《漲知識(shí)啦21》之增強(qiáng)型 HEMT器件的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

GaN 基高電子遷移率場(chǎng)效應(yīng)管（HEMT）在高頻大功率器件方面具有突出的優(yōu)勢(shì)，并在其應(yīng)用領(lǐng)域已取得重要進(jìn)展，但GaN基HEMT器件大功率應(yīng)用的最大挑戰(zhàn)是其“normally-on”特性。對(duì)于傳統(tǒng)的AlGaN/GaN HEMT器件，沿Ga面方向外延生長(zhǎng)的結(jié)構(gòu)存在較強(qiáng)的極化效應(yīng)，導(dǎo)致在AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)界面處產(chǎn)生大量的二維電子氣（2DEG），且在零偏壓下肖特基柵極無法耗盡溝道中高濃度的二維電子氣。

當(dāng)柵極電壓VGS=0時(shí)，HEMT溝道中仍有電流通過，需要在柵極施加負(fù)偏置耗盡柵極下二維電子氣，將HEMT置于關(guān)斷狀態(tài)。這在應(yīng)用中無疑會(huì)增加電路設(shè)計(jì)的復(fù)雜度，同時(shí)會(huì)使功耗大大增加，因此設(shè)計(jì)一種在柵極零偏壓下處于關(guān)斷狀態(tài)的增強(qiáng)型（E-Mode）HEMT對(duì)于推進(jìn)HEMT在功率領(lǐng)域的應(yīng)用將至關(guān)重要。

現(xiàn)如今，有很多方案被提出來獲得增強(qiáng)型的HEMT器件。其中包括嵌入柵結(jié)構(gòu)、氟離子注入、p型蓋帽層、非極性面外延生長(zhǎng)以及MOS結(jié)構(gòu)等。下表對(duì)比了以上幾種實(shí)現(xiàn)增強(qiáng)型HEMT技術(shù)方案的優(yōu)點(diǎn)與技術(shù)難點(diǎn)。

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電壓(114263) 電壓(114263)
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DMN2015UFDF 產(chǎn)品簡(jiǎn)介DIODES 的DMN2015UFDF這款新一代 20V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(on)，同時(shí)保持卓越的開關(guān)性能。該器件

2023-06-30 16:25:18

DMN2015UFDE 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

DMN2015UFDE 產(chǎn)品簡(jiǎn)介DIODES 的DMN2015UFDE這款新一代 20V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(on)，同時(shí)保持卓越的開關(guān)性能。該器件

2023-06-30 16:13:40

DMN2013UFDE 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

DMN2013UFDE產(chǎn)品簡(jiǎn)介DIODES 的DMN2013UFDE 這款新一代 20V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(on)，同時(shí)保持卓越的開關(guān)性能。該器件非常適合

2023-06-30 15:30:05

DMN10H170SK3 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

DMN10H170SK3 產(chǎn)品簡(jiǎn)介DIODES 的 DMN10H170SK3這款新一代 100V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(on)，同時(shí)保持卓越的開關(guān)性能

2023-06-29 15:10:47

增強(qiáng)型和耗盡型MOSFET之間的區(qū)別是什么？

MOSFET可進(jìn)一步分為耗盡型和增強(qiáng)型。這兩種類型都定義了MOSFET的基本工作模式，而術(shù)語MOSFET本身是金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的縮寫。

2023-06-28 18:17:13

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HY1908D/U/V N溝道增強(qiáng)型MOSFET規(guī)格書

HY1908D/U/V N溝道增強(qiáng)型MOSFET規(guī)格書免費(fèi)下載。

2023-06-14 17:04:04

GaN單晶襯底顯著改善HEMT器件電流崩塌效應(yīng)

最重要的器件之一，在功率器件和射頻器件領(lǐng)域擁有廣泛的應(yīng)用前景。HEMT器件通常是在硅(Si)、藍(lán)寶石(Al2O3)、碳化硅(SiC)等異質(zhì)襯底上通過金屬有機(jī)氣象外延(MOCVD)進(jìn)行外延制備。由于異質(zhì)

2023-06-14 14:00:55

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芯圣電子推出增強(qiáng)型8位觸摸單片機(jī)——HC89F3XX1系列

HC89F3XX1系列是芯圣電子推出的增強(qiáng)型8位觸摸單片機(jī)，內(nèi)置增強(qiáng)型 8051 內(nèi)核，擁有最大32K的ROM、256Bytes的IRAM以及1K的XRAM。

2023-06-01 16:39:56

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[4.19.1]--增強(qiáng)型-增強(qiáng)型MOS倒相器3.5.3增強(qiáng)型-耗盡型MOS

元器件半導(dǎo)體器件

jf_75936199發(fā)布于 2023-05-22 23:15:43

中微CMS8S6990增強(qiáng)型1T 8051，16KB Flash無線充方案MCU

應(yīng)用領(lǐng)域： 增強(qiáng)型1T 8051，16KB Flash，最快48MHz外設(shè)運(yùn)行，雙運(yùn)放，雙比較器，PGA，數(shù)字功能自由映射。 CMS8S69xx系列MCU具有豐富的模擬外設(shè)，可簡(jiǎn)化產(chǎn)品外圍電路，被

2023-05-18 09:26:34

中微CMS80F231x系列增強(qiáng)型1T 8051 Flash MCU

應(yīng)用領(lǐng)域： ? CMS80F231x系列MCU，增強(qiáng)型1T 8051 Flash MCU，最快支持48MHz外設(shè)運(yùn)行，24MHz內(nèi)核運(yùn)行，被廣泛應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)智能家居、新能源、醫(yī)療電子、小家電、電機(jī)

2023-05-11 11:10:28

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2.1V-5.5V、增強(qiáng)型1T 8051 Flash MCU

MS80F751x系列MCU是增強(qiáng)型1T 8051 Flash MCU，最快支持48MHz外設(shè)運(yùn)行，24MHz內(nèi)核運(yùn)行，工作電壓2.1V-5.5V，GPIO最多可達(dá)30個(gè)，內(nèi)置LCD/LED驅(qū)動(dòng)模塊

2023-05-06 09:28:45

絕緣柵GaN基平面功率開關(guān)器件技術(shù)

GaN基功率開關(guān)器件能實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的電能轉(zhuǎn)換效率和工作頻率，得益于平面型AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)中高濃度、高遷移率的二維電子氣（2DEG）。圖1示出絕緣柵GaN基平面功率開關(guān)的核心器件增強(qiáng)型AlGaN/GaN MIS/MOS-HEMT的基本結(jié)構(gòu)。

2023-04-29 16:50:00

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《漲知識(shí)啦21》之增強(qiáng)型 HEMT器件的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

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