《半導體器件應用》特別欄目——"走進企業(yè)"。今天，我們將帶您走進擁有15年發(fā)展史的壓敏電阻領(lǐng)先企業(yè)——喬光電子。一起來看看該企業(yè)在15年間經(jīng)歷的坎坷及高光時刻吧! 去年年底，記者接到了去年的最后
2024-03-21 10:55:11
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壓敏電阻具有較大的寄生電容，當它應用于交流電源系統(tǒng)的保護時，往往會在正常運行狀態(tài)下產(chǎn)生數(shù)值可觀的泄漏電流。例如一個寄生電容為2nF的壓敏電阻安裝在220V,50hz的交流電源系統(tǒng)中，其泄漏電流可達0.14mA(有效值)，這樣大的泄漏電流往往會對系統(tǒng)的正常運行產(chǎn)生影響。
2024-03-20 10:20:0337 
電源紋波和瞬態(tài)規(guī)格會決定所需電容器的大小，同時也會限制電容器的寄生組成設置。
2024-03-17 15:45:39235 
在PCB（PrintedCircuitBoard，印刷電路板）設計中，過孔寄生電感是一個重要的考慮因素。當電流通過PCB的過孔時，由于過孔的幾何形狀和布局，會產(chǎn)生一定的寄生電感。這種寄生電感可能會
2024-03-15 08:19:53673 
從式中可以看出：過孔的直徑對寄生電感的影響較小，而長度才是影響寄生電感的關(guān)鍵因素。所以，在設計電路板時，要盡量減小過孔的長度，以提高電路的性能。
2024-02-27 14:28:57156 ?單向?qū)щ娦缘模嵌O管，不是
PN結(jié)！?
真正令
PN結(jié) 導不了電的，關(guān)非 過不去，而是? 離不開及進不來，
交叉對流無障礙，背道而馳不允許，所以，當
PN結(jié)成了集電結(jié)，單向?qū)щ娦跃捅淮蚱屏恕?/div>
2024-02-25 08:57:14
寄生電容和寄生電感是指在電路中存在的非意圖的電容和電感元件。 它們通常是由于電路布局、線路長度、器件之間的物理距離等因素引起的。
2024-02-21 09:45:35244 
最大空穴電流、p區(qū)最大電子電流和耗盡區(qū)電荷載流子重組電流之和。準中性區(qū)的最大電流出現(xiàn)在耗盡區(qū)的兩側(cè)。
直流電阻或靜態(tài)電阻
PN結(jié)二極管的靜態(tài)電阻或直流電阻定義了二極管在連接直流電源時的電阻特性。如果
2024-01-25 18:01:01
為了使PN/PN耦合器的去分類請求也能動畫化，ACK_REQ信號必須連接到網(wǎng)絡的“基本功能”=“x”。
2024-01-25 10:26:07158 
寄生電容有一個通用的定義：寄生電容是存在于由絕緣體隔開的兩個導電結(jié)構(gòu)之間的虛擬電容（通常不需要的），是PCB布局中的一種效應，其中傳播的信號表現(xiàn)得好像就是電容，但其實并不是真正的電容。
2024-01-18 15:36:14863 
PN編碼器缺點：1、帶寬占用大：由于PN編碼器使用了正負極性和零態(tài)信號，對信號的頻帶要求較高，如果信號頻帶過窄，可能造成信號失真。因此在使用PN編碼器時需要考慮到其較大的帶寬占用問題。2、硬件可靠成本略高：它的硬件實現(xiàn)比較復雜，需要較高的成本。
2024-01-10 10:41:58157 
于高頻率電源和功率電子應用中。 然而，與其他MOS管類似，氮化鎵MOS管也存在一個寄生二極管的問題。這是由于傳導電阻造成的雜質(zhì)濃度梯度造成的PN結(jié)，導致在GaN MOSFET的柵源結(jié)和漏源結(jié)之間形成了一個二極管。 當MOS管工作在開關(guān)狀態(tài)時，寄生二極管不會產(chǎn)生
2024-01-10 09:30:59366 ，很多新手看到都會困惑，因此本期文章總結(jié)了15種0R(零)歐姆電阻妙用，下文用0R描述【注意常用的OR電阻也有毫歐級別的內(nèi)阻】。
2023-12-29 09:11:14212 PN8360電源IC 5V/2.4A電路描述
1、PN8360電路圖中R7、R8和R9為反饋分壓電阻，C5起到環(huán)路補償?shù)淖饔谩?
2、C1、D1、R3、R4 和R5組成RCD箝位電路，用于
2023-12-14 15:44:57214 
【科普小貼士】什么是pn結(jié)？
2023-12-13 15:06:07684 
如何避免功率MOSFET發(fā)生寄生導通?
2023-12-06 18:22:24522 
采用不同的摻雜工藝將P型半導體和N型半導體制作在同一塊硅片上，在它們的交界面就形成了PN結(jié)， PN結(jié)具有單向?qū)щ娦?。
2023-12-06 16:44:391041 
您好，看了關(guān)于測試碼部分的pn9和pn23偽隨機碼，想用pn9序列做對齊，但是不太明白如何計算輸出的pn碼，有沒有關(guān)于如何生成這個碼的具體算法呢？或者具體生成值的表格呢？謝謝！
2023-12-01 08:29:55
上期簡單描述了下PN結(jié)的基本結(jié)構(gòu)和耗盡區(qū)的形成過程，為方便后續(xù)定量研究，還是要從能帶圖入手，先看下平衡PN結(jié)的能帶圖吧，通過能帶圖，可以獲得PN結(jié)的很多有用的信息。
2023-11-30 18:25:262612 
半導體器件有四種基本結(jié)構(gòu)，而PN結(jié)無疑是最常見，也是最重要的結(jié)構(gòu)。
2023-11-30 18:22:43975 
寄生二極管的方向如何判定？ 寄生二極管是指在晶體管的基極和發(fā)射極之間，由于材料特性或設計上的原因，相當于一個二極管存在。所謂寄生二極管方向的判斷，就是要確定晶體管的基極和發(fā)射極之間的二極管的正負極
2023-11-30 14:24:57454 寄生電感的介紹
2023-11-29 16:41:12815 
寄生電感的影響
2023-11-29 16:32:26328 
IGBT與功率MOS最大的區(qū)別就是背面多了一個pn結(jié)，在正向?qū)〞r，背面pn結(jié)構(gòu)向N-區(qū)注入空穴，使得N-區(qū)的電阻率急劇減?。措妼д{(diào)制效應）。
2023-11-29 15:16:24381 
IGBT中存在如圖所示的兩個寄生BJT，BJT_1為NPN型，BJT_2為PNP型，我們來看看這兩個寄生BJT的電流增益有多大。
2023-11-28 16:58:15511 
下面簡要推導PN結(jié)導通狀態(tài)下的電荷濃度分布以及電流、電壓的關(guān)系。
2023-11-28 16:32:04477 
我想問一下關(guān)于運放的功耗估算問題，怎樣計算運放的功率，我在網(wǎng)上找過一些，有一個帖子是這個說的——“靜態(tài)電源電流就是運放中各級放大器的直流工作電流，有一定誤差但 data sheet 給出的是統(tǒng)計
2023-11-24 08:21:05
關(guān)于電阻，相信小伙伴們已經(jīng)熟知，像貼片電阻，可調(diào)電阻，插件電阻等等；接下來分享我自己工作中常用的貼片電阻應用知識和教訓。
2023-11-21 11:34:42559 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《端接電阻基礎知識.doc》資料免費下載
2023-11-21 09:31:02
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《pn結(jié)工作原理.zip》資料免費下載
2023-11-20 14:39:413 在LTC6268-10芯片手冊中，為了減小寄生反饋電容的影響，采用反饋電阻分流的方式減小寄生電容。
請問，在這種工作方式下，為了使寄生電容降到最低，對電路板的材料類型和厚度有什么要求嗎？
2023-11-16 06:28:44
在電力系統(tǒng)和電子設備中，壓敏電阻是一種重要的元件，具有非線性伏安特性，主要用于在電路承受過壓時進行電壓鉗位，吸收多余的電流以保護后級電路和器件。
2023-11-10 17:44:26577 電阻的種類有很多，從材料上劃分，線繞型、非線繞型，非線繞型又分為合成型、薄膜型；從用途上劃分，通用型、精密型、高阻型、功率型、高壓型、高頻型；還有一類特殊用途劃分，熱敏電阻、光敏電阻、力敏電阻、濕敏電阻、壓敏電阻、氣敏電阻、熔斷電阻等。
2023-11-10 09:46:40348 
估算運放輸入輸出阻抗的方法，幫助讀者更好地理解和應用于實際設計中。 首先，讓我們明確一下輸入和輸出阻抗的概念。輸入阻抗指的是放大器輸入端的等效電阻，即當輸入端電壓發(fā)生變化時，輸入端所產(chǎn)生的電流變化的比值。輸
2023-11-09 09:42:431731 什么叫SOC？為什么要進行SOC估算？SOC估算的難點 SOC全稱為State of Charge，是指電池的充放電狀態(tài)。SOC估算是指對電池容量的估算，可以通過對電池充放電過程中的電壓和電流信號
2023-10-26 11:38:301503 燒壞，所以要加一個上拉或者下拉電阻，就是給我們這個GS間的寄生電容提供一個放電的路徑。這樣MOS管斷電就會是一個穩(wěn)定的關(guān)閉狀態(tài)。
2023-10-21 10:38:16999 
為什么加正向電壓PN結(jié)變薄,加反向會變厚呢？ PN結(jié)是半導體器件中最基本和最常用的一種器件，具有正向?qū)ê头聪蚪刂沟奶匦?。如果?b class="flag-6" style="color: red">PN結(jié)的兩端施加正向電壓，電子從N型區(qū)流向P型區(qū)，空穴從P型區(qū)流向
2023-10-19 16:42:521803 pn結(jié)的電容效應 為什么在pn結(jié)間加入i層可以減小結(jié)電容？ PN結(jié)是一種半導體器件，其中P型半導體和N型半導體間由弱耗盡區(qū)隔離。這種器件有許多應用，例如光電探測器、太陽能電池、場效應晶體管和整流器
2023-10-19 16:42:49507 ，使電子與空穴向反方向漂移。這兩種運動達到平衡時的結(jié)果就是形成一段沒有載流子的區(qū)域，稱為空間電荷區(qū)，也叫耗盡層。這個空間電荷區(qū)叫做PN結(jié)。
2023-10-19 14:16:45540 
電路板布線所產(chǎn)生主要寄生組件分別是電阻、電容以及電感。從電路圖轉(zhuǎn)成實際電路板時，所有寄生組件都有機會干擾電路性能。當一系統(tǒng)混合數(shù)字與模擬組件時，仔細布線是電路板成功與否關(guān)鍵。
2023-10-13 14:52:38155 
PN/PN 耦合器用于連接兩個不同 PROFINET 子網(wǎng)，實現(xiàn)多個控制器不同子網(wǎng)間的可靠數(shù)據(jù)交換
2023-10-11 16:49:421769 
寄生參數(shù)抽取 只會StarRC 不會QRC？本章節(jié)講解下QRC抽取寄生參數(shù)。
2023-10-11 16:01:071335 
PN結(jié)的反向擊穿有哪幾種形式？? PN結(jié)（即正負電極結(jié)）是半導體器件的基礎結(jié)構(gòu)之一，它是由p型半導體和n型半導體直接接觸組成的簡單晶體管結(jié)構(gòu)。PN結(jié)的一個重要特性是反向擊穿，它指的是當PN結(jié)處于反向
2023-09-21 16:09:471700 如何避免功率MOSFET發(fā)生寄生導通?
2023-09-18 16:54:35590 
寄生電容對MOS管快速關(guān)斷的影響 MOS（Metal Oxide Semiconductor）管是一種晶體管，它以其高性能和可靠性而廣泛應用于許多電子設備，如功率放大器和開關(guān)電源。盡管MOS管具有
2023-09-17 10:46:581241 SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
Chipown經(jīng)典多模式ACDC芯片PN8715H/PN8712H系列，可完美替代進口工業(yè)級芯片5ARxx系列 。
2023-09-14 14:33:42709 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《賽靈思功耗估算器用戶指南.pdf》資料免費下載
2023-09-14 10:05:020 什么是PN結(jié)的導通電壓？? PN結(jié)是半導體器件中最常見的元器件之一，它將p型半導體和n型半導體的材料在一起，通過電場使它們連接在一起，并形成一個電子流的管道。在其中，導通電壓是PN結(jié)的一個重要參數(shù)
2023-09-13 15:09:292818 pn結(jié)是怎么形成的？有哪些基本特性 PN結(jié)是半導體器件中最基本的元器件之一，它的存在使得晶體管、二極管、光電池等半導體器件得以實現(xiàn)。PN結(jié)是由n型半導體和p型半導體通過特定工藝加工、熱擴散或離子注入
2023-09-13 15:09:203673 簡述pn結(jié)的三種擊穿機理? PN結(jié)是半導體器件中最常見的結(jié)構(gòu)之一，它由P型半導體和N型半導體材料組成。在正向偏壓下，PN結(jié)會工作在正常的導電狀態(tài)，而在反向偏壓下，PN結(jié)則會發(fā)生擊穿現(xiàn)象，這是PN
2023-09-13 15:09:182979 電阻，一個最容易又是最基礎的電子元器件，看似簡單，然而實際情況根據(jù)芯片哥對多位經(jīng)驗豐富的研發(fā)工程師的拜訪溝通得知并非如此；芯片哥如果讓開發(fā)工程師做出一個系統(tǒng)性的歸納總結(jié)，把電阻相關(guān)的所有內(nèi)容知識
2023-09-13 10:19:43786 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《Xilinx功耗估算用戶指南.pdf》資料免費下載
2023-09-13 09:18:550 問題。下面將詳細介紹如何減輕米勒電容所引起的寄生導通效應，并提供一些解決方案。 1. 什么是米勒電容？ 米勒電容是指由電路中存在的電感所形成的電容。在放大器電路中，輸入電容是與輸入電阻并聯(lián)的，而輸出電容則與輸出電阻并聯(lián)
2023-09-05 17:29:39977 如何減少導線的寄生電感？? 引言： 隨著電子設備的廣泛應用，對于高速數(shù)據(jù)傳輸和高頻信號的傳輸要求也越來越高。然而電學特性的限制使得對導線的寄生電感逐漸成為制約高頻電路性能的瓶頸之一。降低寄生電感
2023-09-05 17:29:313211 pcb連線寄生電容一般多少 隨著電子產(chǎn)品制造技術(shù)的成熟和發(fā)展，隨之而來的是布線技術(shù)的迅速發(fā)展。不同的 PCB 布線技術(shù)對于電路性能的影響不同，而其中最常見的問題之一就是 PCB 連線寄生電容。這種
2023-08-27 16:19:441604 MOS管具有三個內(nèi)在的寄生電容：Cgs、Cgd、Cds。這一點在MOS管的規(guī)格書中可以體現(xiàn)（規(guī)格書常用Ciss、Coss、Crss這三個參數(shù)代替）。MOS管之所以存在米勒效應，以及ＧＳ之間要并電阻
2023-08-26 08:12:55915 
I2C1 使用 pin PN4 和 PN5 來通信失敗, 但作為 GPIO 成功使用 。
你需要檢查電路是否有強烈的阻力
2023-08-25 06:56:40
還是希望采取快速粗略的估計方式。 有一種能輕而易舉地完成這一任務的方法，叫做“方塊統(tǒng)計”。采用這種方法，幾秒鐘就可精確估計出任何幾何形狀走線的電阻值(精度約為10%)。一旦掌握了這種方法，就可將需要估算的印刷電路板
2023-08-21 10:09:06865 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PN7160卡仿真.pdf》資料免費下載
2023-08-17 14:32:490 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《S32G3功耗估算.pdf》資料免費下載
2023-08-17 11:47:521 寄生電路是一種隱蔽性的電路設計的缺陷，按正常的電路分析是不容易發(fā)現(xiàn)的 ，是在某種特定的情況下才會出現(xiàn) ，發(fā)生意外接通的電路 。
2023-08-03 09:14:31871 
SDH8323是用于開關(guān)電源的內(nèi)置650V高壓MOSFET的電流模式PWM控制器， 12V，15V，18V輸出電壓三檔可調(diào)，可替代PN8034/PN8044。
2023-07-21 16:13:521232 
供應PN8054ESSC-R1 15V0.3A高速風筒方案芯片，提供pn8054數(shù)據(jù)手冊 ，廣泛應用于非隔離輔助電源等領(lǐng)域，更多產(chǎn)品手冊、應用料資請向芯朋微代理商深圳市驪微電子申請。>>
2023-07-19 10:08:5628 供應PN8054ESSC-R1 非隔離15v電源芯片，提供15V0.3A小家電非隔離電源芯片方案，廣泛應用于非隔離輔助電源等領(lǐng)域，更多產(chǎn)品手冊、應用料資請向芯朋微代理商深圳市驪微電子申請。>>
2023-07-19 10:07:48
影響EMI的PCB寄生參數(shù)你都清楚嗎？
2023-07-18 12:57:15474 
什么是PN編碼器？PN編碼器主要應用與優(yōu)點：PN編碼器具有很多優(yōu)點。首先，它可以將原始信號進行變換編碼，從而增加了發(fā)送信號的保密性。其次，它可以通過事先協(xié)定好的代碼進行解碼，提高了數(shù)據(jù)傳輸?shù)臏蚀_性
2023-07-05 13:55:521297 
瑞薩 LPWA 功率估算器
2023-06-30 19:39:100 半導體可以摻雜其他材料，變成p型或n型。pn結(jié)二極管可以是正向偏置或反向偏置。led是產(chǎn)生光子的正向偏壓二極管。太陽能電池是吸收光子的pn結(jié)，給電子足夠的能量進入導帶。
2023-06-30 09:51:361958 
Renesas LPWA 功率估算器 Rev.4.20
2023-06-29 19:03:270 供應PN8160SEC-R1H，更多產(chǎn)品手冊、提供PN8160SEC-R1H 12V2A適配器方案，更多pn8160數(shù)據(jù)手冊應用料資請向芯朋微代理驪微電子申請。>>
2023-06-10 10:59:394 引言：MOSFET是金屬氧化物半導體場效應晶體管（MetalOxide Semiconductor Field Effect Transistor）的縮寫，具有高速和低損耗的特性，廣泛應用于各種領(lǐng)域。和普通的阻容一樣，MOS也有其寄生模型，了解其等效寄生模型有助于我們在高速應用中快速掌握其特性。
2023-06-08 11:56:061879 
PN7150作為卡模擬功能時，華為手機無法讀取卡模擬。使用小米/三星等手機模擬讀卡成功。對比兩個日志文件發(fā)現(xiàn)，華為手機讀取PN7150卡模擬時，識別的是NFC-DEP，而小米手機識別
2023-06-05 08:00:41
TE熱敏電阻NTC溫度傳感器基礎知識，響應時間的定義為達到62%或一個新溫度所需的時間，是質(zhì)量的函數(shù)。傳感器越小，響應速度越快。分離式傳感器的響應速度比將其封裝在金屬外殼中時要快。NTC熱敏電阻傳感器通常的響應時間< 15 秒。
2023-06-03 10:46:05439 
我正在嘗試使用 PN532 芯片模擬 NFC 卡 - 因此將 PN532 放在桌子上，使用 Android 或 iOS 設備，能夠從芯片讀取數(shù)據(jù)。這個想法是使用 PN532 的主動功能使讀/寫過程更容易/更快/防故障。
但是，我遇到了問題。有什么我應該效仿的例子嗎？
2023-06-01 08:42:59
關(guān)于二極管的原理來自于PN結(jié)，下圖為本征半導體。
2023-05-29 10:31:131124 
我設計了帶有 I2C 端口的 PN7160 和 PN7161 板。
我得到以下結(jié)果：
1.所有PN7160板都運行良好。
2.所有PN7161板都不工作，啟動失敗。
PN7160 和 PN
2023-05-29 07:02:23
PN7462 是否支持 Segger RTT？
2023-05-19 07:35:56
Renesas LPWA 功率估算器 Rev.4.20
2023-05-12 19:11:240 PN560是否支持felica？哪些NXP芯片支持felica？
多謝！
2023-05-09 06:17:58
MOS管具有三個內(nèi)在的寄生電容：Cgs、Cgd、Cds。這一點在MOS管的規(guī)格書中可以體現(xiàn)（規(guī)格書常用Ciss、Coss、Crss這三個參數(shù)代替）。MOS管之所以存在米勒效應，以及ＧＳ之間要并電阻，其源頭都在于這三個寄生電容。
2023-05-08 09:08:543227 
當我以共享模式運行 libnfc-nci demoapp 時，閱讀器設備顯示 pn7150 的 uid 是“040302010400”，但是我如何為 PN7150 設置特定的 UID？
我可以參考什么文件？
2023-05-08 08:44:55
我看有些項目使用PN7150時使用的驅(qū)動為pn544，文件列表如下
dx@ubuntu:~/nfc/pn544$ ls
2023-05-04 07:08:48
我正在尋找使用 PN7150 讀/寫 MIFARE Ultralight 頁面的命令序列。我正在努力閱讀 PN7150 用戶手冊 - 我看到了 MIFARE Classic（帶身份驗證）的序列圖，但沒有看到 MIFARE Ultralight。誰能啟發(fā)我或指出一些示例代碼。
2023-05-04 07:04:12
我正在開發(fā)一款 Android12 設備，它將使用 PN532 實現(xiàn) NFC 功能。我搜索了 PN532 產(chǎn)品介紹，但沒有找到 PN532 的 android12 移植指南。
我可以從你那里得到一些
2023-04-23 07:51:12
放大狀態(tài)下的三極管是兩個PN結(jié)都大于0.7V嗎？求解
2023-04-12 11:30:57
如何解決PCB制造中的HDI工藝內(nèi)層漲縮對位問題呢？
2023-04-06 15:45:50
我們正在開發(fā)一款帶有 PN5190 的閱讀器。 部分讀者在調(diào)用函數(shù)phhalHw_Pn5190_EnBootNormalMode時初始化PN5190失敗，返回錯誤。通常當PN5190正常工作時，初始
2023-04-03 08:55:36
一般小功率三極管發(fā)射結(jié)的反向電阻是無窮大嗎？請說明一下原因
2023-03-30 11:37:04
8D515K15PN
2023-03-28 13:18:08
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