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電子發(fā)燒友網(wǎng)>今日頭條>高密度MRAM未來將會取代DRAM和閃存等現(xiàn)有設(shè)備

高密度MRAM未來將會取代DRAM和閃存等現(xiàn)有設(shè)備

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2023-08-01 16:54:170

高頻高密度PCB布局設(shè)計注意事項

PCB的布局也就成了大家設(shè)計PCB高頻板時候需要探討的關(guān)鍵點(diǎn)。接下來深圳PCBA公司為大家介紹下高頻PCB設(shè)計布局的注意要點(diǎn)。 高頻PCB設(shè)計布局注意要點(diǎn) (1)高頻電路傾向于具有高集成度和高密度PCB設(shè)計布線。使用多層板既是PCB設(shè)計布線所必需的,也是減少
2023-07-19 09:26:08518

構(gòu)建高密度數(shù)字輸入(DI)和數(shù)字輸出(DO)模塊時面臨的技術(shù)挑戰(zhàn)

當(dāng)工業(yè)4.0浪潮席卷而來,智能傳感器在工廠環(huán)境中日益普及。廣泛使用的傳感器正帶來一個重要變化,即要在舊款控制器內(nèi)處理大量IO,包括數(shù)字IO或模擬IO。由此,構(gòu)建可控尺寸和熱量的高密度IO模塊成為關(guān)鍵。本文中ADI將重點(diǎn)介紹數(shù)字IO。
2023-07-13 16:56:041119

Weiking 灌封型高密度組裝工藝方法

Weiking 灌封型寬范圍輸入電壓DC-DC? WK4128**D-08G系列 ? 產(chǎn)品概述 ? WK4128**D-08G系列DC-DC電源模塊內(nèi)部采用高密度組裝工藝方法,并配合使用具有優(yōu)異性
2023-07-03 11:08:55310

用于只讀高密度光盤的DPD信號檢測方法

摘要:提出了一種只讀高密度光盤的DPD信號檢測方法,闡述了DPD信號檢測中均衡電路和相位檢測器的原理和設(shè)計方法,并基于CPLD器件實(shí)現(xiàn)了光盤高頻讀出信號的相位差檢測。實(shí)驗結(jié)果表明,本文提出的方法可以準(zhǔn)確檢測光盤的DPD信號。
2023-06-29 17:07:390

MK3614:MK3614:高密度集成的PoE供電設(shè)備控制器

尊敬的讀者,今天我將向大家介紹一款高密度集成的自主單端口以太網(wǎng)供電設(shè)備(PSE)控制器——MK3614。該設(shè)備是為IEEE 802.3af/at Power over Ethernet(PoE)系統(tǒng)
2023-06-26 16:33:21946

光纖連接器對網(wǎng)絡(luò)速度的影響 光纖連接器的高密度布局和設(shè)計方法

光纖連接器的高密度布局和設(shè)計方法是在有限的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)更多連接器數(shù)量的一種策略,以提高光纖網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)的容量和效率。
2023-06-26 15:20:001129

長電科技面向5G射頻功放推出的高密度異構(gòu)集成SiP解決方案即將在國內(nèi)大規(guī)模量產(chǎn)

路由器、智能穿戴設(shè)備等各類終端產(chǎn)品。隨著5G的導(dǎo)入,模塊要有更高的功率,工作頻率、更大的帶寬和更小的模組尺寸。 長電科技面向5G射頻功放打造的高密度異構(gòu)集成SiP解決方案,具備高密度集成、高良品率等顯著優(yōu)勢。該方案通過工藝流程優(yōu)化、
2023-06-19 16:45:00355

GaN高密度300W交直流變換器介紹

GaN高密度300W交直流變換器
2023-06-19 06:03:23

HI-3220 CMOS高密度應(yīng)用數(shù)據(jù)管理IC手冊

Holt集成電路公司的HI-3220是一個單體系列芯片CMOS高密度應(yīng)用數(shù)據(jù)管理IC能夠管理、存儲和轉(zhuǎn)發(fā)航空電子數(shù)據(jù)16個ARINC 429接收信道之間的消息,以及八個ARINC 429發(fā)射信道
2023-06-15 15:14:352

Holt品牌 HI-3220系列 單片CMOS高密度應(yīng)用數(shù)據(jù)管理IC 詳細(xì)資料

Holt集成電路公司的HI-3220是一系列單片CMOS高密度應(yīng)用數(shù)據(jù)管理IC,能夠在16個ARINC 429接收通道和8個ARINC 429-發(fā)送通道之間管理、存儲和轉(zhuǎn)發(fā)航空電子數(shù)據(jù)消息,使這些
2023-06-15 11:20:44

高密度互連印刷電路板如何實(shí)現(xiàn)高密度互連HDIne ?

高密度互連 (HDI) 需求主要來自于芯片供應(yīng)商。最初的球柵陣列封裝 (BGA) 支持常規(guī)過孔。
2023-06-01 16:43:58523

HBM3:用于解決高密度和復(fù)雜計算問題的下一代內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)

在這個技術(shù)革命的時代,人工智能應(yīng)用程序、高端服務(wù)器和圖形等領(lǐng)域都在不斷發(fā)展。這些應(yīng)用需要快速處理和高密度來存儲數(shù)據(jù),其中高帶寬內(nèi)存 (HBM) 提供了最可行的內(nèi)存技術(shù)解決方案。
2023-05-25 16:39:333396

8倍密度,像做3D NAND一樣做DRAM

Semiconductor。 ? X-NAND ? 相信去年的閃存峰會上,除了鎧俠、SK海力士、長江存儲、三星等大廠所做的技術(shù)分享外,大家也都注意到了這家名為NEO Semiconductor的初創(chuàng)企業(yè)。這是一家專為NAND閃存DRAM內(nèi)存開發(fā)創(chuàng)新架構(gòu)的廠商,其去年推出的X-NAND第二代技術(shù),允許3D NAND閃存
2023-05-08 07:09:001982

Netsol SPI MRAM芯片S3A1604

S3A1604是一種NETSOL MRAM存儲芯片。具有SPI總線接口、XIP(就地執(zhí)行)性能和基于硬件/軟件的數(shù)據(jù)保護(hù)系統(tǒng)??梢?b class="flag-6" style="color: red">取代具有相同功能和非易失性的閃存、FeRAM或(nv)SRAM。提供SPI、DSPI、QSPI等模式,以允許帶寬擴(kuò)展選項。
2023-04-27 17:33:44420

一文了解新型存儲器MRAM

(DRAM)的高集成度,而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入。 即:MRAM是非揮發(fā)性介質(zhì); MRAM是磁性隨機(jī)存儲介質(zhì); MRAM具有RAM的讀寫速度。
2023-04-19 17:45:462542

MPO光纖跳線解決高密度高速傳輸需求

被廣泛應(yīng)用于在布線過程里需要高密度集成光纖線路環(huán)境中。 ? 解決高密度高速傳輸需求的MPO ? MPO,全名Multi-fiber Push ON,是用來做設(shè)備到光纖布線鏈路的跳接線。MPO光纖跳線由MPO連接器和光纜組成。MPO連接器是一種使用精密模具成型在機(jī)械
2023-04-18 01:16:005585

MRAM實(shí)現(xiàn)對車載MCU中嵌入式存儲器的取代

及SRAM相當(dāng),大大超出了閃存的105次。在功能及性能方面均超過現(xiàn)有存儲器的自旋注入MRAM,很有可能將會取代設(shè)備中使用的多種存儲器(見圖1)。如果關(guān)鍵技術(shù)的研發(fā)工作進(jìn)展順利,自旋注入MRAM今后
2023-04-07 16:41:05

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