恒流源電路（四款電路圖詳細介紹）

恒流源由信號源和電壓控制電流源（VCCS）兩部分組成。正弦信號源采用直接數(shù)字頻率合成（DDS）技術(shù)，即以一定頻率連續(xù)從EPROM中讀取正弦采樣數(shù)據(jù)，經(jīng)D/A轉(zhuǎn)換并濾波后產(chǎn)生EIT所需的正弦信號。

恒流源電路一：增強型n-MOSFET構(gòu)成基本恒流源電路

下圖是增強型n-MOSFET構(gòu)成的一種基本恒流源電路。為了保證輸出晶體管T2的柵-源電壓穩(wěn)定，其前面就應(yīng)當設(shè)置一個恒壓源。實際上，T1二極管在此的作用也就是為了給T2提供一個穩(wěn)定的柵-源電壓，即起著一個恒壓源的作用。因此T1應(yīng)該具有很小的交流電導(dǎo)和較高的跨導(dǎo)，以保證其具有較好的恒壓性能。T2應(yīng)該具有很大的輸出交流電阻，為此就需要采用長溝道MOSFET，并且要減小溝道長度調(diào)制效應(yīng)等不良影響。

恒流源電路二：BJT構(gòu)成的基本恒流源電路

下圖是用BJT構(gòu)成的一種基本恒流源電路。其中T2是輸出恒定電流的晶體管，晶體管T1就是一個給T2提供穩(wěn)定基極電壓的發(fā)射結(jié)二極管。當然，T1的電流放大系數(shù)越大、跨導(dǎo)越高，則其恒壓性能也就越好。同時，為了輸出電流恒定（即提高輸出交流電阻），自然還需要盡量減小T2的基區(qū)寬度調(diào)變效應(yīng)（即Early效應(yīng)）。另外，如果采用兩個基極相連接的p-n-p晶體管來構(gòu)成恒流源的話，那么在IC芯片中這兩個晶體管可以放置在同一個隔離區(qū)內(nèi)，這將有利于減小芯片面積，但是為了獲得較好的輸出電流恒定的性能，即需要特別注意增大橫向p-n-p晶體管的電流放大系數(shù)。

恒流源電路三

恒流源電路如下圖所示。圖中A是高精度運放，Q1、Q2是功率MOSFET，負載為感性。由NE555P構(gòu)成脈位調(diào)制器，工作于無穩(wěn)態(tài)方式，其振蕩頻率受⑤腳輸入的信號調(diào)制?？刂贫刷菽_加入調(diào)制信號VΩ（該端允許外加0~EC的電壓），使定時器的閾值電平Vth1和觸發(fā)電平Vth2均隨VΩ而變。

定時器電容C2的充電時間和放電時間均受調(diào)制信號VΩ的控制；③腳輸出正脈沖的位置及脈沖寬度將隨調(diào)制信號VΩ的變化而變化，實現(xiàn)脈沖的位置及寬度的雙重調(diào)制。

工作原理

控制電壓Vi經(jīng)R1、R2分壓后加到運放A的輸入端，運放的輸出信號作為NE555P的調(diào)制信號。

NE555P③腳輸出的PWM信號控制Q1，驅(qū)動Q1、Q2交替工作在開關(guān)狀態(tài)；Q1的工作頻率和占空比等于NE555P③腳輸出電壓信號的頻率和占空比。Q2導(dǎo)通時，D處于截止狀態(tài)，直流電壓EC加在D的兩端，經(jīng)LC濾波后對負載供電；Q2截止時，輸入電壓為0，D在回路電感的作用下導(dǎo)通，構(gòu)成續(xù)流回路，D還可以削弱輸出信號電壓從高電平跳變到低電平時在感性負載兩端產(chǎn)生的反電動勢。RS為取樣電阻。所以，控制電壓經(jīng)運放后，控制脈位調(diào)制器輸出脈沖信號的占空比，改變Q1、Q2的開關(guān)時間，從而控制輸出電流的大小。

恒流源電路四

如下圖是一款簡單的恒流源電路圖，在該電路中：當±v，R b2、Rtii和Re被確定之后，c就被確定了，在一定范圍內(nèi)與負載電阻RL的大小無關(guān)，只要使管子的V伸工作在晶體管輸出特性曲線的平坦部分，就可以保持Jc的不變。