電容的簡化模型和阻抗曲線

為了分析方便，在實(shí)際的分析應(yīng)該中經(jīng)常使用由串聯(lián)等效電阻ESR、串聯(lián)等效電感ESL、電容組成的
RLC模型。因?yàn)閷?duì)電容的高頻特性影響最大的則是ESR和ESL，我們通常采用下圖中簡化的實(shí)際模型進(jìn)行分析：

上式就是電容的容抗隨頻率變化的表達(dá)式，如果2πfLs＝1／2πfC，那么｜Z｜min＝Rs，此時(shí)：

畫出電容的容抗的曲線的圖如下：

從上圖，我們很清楚的看出：電容在整個(gè)頻段，并非都是表現(xiàn)為電容的特性，而是在低頻的情況(諧振頻
率以下)，表現(xiàn)為電容性的器件，而當(dāng)頻率增加（超過諧振頻率）的時(shí)候，它漸漸的表現(xiàn)為電感性的器件。
也就是說它的阻抗隨著頻率的增加先減小后增大，等效阻抗的最小值發(fā)生在串聯(lián)諧振頻率時(shí)，這時(shí)候，電
容的容抗和感抗正好抵消，表現(xiàn)為阻抗大小恰好等于寄生串聯(lián)電阻ESR。
了解了上面的曲線，應(yīng)該就不難理解在實(shí)際的應(yīng)該中，我們的選擇電容標(biāo)準(zhǔn)是：
1、盡可能低的ESR電容。
2、盡可能高的電容的諧振頻率值。