IGBT絕緣柵極雙極晶體管過壓保護(hù)電路

IGBT絕緣柵極雙極晶體管過壓保護(hù)電路

IGBT的柵極過壓的原因
1.靜電聚積在柵極電容上引起過壓。
2.電容密勒效應(yīng)引起的柵極過壓。
為防止IGBT的柵極-發(fā)射極過壓情況發(fā)生，應(yīng)在IGBT的柵極與發(fā)射極之間并接一只幾十千歐的電阻，如上圖所示。此電阻應(yīng)盡量靠近柵極與發(fā)射極。

閱讀全文

IGBT(240044) IGBT(240044)

IGBT的驅(qū)動電路及短路保護(hù)

絕緣柵雙極晶體管（以下簡稱IGBT）是一種復(fù)合半導(dǎo)體器件，融合了MOSFET的快速開關(guān)能力、高頻操作、高輸入阻抗、簡單的驅(qū)動電路和有利的熱特性等優(yōu)點(diǎn)，同時還具備了GTR的大電流承載能力和高阻擋電壓等

2023-09-21 14:08:16

544

IGBT 晶體管選型解析

選型IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是電子設(shè)備設(shè)計(jì)中的重要任務(wù)，因?yàn)檎_的IGBT選擇對于設(shè)備性能和可靠性至關(guān)重要。本文將介紹如何選擇適合您應(yīng)用的IGBT，并解釋IGBT的關(guān)鍵特性以及如何閱讀IGBT的數(shù)據(jù)表。

2023-09-13 15:47:56

384

絕緣柵雙極晶體管——IGBT，認(rèn)識其原理及其應(yīng)用

絕緣柵雙極晶體管也簡稱為IGBT ，是傳統(tǒng)雙極結(jié)型晶體管(BJT) 和場效應(yīng)晶體管(MOSFET)的交叉體，使其成為理想的半導(dǎo)體開關(guān)器件。

2023-09-06 15:12:29

612

IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)內(nèi)部結(jié)構(gòu)/工作原理/特性/優(yōu)缺點(diǎn)

今天給大家分享的是：IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)

2023-08-25 09:39:18

687

IGBT的特點(diǎn)、工作原理及安全工作區(qū)

絕緣柵雙極晶體管(IGBT, InsulatedGate Bipolar Transistor)是一種三端功率半導(dǎo)體器件，主要用作電子開關(guān)，在較新的器件中以結(jié)合高效和快速開關(guān)而聞名。IGBT通過在

2023-08-24 11:01:32

606

絕緣柵雙極晶體管(IGBT)的工作原理、特點(diǎn)及參數(shù)介紹

絕緣柵雙極晶體管IGBT又叫絕緣柵雙極型晶體管。一．絕緣柵雙極晶體管IGBT的工作原理：    半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)分析略。本講義附加了相關(guān)資料，供感興趣

2009-05-12 20:44:23

雙極晶體管的原理/特點(diǎn)及應(yīng)用

“晶體管”現(xiàn)在可以分為多種類型，每種類型具有不同的功能和結(jié)構(gòu)，例如FET、MOS FET、CMOS等也是廣義上的晶體管。當(dāng)然，它仍然是有源的，主要用于電壓/信號放大和開關(guān)控制。在本文中，工程師將解釋這種雙極晶體管是什么，以及它的原理、機(jī)制和特點(diǎn)。

2023-07-07 10:14:49

993

了解這些就可以搞懂 IGBT

絕緣柵雙極晶體管 （IGBT, InsulatedGate Bipolar Transistor）是一種三端功率半導(dǎo)體器件，主要用作電子開關(guān)，在較新的器件中以結(jié)合高效和快速開關(guān)而聞名。IGBT通過在

2023-06-14 20:15:01

836

絕緣柵雙極型晶體管IGBT結(jié)溫估算

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由雙極型晶體管（Bipolar Junction Transistor，BJT）和絕緣柵型

2023-05-20 15:19:12

463

什么是IGBT？

什么是IGBT？本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?IGBT是“Insulated Gate Bipolar Transistor”的縮寫，中文名稱是“絕緣柵雙極晶體管”。

2023-02-13 09:30:15

1794

吉林華微75A 650V IGBT N溝道絕緣柵雙極晶體管

N溝絕緣柵雙極晶體管JT075N065WED75A 650V用途●逆變器●UPS電源●T0-247產(chǎn)品特性●低柵極電荷●Trench FS技術(shù),●通態(tài)壓降, Vce(sat), typ =1.75V @ Ic= 75A andTc= 25°C●RoHS產(chǎn)品

2023-01-09 10:53:35

需要學(xué)習(xí)的還有它—絕緣柵雙極晶體管

本期介紹：本期ROHM君想與大家一同學(xué)習(xí)絕緣柵雙極晶體管——IGBT，認(rèn)識其原理及其應(yīng)用。IGBT是一種功率開關(guān)晶體管，它結(jié)合了MOSFET和BJT的優(yōu)點(diǎn)，用于電源和電機(jī)控制電路該絕緣柵雙極晶體管

2022-12-08 16:01:26

957

N溝絕緣柵雙極晶體管JT075N120GPED規(guī)格書

N溝絕緣柵雙極晶體管JT075N120GPED規(guī)格書免費(fèi)下載。

2022-12-02 10:57:05

N溝絕緣柵雙極晶體管JT075N065WED規(guī)格書

N溝絕緣柵雙極晶體管JT075N065WED規(guī)格書免費(fèi)下載。

2022-12-02 10:56:11

N溝絕緣柵雙極晶體管JT050N065WED規(guī)格書

N溝絕緣柵雙極晶體管JT050N065WED規(guī)格書

2022-12-02 10:55:03

N溝絕緣柵雙極晶體管JT040K065WED/AED規(guī)格書

N溝絕緣柵雙極晶體管JT040K065WED/AED規(guī)格書

2022-12-02 10:54:05

N溝絕緣柵雙極晶體管JT030N065WED/FED規(guī)格書

N溝絕緣柵雙極晶體管JT030N065WED/FED規(guī)格書免費(fèi)下載。

2022-12-02 10:53:13

N溝絕緣柵雙極晶體管JT020N065SED/CED/WED/FED規(guī)格書

N溝絕緣柵雙極晶體管JT020N065SED/CED/WED/FED規(guī)格書

2022-12-02 10:51:47

N溝絕緣柵雙極晶體管JT015N065FED規(guī)格書

N溝絕緣柵雙極晶體管JT015N065FED規(guī)格書免費(fèi)下載。

2022-12-02 10:50:49

N溝絕緣柵雙極晶體管JT010N065SED/CED/FED規(guī)格書

N溝絕緣柵雙極晶體管JT010N065SED/CED/FED規(guī)格書免費(fèi)下載。

2022-12-02 10:49:36

N溝絕緣柵雙極晶體管JT05N065RED/VED/SED/FED規(guī)格書

N溝絕緣柵雙極晶體管JT05N065RED/VED/SED/FED規(guī)格書免費(fèi)下載。

2022-12-02 10:48:05

隔離式柵極驅(qū)動器輸入級對電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用的影響

本文介紹了在電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用中為功率級選擇隔離式柵極驅(qū)動器時，您有多種選擇。柵極驅(qū)動器可簡單可復(fù)雜，具有集成米勒箝位、分離輸出或絕緣柵雙極晶體管 （IGBT）發(fā)射極的欠壓（UVLO）鎖定參考等功能。

2022-11-30 09:58:21

792

IGBT的工作原理及基本特性

　　絕緣柵雙極晶體管(IGBT)結(jié)合了GTR和MOSFET的優(yōu)點(diǎn)，具有良好的特性。IGBT也是三端器件，具有柵極G、集電極C和發(fā)射極E。

2022-10-28 16:12:42

7822

IGBT等效電路及符號解析

　　絕緣柵雙極晶體管，簡稱IGBT，是雙極結(jié)型晶體管(BJT)和金屬氧化物場效應(yīng)晶體管(MOSFET)的組合，一種用于開關(guān)相關(guān)應(yīng)用的半導(dǎo)體器件。

2022-09-12 17:13:00

11168

集成電路中的硅基器件—雙極晶體管BJT

雙極晶體管（BJT）是最基礎(chǔ)的集成電路器件之一，在集成電路發(fā)展史中起著重要的作用。因?yàn)檫@種晶體管工作時，電子和空穴兩種載流子均參與導(dǎo)電，所以被稱為雙極性結(jié)型晶體管，簡稱雙極晶體管。

2022-09-07 09:27:16

1855

igbt絕緣柵雙極晶體管SGTP75V65SDB1P7

供應(yīng)igbt絕緣柵雙極晶體管SGTP75V65SDB1P7，提供SGTP75V65SDB1P7關(guān)鍵參數(shù)，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>

2022-08-02 14:04:59

IGBT是什么

IGBT是“InsulatedGateBipolarTransistor”的首字母縮寫，中文名稱是“絕緣柵雙極晶體管”。通過結(jié)合MOSFET和雙極晶體管，IGBT成為同時具備這兩種器件優(yōu)點(diǎn)的功率晶體管。IGBT有N溝道型和P溝道型兩種，本文中以目前主流的N溝道型為例展開介紹。

2022-03-30 15:39:43

35076

IGBT晶體管是什么

雙極晶體管」。 IGBT晶體管是半導(dǎo)體器件的一種，主要被用于電動汽車、鐵路機(jī)車及動車組的交流電電動機(jī)的輸出控制等領(lǐng)域。 IGBT晶體管是由BJT（雙極型晶體或雙極性晶體管，俗稱三極管）和MOSFET（絕緣

2021-02-03 17:37:15

10629

IEC60747-9-2019半導(dǎo)體裝置絕緣柵雙極晶體管的數(shù)據(jù)手冊免費(fèi)下載

本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是IEC60747-9-2019半導(dǎo)體裝置絕緣柵雙極晶體管的數(shù)據(jù)手冊免費(fèi)下載。

2020-04-17 08:00:00

157

一種高速集電極溝槽絕緣柵雙極晶體管

目前，產(chǎn)業(yè)化的高電壓大功率絕緣柵雙極晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）普遍采用新結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)制造技術(shù)，以ABB、三菱、東芝和日立等為代表的國際領(lǐng)先研發(fā)

2018-04-24 16:12:51

雙極晶體管的基本結(jié)構(gòu)

本文將介紹雙極型晶體管的基本結(jié)構(gòu)。雙極晶體管是雙極型結(jié)型晶體管（BJT）的簡稱，在電力半導(dǎo)體中，也稱作大功率晶體管（GTR），在現(xiàn)代電力電子變換器中大多已經(jīng)被MOSFET或者IGBT所代替。了解雙極晶體管有助于深入理解現(xiàn)代功率器件的結(jié)構(gòu)。

2018-03-05 16:12:14

22049

IGBT保護(hù)電路設(shè)計(jì)必備知識及相關(guān)問題分析

本文論述了IGBT的過流保護(hù)、過壓保護(hù)與過熱保護(hù)相關(guān)問題，并從實(shí)際應(yīng)用中總結(jié)出各種保護(hù)方法，這些方法實(shí)用性強(qiáng)，保護(hù)效果好，是IGBT保護(hù)電路設(shè)計(jì)必備知識。 IGBT（絕緣柵雙極性晶體管）是一種用

2017-12-04 09:15:04

2626

絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)與工作原理解析

絕緣柵雙極晶體管（Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT）綜合了電力晶體管（Giant Transistor—GTR）和電力場效應(yīng)晶體管（Power MOSFET）的優(yōu)點(diǎn)，具有良好的特性，應(yīng)用領(lǐng)域很廣泛；IGBT也是三端器件：柵極，集電極和發(fā)射極。

2017-11-29 15:39:21

14706

絕緣柵雙極晶體管（IGBT）的保護(hù)

絕緣柵雙極晶體管（IGBT， Insulated-Gate Bipolar Transistor）需要充分的保護(hù)以避免短路、過載和過電壓等錯誤情況所造成的損壞和故障，這些保護(hù)是確保如電機(jī)驅(qū)動以及

2017-09-12 11:00:40

使用MOSFET柵極驅(qū)動器的IGBT驅(qū)動器

絕緣柵雙極晶體管（IGBT）是在需要高電壓和開關(guān)頻率的電流電路中獲得相當(dāng)多的使用。一般來說，這些電路是在電機(jī)控制，不間斷電源和其他類似的逆變器應(yīng)用。大部分的IGBT的流行源于其簡單的MOSFET

2017-07-04 10:51:05

IR公司推出全新1200V超高速絕緣柵雙極晶體管

　全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR）推出堅(jiān)固可靠的全新1200V超高速絕緣柵雙極晶體管 （IGBT）系列，針對工業(yè)電機(jī)驅(qū)動及不間斷電源（UPS）應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。

2013-06-14 15:22:00

1200

IR推出600V絕緣柵雙極晶體管(IGBT)系列IRG7RC10FD

國際整流器公司(International Rectifier，簡稱IR)推出600V絕緣柵雙極晶體管(IGBT)系列，適合在10kHz以下工作的電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用，包括冰箱和空調(diào)的壓縮機(jī)。

2012-09-05 11:09:19

941

IR為UPS推出1200V絕緣柵雙極晶體管系列

近日全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國際整流器公司(簡稱IR)推出針對感應(yīng)加熱、不間斷電源(UPS)太陽能和焊接應(yīng)用而設(shè)計(jì)的可靠、高效 1200V 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系列。

2011-09-07 09:24:54

1743

IGBT驅(qū)動保護(hù)電路的改良設(shè)計(jì)

在實(shí)際應(yīng)用電力電子技術(shù)過程中,絕緣柵雙極晶體管( IGBT ) 驅(qū)動保護(hù)電路的合理設(shè)計(jì)應(yīng)根據(jù)具體器件的特性,選擇合適的參數(shù),使之實(shí)現(xiàn)最優(yōu)驅(qū)動和有效可靠的保護(hù)。文中針對具體工程,對

2011-08-17 15:54:46

113

晶匣管過壓保護(hù)電路

晶匣管過壓保護(hù)電路常用的有效方法是阻容吸收網(wǎng)絡(luò),把過壓產(chǎn)生的能量存儲在電容器中，然后通過電阻放電。

2011-07-10 17:23:25

2953

雙極晶體管應(yīng)用簡介

雙極晶體管屬于電流控制器件，即加入變動的基極電流，產(chǎn)生集電極電流的變動。

2011-03-03 11:40:34

150

柵極過壓保護(hù)電路

IGBT的柵極出現(xiàn)過壓的原因: 1.靜電聚積在柵極電容上引起過壓.

2011-01-29 19:18:35

2581

什么是絕緣柵極雙極性晶體管

什么是絕緣柵極雙極性晶體管 絕緣柵雙極晶體管(IGBT)本質(zhì)上是一個場效應(yīng)晶體管,只是在漏極和漏區(qū)之間多了一個P型層.根據(jù)國際電工委員會IEC/TC(CO)1

2010-03-05 15:49:22

3985

雙極晶體管,雙極晶體管是什么意思

雙極晶體管,雙極晶體管是什么意思 雙極晶體管 雙極型晶體管內(nèi)部電流由兩種載流子形成，它是利用電流來控制。場效應(yīng)管是電壓控制器

2010-03-05 11:48:46

5735

絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）的資料大全

絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）的資料大全絕緣柵雙極型晶體管IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件,其輸入極為MOSFET,輸出極為PNP晶體

2010-03-05 11:46:07

7395

絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)是什么意思

絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)是什么意思 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型功率管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型

2010-03-05 11:42:02

8718

異質(zhì)結(jié)雙極晶體管,異質(zhì)結(jié)雙極晶體管是什么意思

異質(zhì)結(jié)雙極晶體管,異質(zhì)結(jié)雙極晶體管是什么意思異質(zhì)結(jié)雙極晶體管（Hetero-junction Bipolar Transistor,簡稱HBT)基區(qū)(base)異質(zhì)結(jié)SiGe外延(圖1)：其原理是在基

2010-03-05 10:56:55

4610

絕緣柵雙極晶體管(IGBT),IGBT是什么意思

絕緣柵雙極晶體管(IGBT),IGBT是什么意思 IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)是MOS結(jié)構(gòu)雙極器件，屬于具有功率MOSFET的高速性能與雙極的低電阻性能的功率器件

2010-03-04 15:54:15

4870

絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）

絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）　　

2009-12-10 14:24:31

1224

雙極晶體管

雙極晶體管

2009-11-07 10:44:02

1301

絕緣柵雙極晶體管

絕緣柵雙極晶體管絕緣柵雙極晶體管（Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT）綜合了電力晶體管（Giant Transistor—GTR）和電力場效應(yīng)晶體管（Power MOSFET）的優(yōu)點(diǎn)，具有

2009-11-05 11:40:14

570

IGBT在客車DC 600V系統(tǒng)逆變器中的應(yīng)用與保護(hù)

IGBT在客車DC 600V系統(tǒng)逆變器中的應(yīng)用與保護(hù) 1．1 IGBT的結(jié)構(gòu)特點(diǎn) 　　IGBT是大功率、集成化的“絕緣柵雙極晶體管”(Insulated Gate Bipolar Transistor)。它是80年代初集合

2009-11-05 10:15:21

1256