,因此需要進(jìn)行嚴(yán)格的測(cè)試和檢測(cè),以確保其可靠性和穩(wěn)定性。 一、場(chǎng)效應(yīng)管的類型 場(chǎng)效應(yīng)管有兩種類型:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管(N-channel FET)和P溝道場(chǎng)效應(yīng)管(P-channel FET)。這兩種類型的場(chǎng)效應(yīng)管具有相似的結(jié)構(gòu)和工作原理,但具有不同的尺寸和性能特征,
2023-09-02 11:31:241117 n溝道增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管 n溝道增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管,又稱nMOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor),是一種非常
2023-09-02 10:05:25540 場(chǎng)效應(yīng)管怎么區(qū)分n溝道p溝道? 場(chǎng)效應(yīng)管是一種常見(jiàn)的半導(dǎo)體器件,可以用于電子器件中的信號(hào)放大、開(kāi)關(guān)等應(yīng)用。場(chǎng)效應(yīng)管有兩種類型:n溝道型(n-channel)和p溝道型(p-channel),它們
2023-09-02 10:05:172277 下圖是一個(gè)由 RC 電路和 P 溝道場(chǎng)效應(yīng)管組成的延時(shí)關(guān)機(jī)電路
2023-08-14 17:02:13732 NDS9410A N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 using Fairchild Semiconductor’s advancedPowerTrench process that has been
2008-05-14 23:50:14
根據(jù)提問(wèn)者的意思,N溝道場(chǎng)效應(yīng)管柵極(G極)電壓是否可以大于漏極(D極)電壓?為什么?
2023-05-09 09:06:061529 在本文中,我們將學(xué)習(xí)如何使用 P溝道和 N 溝道 MOSFET 構(gòu)建通用全橋或 H 橋 MOSFET 驅(qū)動(dòng)電路,該電路可用于制造電機(jī)、逆變器和許多不同的功率轉(zhuǎn)換器的高效驅(qū)動(dòng)電路。
2023-04-29 09:35:003287 場(chǎng)效應(yīng)管電機(jī)驅(qū)動(dòng)-MOS管H橋原理所謂的H 橋電路就是控制電機(jī)正反轉(zhuǎn)的。下圖就是一種簡(jiǎn)單的H 橋電路,它由2 個(gè)P型場(chǎng)效應(yīng)管Q1、Q2 與2 個(gè)N 型場(chǎng)效應(yīng)管Q3、Q3 組成,所以它叫P
2023-03-17 15:26:051 金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類, P溝道硅MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管在N型硅襯底上有兩個(gè)P+區(qū),分別叫做源極和漏極,兩極之間不通導(dǎo),柵極上加有足夠的正電壓(源極接地)時(shí),柵極下的N型硅表面呈現(xiàn)P型反型層,成為連接源極和漏極的溝道。
2023-02-23 17:00:0419477 下圖是一個(gè)由 RC 電路和 P 溝道場(chǎng)效應(yīng)管組成的延時(shí)關(guān)機(jī)電路。
2023-02-15 11:06:401386 純半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能很差,但是可以通過(guò)加入一些特殊的雜質(zhì)增強(qiáng)其導(dǎo)電能力。N型MOSFET會(huì)引入額外可移動(dòng)的負(fù)電荷(電子),此時(shí)為N型(N溝道)參雜,在N型MOSFET中電子為多數(shù)載流子,空穴為少數(shù)
2023-02-11 14:36:372078 QH02N20E200V2AN溝道場(chǎng)效應(yīng)管MOS管
2022-09-14 00:44:250 QH10N10100V7AN溝道場(chǎng)效應(yīng)管MOS管
2022-09-14 00:19:020 QH9N20K200V9AN溝道場(chǎng)效應(yīng)管MOS管
2022-09-14 00:16:070 QH5N20K200V5AN溝道場(chǎng)效應(yīng)管MOS管
2022-09-14 00:12:170 MFB5N10100V7AN溝道場(chǎng)效應(yīng)管MOS管
2022-09-14 00:09:560 SVF4N65FTO-220FN溝道場(chǎng)效應(yīng)管
2021-11-16 15:11:270 全部采用N溝道場(chǎng)效應(yīng)管的推挽功效說(shuō)明。
2021-04-10 09:52:3212 KW25N120E是電磁爐里較常用的一款大功率IGBT管,該管內(nèi)部采用N溝道場(chǎng)效應(yīng)管作為輸入級(jí),具有很高的輸入電阻。
2020-03-14 11:00:2012060 驅(qū)動(dòng)電路由緩沖器U、電阻R2 及1 對(duì)小功率場(chǎng)效應(yīng)對(duì)管Q1 、Q2 組成。當(dāng)控制信號(hào)為低電平時(shí),同向緩沖器U 輸出低電平,使得與+ 9 V 電源相聯(lián)的P 溝道場(chǎng)效應(yīng)管Q2 導(dǎo)通,與地相聯(lián)的N 溝道場(chǎng)效應(yīng)
2012-04-17 15:43:0419066 僅采用四只N溝道場(chǎng)效應(yīng)管的 全橋驅(qū)動(dòng)電路 工作時(shí),在驅(qū)動(dòng)控制Ic的控制下,使V1、V4同時(shí)導(dǎo)通,V2、V3同時(shí)導(dǎo)通,且V1、V4導(dǎo)通時(shí),V2、V3截止,也就是說(shuō),V1、V4與V2、V3是交替導(dǎo)通的,使
2012-04-05 11:32:2816162 是由TTL或CMOS數(shù)字集成電路控制,通過(guò)三極管導(dǎo)通驅(qū)動(dòng)兩只發(fā)光管交替閃爍發(fā)光。
2011-09-28 12:23:521103 兩只燈泡連接的并聯(lián)電路(電路教學(xué)視頻)
2010-08-10 18:45:5867 自偏壓電路 自偏壓用于結(jié)型和耗盡型MOS管放大電路,圖5.2-6示出N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管自偏電路。
2010-04-16 10:24:113712 場(chǎng)效應(yīng)管的分類: 場(chǎng)效應(yīng)管分結(jié)型、絕緣柵型(MOS)兩大類 按溝道材料:結(jié)型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種. 按導(dǎo)電方式:耗盡型與增強(qiáng)型,結(jié)型
2009-11-09 14:27:451300 輸出兩只電壓的整流電路Ⅰ
2009-10-13 16:52:391121 N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理
(1)Ugs對(duì)導(dǎo)電溝道和D i 的控制作用當(dāng)Ugs= 0時(shí),導(dǎo)電溝道未受任何電場(chǎng)的作用,導(dǎo)電溝道最寬,當(dāng)外加U
2009-09-16 09:33:4812377 N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)示意圖及其符號(hào)如圖4-1所示。其中圖4-1a為N溝道JFET的結(jié)構(gòu)示意圖。
2009-09-16 09:31:249452 P溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的主要特性參數(shù)。
2009-08-22 16:05:095005 N 溝道結(jié)型開(kāi)關(guān)場(chǎng)效應(yīng)管的主要特性參數(shù)。
2009-08-22 16:04:392153 CS系列N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管
CS系列結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的主要特性參數(shù)見(jiàn)表16-2 。
2009-08-22 16:01:14970 3DJ系列N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管
3DJ 系列場(chǎng)效應(yīng)管的主要特性參數(shù)見(jiàn)表16-1 。
2009-08-22 16:00:484329 用兩只雙連開(kāi)關(guān)在兩地控制兩盞燈
2007-09-10 09:02:333305 兩只單連開(kāi)關(guān)控制兩盞燈
2007-09-08 08:29:291635
評(píng)論
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