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SRAM存儲(chǔ)芯片即是靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。它具有靜止存取功能的存儲(chǔ)器芯片，它不需要刷新電路便能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的所有數(shù)據(jù)。 SRAM存儲(chǔ)芯片主要應(yīng)用于需要緩存比較小或?qū)挠幸蟮南到y(tǒng)。例如很多8 BIT 單片機(jī)，由于能支持的RAM存儲(chǔ)比較小，內(nèi)部緩存又不夠；或者16 BIT MCU，支持的RAM比較大，但對(duì)低功耗有要求而無法用DRAM的系統(tǒng)。那么如何設(shè)計(jì)SRAM存儲(chǔ)主板呢?下面由英尚微電子介紹SRAM存儲(chǔ)器主板基本設(shè)計(jì)的五大步驟。
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1.地址緩沖器在提供給存儲(chǔ)器的sa0～sa15地址中加人緩沖器。緩沖器利用74ls244也可以，但因?yàn)?41ls245布線比較簡(jiǎn)單，所以才通過74ls245可單向使用。
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2.數(shù)據(jù)緩沖器因?yàn)閿?shù)據(jù)需要雙向進(jìn)行，所以才要利用74ls245來進(jìn)行接收。會(huì)將柵極一直打開，通過對(duì)存儲(chǔ)器芯片的讀信號(hào)來進(jìn)行方向控制。本次我們采用將pld上存儲(chǔ)器的讀信號(hào)設(shè)置為只在cs1有效時(shí)才輸出的方法。
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3.pld（memdec）ld應(yīng)用于生成對(duì)存儲(chǔ)器的片選、de以及we信號(hào)中。片選信號(hào)是在刷新周期以外、當(dāng)?shù)刂犯呶唬╯a16～sa19）為dh（將d0000h～dffffh設(shè)置在sram主板空間）、且bale為低電平時(shí)被選擇的。將存儲(chǔ)器芯片的讀/寫信號(hào)設(shè)置為當(dāng)片選和smemr/smemw有效時(shí)輸出。
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4.各份電源的切換，電池各份的重點(diǎn)將會(huì)在于電源切換和片選信號(hào)的控制。本次為了簡(jiǎn)單起見，只單純獲取vcc和電池（為cn2提供3.6v的電池）的二極管or，但需要注意二極管正向電壓降。如果電源電壓比所提供的電壓低很多的話，則可能會(huì)發(fā)生超出操作電壓或者輸入引腳的電壓高于電源電壓的情況。
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5.片選控制，為了電池備份，必須使存儲(chǔ)器的片選信號(hào)無效。本次我們雖然只利用ce1進(jìn)行控制，但為了保持較低的損耗電流，必須使ce1可保持與電源電壓相近的值（cy62l28為vcc-0.2v以上）。為了進(jìn)行片選控制，將會(huì)利用作為電源監(jiān)視ic的adm708（模擬器件）和74hc系列的cmos門組成電路。
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靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)多年來被廣泛應(yīng)用于各種場(chǎng)合。凡是需要快速存取數(shù)據(jù)方面的應(yīng)用，特別會(huì)要求初始存取等待時(shí)間比較短的情況下，都會(huì)考慮使用SRAM，這已經(jīng)成為一個(gè)常識(shí)。歷史上SRAM存儲(chǔ)器芯片市場(chǎng)曾經(jīng)幾度起伏，大多數(shù)時(shí)候整個(gè)存儲(chǔ)器芯片市場(chǎng)需求量會(huì)因?yàn)橐粋€(gè)新的SRAM應(yīng)用而暴漲。lw
SRAM存儲(chǔ)器主板基本設(shè)計(jì)
- sram(113777)
- ISSI(22317)
- SRAM存儲(chǔ)器(13126)
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2023-06-28 09:05:28874
874處理器基礎(chǔ)抱佛腳-存儲(chǔ)器部分
存儲(chǔ)器是用來進(jìn)行數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的（指令也是一種數(shù)據(jù)），按使用類型可分為只讀存儲(chǔ)器ROM(Read Only Memory)和隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器RAM(Random Access Memory)，RAM是其中最為常見的一種形式。
2023-06-27 16:45:30458
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PLC系統(tǒng)的存儲(chǔ)器分類介紹
PLC系統(tǒng)中的存儲(chǔ)器主要用于存放系統(tǒng)程序、用戶程序和工作狀態(tài)數(shù)據(jù)。PLC的存儲(chǔ)器包括系統(tǒng)存儲(chǔ)器和用戶存儲(chǔ)器。
2023-06-26 14:02:453775
3775半導(dǎo)體存儲(chǔ)器簡(jiǎn)介
靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM: Static Random Access Memory) 和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器DRAM(Dynamic Random Access Memory)。
2023-06-25 14:30:181959
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RA6快速設(shè)計(jì)指南 [9] 存儲(chǔ)器 (1)
I/O寄存器、程序ROM、數(shù)據(jù)閃存和外部存儲(chǔ)器區(qū)域。 圖16. RA6M3存儲(chǔ)器映射 8.1 SRAM RA6 MCU提供帶
2023-06-21 12:15:03421
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RAM/ROM存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)
隨機(jī)存儲(chǔ)器可以隨時(shí)從任何一個(gè)指定地址中讀出數(shù)據(jù)，也可以隨時(shí)將數(shù)據(jù)寫入任何一個(gè)指定的存儲(chǔ)單元中
2023-06-05 15:49:47785
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如何保存數(shù)據(jù)在SRAM存儲(chǔ)器中通過SW?
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* 詳細(xì)說明：
* 這個(gè)例子的目的是展示如何保存數(shù)據(jù)在 SRAM 存儲(chǔ)器中通過
2023-06-05 09:47:48
存儲(chǔ)器集成電路測(cè)試
存儲(chǔ)器是集成電路領(lǐng)域的通用器件，其市場(chǎng)用量巨大，從類型上分為 ROMEPROM、E2PROM、SRAM、DRAM、FLASH 等。
2023-05-30 09:56:44251
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SOC設(shè)計(jì)之外部存儲(chǔ)器
主存儲(chǔ)器的主要技術(shù)指標(biāo)
* **存儲(chǔ)容量**
存儲(chǔ)器可以容納的二進(jìn)制信息量（尋址空間，由CPU的地址線決定）
* **實(shí)際存儲(chǔ)容量：** 在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中具體配置了多少內(nèi)存。
* **存取速度：** 存取時(shí)間是指從啟動(dòng)一次存儲(chǔ)器操作到完成該操作所經(jīng)歷的時(shí)間，也稱為讀寫周期；
2023-05-26 11:28:10822
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什么是外部存儲(chǔ)器
磁表面存儲(chǔ)器——磁表面存儲(chǔ)器，它們都是利用涂敷在載體表面薄層磁性材料來記錄信息的，載體和表面磁性材料統(tǒng)稱為記錄介質(zhì)。
存儲(chǔ)密度——磁表面存儲(chǔ)器單位長(zhǎng)度或單位面積磁層表面所能存儲(chǔ)的二進(jìn)制信息量
2023-05-26 11:27:061409
1409單板硬件設(shè)計(jì)：存儲(chǔ)器（ NAND FLASH)
在單板設(shè)計(jì)中，無論是涉及到一個(gè)簡(jiǎn)易的CPU、MCU小系統(tǒng)或者是復(fù)雜的單板設(shè)計(jì)，都離不開存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)：1、存儲(chǔ)器介紹存儲(chǔ)器的分類大致可以劃分如下：ROM和RAM指的都是半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，ROM在系統(tǒng)停止供電
2023-05-19 17:04:36766
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單板硬件設(shè)計(jì)：存儲(chǔ)器（ NAND FLASH)
，并把電容放電，藉此來保持?jǐn)?shù)據(jù)的連續(xù)性。
SRAM：
SRAM利用寄存器來存儲(chǔ)信息，所以一旦掉電，資料就會(huì)全部丟失，只要供電，它的資料就會(huì)一直存在，不需要?jiǎng)討B(tài)刷新，所以叫靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。
3.產(chǎn)品應(yīng)用
2023-05-19 15:59:37
單片機(jī)的程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器共處同一地址空間為什么不會(huì)發(fā)生總線沖突呢？
單片機(jī)的程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器共處同一地址空間為什么不會(huì)發(fā)生總線沖突呢？
2023-05-10 15:17:56
國(guó)產(chǎn)512kbit串行SRAM----SCLPSRAC1
EMI Serial SRAM是為串行接口的SRAM，外擴(kuò)SRAM可以通過使用SPI的接口來將外部RAM添加到幾乎所有應(yīng)用中。串行訪問的靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器采用先進(jìn)的CMOS技術(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)和制造，以提供高速性能和低功耗。
2023-04-27 17:37:44615
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如何為RT1172選擇FLASH存儲(chǔ)器？
通過quad SPI接口選擇FLASH存儲(chǔ)器與RT1172一起使用時(shí)，應(yīng)該將其設(shè)置為Buffer Read模式還是Continuous Read模式？
2023-04-27 06:03:21
CH32V103基礎(chǔ)教程28-DMA （外設(shè)到存儲(chǔ)器）
關(guān)于DMA，具有三種數(shù)據(jù)傳輸方式：存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器、存儲(chǔ)器到外設(shè)、外設(shè)到存儲(chǔ)器。在第十三章以及第二十七章，已講解存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器傳輸方式以及存儲(chǔ)器到外設(shè)傳輸方式，本章將講解DMA外設(shè)到存儲(chǔ)器傳輸方式。使用串口1作為外設(shè)，通過串口調(diào)試助手等向開發(fā)板發(fā)送數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)會(huì)被返回給開發(fā)板并通過串口調(diào)試助手顯示。
2023-04-20 16:37:41
CH32V103基礎(chǔ)教程27-DMA （存儲(chǔ)器到外設(shè)）
關(guān)于DMA，具有三種數(shù)據(jù)傳輸方式：存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器、存儲(chǔ)器到外設(shè)、外設(shè)到存儲(chǔ)器。前面已講解過關(guān)于存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)傳輸方式，本章將講解存儲(chǔ)器到外設(shè)的傳輸方式以及在下一章將會(huì)講解外設(shè)到存儲(chǔ)器的傳輸方式
2023-04-20 16:35:13
一文了解新型存儲(chǔ)器MRAM
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發(fā)性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫入能力，以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
2023-04-19 17:45:462542
254251單片機(jī)外擴(kuò)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器最大的容量是多少？
51單片機(jī)外擴(kuò)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器最大的容量是多少？可以達(dá)到50MB嗎？用的是什么芯片？
2023-04-19 16:34:36
CH32V103基礎(chǔ)教程13-DMA（存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器）
本章教程講解DMA存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器模式。存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器模式可以實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)在兩個(gè)內(nèi)存的快速拷貝。程序中，首先定義一個(gè)靜態(tài)的源數(shù)據(jù)，存放在內(nèi)部 FLASH，然后使用DMA傳輸把源數(shù)據(jù)拷貝到目標(biāo)地址上（內(nèi)部SRAM），最后對(duì)比源數(shù)據(jù)和目標(biāo)地址的數(shù)據(jù)，判斷傳輸是否準(zhǔn)確。
2023-04-17 15:28:08
非易失性存儲(chǔ)器Flash和EEPROM之間的差異與優(yōu)缺點(diǎn)
存儲(chǔ)設(shè)備，包括Flash和EEPROM。一、Flash和EEPROM之間的差異Flash和EEPROM均被視為非易失性存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器意味著該設(shè)備能夠保存數(shù)據(jù)且無需持續(xù)供電，即使關(guān)閉電源也能保存
2023-04-07 16:42:42
MRAM實(shí)現(xiàn)對(duì)車載MCU中嵌入式存儲(chǔ)器的取代
及SRAM相當(dāng),大大超出了閃存的105次。在功能及性能方面均超過現(xiàn)有存儲(chǔ)器的自旋注入MRAM,很有可能將會(huì)取代在設(shè)備中使用的多種存儲(chǔ)器(見圖1)。如果關(guān)鍵技術(shù)的研發(fā)工作進(jìn)展順利，自旋注入MRAM今后
2023-04-07 16:41:05
RA2快速設(shè)計(jì)指南 [6] 存儲(chǔ)器
這兩個(gè)存儲(chǔ)器，從而提高性能并允許在同一個(gè)周期訪問程序和數(shù)據(jù)。存儲(chǔ)器映射中包含片上RAM、外設(shè)I/O寄存器、程序ROM、數(shù)據(jù)閃存和外部存儲(chǔ)器區(qū)域。 圖13. RA2A1存儲(chǔ)器映射 7.1 SRAM
2023-04-06 16:45:03466
466是否可以將FLASH用作輔助存儲(chǔ)器？
我們正在嘗試將內(nèi)部 ROM 閃存用作 LPC 1768、LPC 55S16 中的輔助存儲(chǔ)器（而不是 EEPROM）。是否可以將 FLASH 用作輔助存儲(chǔ)器，如果可能，我們?nèi)绾问褂谩Ｕ?qǐng)指導(dǎo)我們實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)
2023-04-04 08:16:50
電路mcu是什么 MCU主板構(gòu)造
存儲(chǔ)器：存儲(chǔ)器是MCU主板的重要組成部分，用于存儲(chǔ)程序代碼和數(shù)據(jù)。主板上通常包括閃存、SRAM、EEPROM等存儲(chǔ)器。
2023-04-01 17:49:174494
4494我們常用存儲(chǔ)器知道有哪些嘛
存儲(chǔ)器按存儲(chǔ)介質(zhì)特性來說，可以分為兩類，一類就是易失性存儲(chǔ)器，一類是非易失性存儲(chǔ)器。從計(jì)算機(jī)角度上看，易失性存儲(chǔ)器可以理解為內(nèi)存，而非易性存儲(chǔ)器可以理解為硬盤。
2023-03-30 14:22:431551
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探究計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)體系2
你是不是經(jīng)常被以下名詞弄得暈頭轉(zhuǎn)向。ROM/RAM/DRAM/SRAM/SDRAM/DDR SDRAM等等，下面，我盡力以上圖為參考，從上到下，說明各個(gè)層次存儲(chǔ)器的特點(diǎn)和區(qū)別，并對(duì)它們的工作原理做一些簡(jiǎn)要的說明
2023-03-30 10:32:39580
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探究計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)體系1
你是不是經(jīng)常被以下名詞弄得暈頭轉(zhuǎn)向。ROM/RAM/DRAM/SRAM/SDRAM/DDR SDRAM等等，下面，我盡力以上圖為參考，從上到下，說明各個(gè)層次存儲(chǔ)器的特點(diǎn)和區(qū)別，并對(duì)它們的工作原理做一些簡(jiǎn)要的說明
2023-03-30 10:32:16624
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IMXRT1064智能外部存儲(chǔ)器引腳多路復(fù)用器是什么意思？
我有以下與智能外部存儲(chǔ)控制器相關(guān)的問題。Q1：為什么我們沒有使用 SRAM 的 BA0 和 BA1，如下所示 (SEMC_SRAM_Q1_Pic.png)。?Q2：“ADV#”、“ALE”和“DCX
2023-03-29 08:09:01
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論