而易....
的頭像 UnitedSiC 發(fā)表于 10-11 09:03 ?775次閱讀

UnitedSiC FET-Jet計(jì)算器讓功率設(shè)計(jì)選擇FET和SiC變得輕而易舉

該工具可以立即計(jì)算出整體效率、動(dòng)態(tài)和導(dǎo)通導(dǎo)致的組件功耗以及電流應(yīng)力水平;甚至可以指定并聯(lián)器件、多個(gè)轉(zhuǎn)....
的頭像 UnitedSiC 發(fā)表于 10-11 09:00 ?639次閱讀