手冊說L9369的PROM不是非易失存儲，那么如果芯片掉電（VBP），PROM中的數(shù)據(jù)是否會全部丟失？
EPB應(yīng)用是否要求VBP掛KL30上
2024-03-21 07:19:54
嵌入式鐵電存儲器可實現(xiàn)超低功耗微控制器的設(shè)計。將鐵電存儲器添加到微控制器中可以進(jìn)行快速可靠的非易失性數(shù)據(jù)存儲與處理，是存儲系統(tǒng)狀態(tài)、數(shù)據(jù)記錄及在多種應(yīng)用的非易失性的理想選擇，例如傳感器與計量儀表到
2024-03-06 09:57:22
3 月 5 日消息，美光科技公司計劃率先支持佳能的納米印刷技術(shù)，從而進(jìn)一步降低生產(chǎn) DRAM 存儲芯片的單層成本。 美光公司近日舉辦了一場演講，介紹在將納米印刷技術(shù)應(yīng)用于 DRAM 生產(chǎn)的一些細(xì)節(jié)
2024-03-06 08:37:35
61 近期的演示會上，美光詳細(xì)闡述了其針對納米印刷與DRAM制造之間的具體工作模式。他們提出，DRAM工藝的每一個節(jié)點以及浸入式光刻的精度要求使得物理流程變得愈發(fā)復(fù)雜。
2024-03-05 16:18:24190 三星作為行業(yè)領(lǐng)軍者，在本季度DRAM營收達(dá)到79.5億美元，環(huán)比增長近50％，主要受益于1αnm DDR5的出貨提速，服務(wù)器DRAM出貨量躍增逾60％。
2024-03-05 15:40:57162 DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）存儲器主要通過電容來存儲信息。這些電容用于存儲電荷，而電荷的多寡則代表了一個二進(jìn)制位是1還是0。
2024-02-19 10:56:36264 
近日，三星電子宣布在硅谷設(shè)立下一代3D DRAM研發(fā)實驗室，以加強其在存儲技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。該實驗室的成立將專注于開發(fā)具有更高性能和更低功耗的3D DRAM，以滿足不斷增長的數(shù)據(jù)存儲需求。
2024-01-31 11:42:01362 的能力。
SD NAND FLASH 的主要特點包括：
安全性：SD NAND FLASH 提供了硬件和軟件層面的安全性保護(hù)，包括加密和訪問控制，以確保存儲的數(shù)據(jù)不容易被盜取或篡改。
高密度
2024-01-24 18:30:00
近日，三星宣布正在研發(fā)一種新型的LLW DRAM存儲器，這一創(chuàng)新技術(shù)具有高帶寬和低功耗的特性，有望引領(lǐng)未來內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展。
2024-01-12 14:42:03282 有存儲模組廠收到三星2024年第一季度將DRAM價格提高至少15%的通知。但三星并未提及NAND閃存定價，但預(yù)計NAND價格將繼續(xù)上漲。2023年12月DRAM價格上漲2%-3%，大幅提升DRAM價格，但低于當(dāng)月3D TLC NAND約10%的漲幅。
2024-01-08 16:43:54466 根據(jù)最新的存儲器模組行業(yè)消息，隨著自2023年下半年以來NAND Flash價格一路攀升，三星電子和美光等主要存儲器制造商計劃在Q1上調(diào)DRAM價格，漲幅預(yù)計將達(dá)到15%-20%。 業(yè)內(nèi)分析師指出
2024-01-03 18:14:16872 隨著上游原廠醞釀提價，多家存儲器模塊業(yè)者已經(jīng)開始備貨，以應(yīng)對潛在的市場變化。預(yù)計供應(yīng)給OEM廠商的合約價將在二季度起全面反映DRAM的漲價趨勢。
2024-01-03 15:34:13733 部分存儲模組廠已接到三星通知，要求明年年初至少將DRAM價格上調(diào)15%以上，且該通知并未涉及NAND閃存定價，故預(yù)計后者將會持續(xù)上漲。DRAM價格在去年年底上漲2%-3%，不及3D TLC NAND約10%；
2024-01-03 10:46:21550 RAM來維持它的運行和使用，只有在保存相關(guān)文件時才會轉(zhuǎn)存到 microSD 卡。
正是這種搭配才使得核桃派有了易失性和非易失性的記憶，RAM 是掉電不保存，而 microSD 卡則是掉電保存。
核桃派
2024-01-01 21:58:36
DRAM芯片全稱是動態(tài)隨機存儲器，是一種隨機存儲器（RAM），與CPU直接交換數(shù)據(jù)，可隨時讀寫且速度快，斷電后存儲數(shù)據(jù)丟失，是易失性存儲器，也就是俗稱的“內(nèi)存”。
2023-12-26 12:25:561003 
從存儲芯片的市場表現(xiàn)來看，兩大類別DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）與NAND Flash（閃存存儲器）目前的價格較今年谷底都出現(xiàn)了上漲。
2023-12-19 15:19:32136 直線電機怎樣優(yōu)化它的速度環(huán)，有什么標(biāo)準(zhǔn)
2023-12-15 07:35:15
描述AT28C256是一種高性能的電可擦可編程只讀存儲器。它的256K內(nèi)存由8位的32，768個字組成。該器件采用Atmel先進(jìn)的非易失性CMOS技術(shù)制造，訪問時間高達(dá)150 ns，功耗僅為440
2023-12-08 15:05:01
dram和nand的區(qū)別? DRAM和NAND是兩種不同類型的存儲器。DRAM（Dynamic Random Access Memory）是一種隨機存取存儲器，而NAND（Not AND）是一種邏輯
2023-12-08 10:32:003905 DRAM芯片市場一直以來主要由三星、SK海力士和美光三家海外存儲廠商主導(dǎo)，東海證券在今年9月份發(fā)表的一份研報中指出，在2023年第二季度，三星電子占全球DRAM市場營收的38.14%，SK海力士占比達(dá) 32.29%，美光的市占率也達(dá)到25.03%，市場高度集中。
2023-12-05 16:26:31507 該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。 該芯片
2023-11-27 16:41:47
該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)
2023-11-27 16:37:59
易失性存儲和精確的實時時鐘，本文推薦使用國產(chǎn)PB85RS2MC鐵電存儲器用于該存儲系統(tǒng)中。鐵電存儲器PB85RS2MC在系統(tǒng)主要是實現(xiàn)數(shù)據(jù)的非易失性存儲和的實時時
2023-11-27 10:17:05
DRAM制造技術(shù)進(jìn)入10nm世代（不到20nm世代）已經(jīng)過去五年了。過去五年，DRAM技術(shù)和產(chǎn)品格局發(fā)生了巨大變化。因此，本文總結(jié)和更新了DRAM的產(chǎn)品、發(fā)展和技術(shù)趨勢。
2023-11-25 14:30:15536 
芯片制造商正在使用更多的DRAM。在某些情況下，DRAM——尤其是高帶寬存儲器（HBM）——正在取代一些SRAM。DRAM在耐用性方面有著良好的記錄，也有成熟的工藝，而且比SRAM便宜得多
2023-11-22 16:36:08476 
20世紀(jì)70 年代到 90年代中期，動態(tài)隨機存取存儲器 (Dynamic Random Access Memory ，DRAM) 采用的是異步接口，這樣它可以隨時響應(yīng)控制輸入信號的變化從而直接影響
2023-11-17 09:26:27378 DRAM有多種類型可供選擇。有些速度非?？欤鏗BM，但也很昂貴。其他類型速度較慢，但價格便宜，如基本的DDR DIMM。然而，變化的是，在異構(gòu)架構(gòu)中，兩者都可以發(fā)揮重要作用，以及多種其他DRAM類型和更狹義的存儲器，如MRAM或ReRAM。
2023-11-15 11:27:13243 
但是，存儲芯片大企業(yè)的價格已經(jīng)出現(xiàn)上漲跡象。還有外電報道說，已經(jīng)從dram開始的存儲器價格上升趨勢正在擴大到nand閃存。
2023-11-13 14:53:28487 存儲分為大存儲和利基存儲兩大塊。大存儲包括用于手機、PC和服務(wù)器的DRAM以及3D Nand，主要供應(yīng)商為以三星為代表的國際頭部廠商。
2023-11-07 14:22:09133 筆電DDR5 16Gb SO-DIMM 高容量存儲器模組合約價，10 月也較9 月上漲11.5%，到每單位33 美元。智能手機DRAM合約價也開始漲價。TrendForce 預(yù)計第四季行動DRAM
2023-11-03 17:23:09959 單片機的存儲器主要有幾個物理存儲空間
2023-11-01 06:22:38
在2023年2月在國際學(xué)會ISSCC上，三星電子正是披露了公司研發(fā)的存儲容量為24Gbit的DDR5 DRAM的概要（下圖左）和硅芯片（下圖右）。
2023-10-29 09:46:58783 
SSD主要由控制單元和存儲單元(當(dāng)前主要是FLASH閃存顆粒)組成，控制單元包括SSD控制器、主機接口、DRAM等,存儲單元主要是NAND FLASH顆粒。
2023-10-27 10:27:03198 
描述AT28C256是一種高性能的電可擦可編程只讀存儲器。它的256K內(nèi)存由8位的32，768個字組成。該器件采用Atmel先進(jìn)的非易失性CMOS技術(shù)制造，訪問時間高達(dá)150 ns，功耗僅為440
2023-10-26 10:45:10
EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時開啟非易失性CPLD,處理器EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時開啟非易失性CPLD,處理器
2023-10-24 15:38:16
本文將介紹芯片設(shè)計中動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）的相關(guān)知識，包括其工作原理、分類以及在現(xiàn)代電子設(shè)備中的應(yīng)用。
2023-10-23 10:07:34816 如何捕捉并重現(xiàn)稍縱即失的瞬時信號？
2023-10-18 06:26:54
使用，需要增添片外存儲器。因此鐵電存儲器（FRAM）是便攜式醫(yī)療設(shè)備的理想解決方案。1、高寫入耐久度PB85RS2MC是通過鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存
2023-10-16 10:13:25
非易失性的新技術(shù)，力求制造出同時替代閃存和DRAM的通用存儲。 ? ULTRARAM 與閃存和DRAM的區(qū)別 ? 閃存和DRAM作為已經(jīng)被行業(yè)使用了數(shù)十年的存儲形式，因為其特性不同，往往只能被分別用于特定場景中。以閃存為例，其具有非易失性、非破壞性讀出和高度擴展性等特點，但缺點在于
2023-10-09 00:10:001311 在當(dāng)前我們比較熟悉的存儲產(chǎn)品就是DRAM和NAND，DRAM和NAND也一直在尋求高帶寬和低功耗的發(fā)展。
2023-10-07 10:18:221688 
眾所周知，鐵電存儲器（FRAM）是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的非易失性、隨機存取兩個特長的鐵電隨機存儲器。本文所提到的國產(chǎn)鐵電存儲器PB85RS2MC在數(shù)據(jù)保持上，不僅不需要備用電池，而且
2023-09-27 10:00:51
內(nèi)存應(yīng)該是每個硬件工程師都繞不開的話題，稍微復(fù)雜一點的系統(tǒng)都需要用到DRAM，并且DRAM是除CPU之外，最為復(fù)雜也最貴的核心部件了，其設(shè)計，仿真，調(diào)試，焊接，等等都非常復(fù)雜，且重要。對DRAM
2023-09-25 11:38:421902 
SSD主要由控制單元和存儲單元(當(dāng)前主要是FLASH閃存顆粒)組成，控制單元包括SSD控制器、主機接口、DRAM等,存儲單元主要是NAND FLASH顆粒。
2023-09-25 09:45:51161 
據(jù)消息人士透露，nand閃存價格從第三季度初的最低點開始逐漸反彈，到目前為止已經(jīng)上漲了10%以上。他表示：“nand價格上漲將為dram價格上漲營造有利的市場氛圍。存儲器模塊制造企業(yè)正在密切關(guān)注dram價格反彈的時間。
2023-09-20 10:19:50503 日前有消息稱，存儲芯片領(lǐng)域正在迎來一輪明顯的復(fù)蘇，特別是移動DRAM芯片銷售行業(yè)。
2023-09-14 10:42:471045 在下面的圖中顯示了堆疊式DRAM存儲節(jié)點相關(guān)部分的結(jié)構(gòu)圖。下圖(a)顯示了堆疊式DRAM存儲節(jié)點接觸(SNC)結(jié)構(gòu)。
2023-09-08 10:02:25592 
飛思卡爾的Kinetis設(shè)備提供FlexMemory技術(shù)，該技術(shù)為靈活的內(nèi)存使用提供了多功能和強大的解決方案。
FlexMemory由FlexNVM和FlexRAM組成。
FlexNVM是一種非易失
2023-09-04 06:29:35
新能源汽車的核心技術(shù)是大家熟知的動力電池、電池管理系統(tǒng)和整車控制單元。車載電子控制系統(tǒng)對于存取各類傳感器資料的需求持續(xù)增加，因此對于高性能非易失性存儲技術(shù)的需求也越來越高，因為當(dāng)系統(tǒng)在進(jìn)行資料分析
2023-09-01 10:04:52
內(nèi)存芯片在驅(qū)動ic市場和ic技術(shù)發(fā)展方面發(fā)揮了重要作用。市場上兩個主要的內(nèi)存產(chǎn)品分別是DRAM和NAND。
2023-09-01 09:43:093290 
軟件可能會允許惡意行為者不正當(dāng)?shù)貜奶貦?quán)內(nèi)存(DRAM或CPU緩存)中收集少量敏感數(shù)據(jù)。
·ARM認(rèn)為這些利用不會損壞、修改或刪除數(shù)據(jù)。
·所有變體都基于導(dǎo)致高速緩存分配的推測性內(nèi)存訪問。
然后，可以
2023-08-25 07:15:47
用MEMS技術(shù)制造的新型傳感器，就稱為MEMS傳感器。一般傳感器的主要構(gòu)造有敏感元件、轉(zhuǎn)換元件、變換電路和輔助電源四部分組成。那么，MEMS傳感器的主要構(gòu)造是怎樣的呢？
2023-08-23 17:38:541182 
DRAM（Dynamic Random Access Memory）存儲器的存儲元是電容器和晶體管的組合。每個存儲單元由一個電容器和一個晶體管組成。電容器存儲位是用于存儲數(shù)據(jù)的。晶體管用于控制電容器
2023-08-21 14:30:021022 動態(tài)隨機存取存儲器 (DRAM) 是一種集成電路，目前廣泛應(yīng)用于需要低成本和高容量內(nèi)存的數(shù)字電子設(shè)備，如現(xiàn)代計算機、顯卡、便攜式設(shè)備和游戲機。 技術(shù)進(jìn)步驅(qū)動了DRAM的微縮，隨著技術(shù)在節(jié)點間迭代，芯片整體
2023-08-08 14:24:12744 
在過去一段時間內(nèi)，存儲器市場遭受了來自PC和智能手機需求低迷的嚴(yán)重沖擊，導(dǎo)致DRAM價格持續(xù)下跌，整個行業(yè)景氣不振。特別是用于智能手機和PC上暫存數(shù)據(jù)的DRAM，價格長期跌跌不休，給廠商帶來了巨大
2023-08-03 15:18:57841 動態(tài)隨機存取存儲器 (DRAM) 是一種集成電路，目前廣泛應(yīng)用于需要低成本和高容量內(nèi)存的數(shù)字電子設(shè)備，如現(xiàn)代計算機、顯卡、便攜式設(shè)備和游戲機。
2023-08-03 12:27:03649 
據(jù)日經(jīng)新聞7月31日報導(dǎo)，面向智能手機、PC的消費量DRAM價格已經(jīng)連2個月呈現(xiàn)持平（價格未下跌）
2023-08-02 18:25:48351 動態(tài)存儲運行時數(shù)據(jù)在神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的推理過程中。
?AXI接口M1用于允許更低帶寬和更高帶寬的內(nèi)存事務(wù)
延遲因此，AXI M1接口可以連接到較慢或較少突發(fā)的存儲器例如閃存或DRAM。內(nèi)存用于運行時的非易失性
2023-08-02 06:37:01
DRAM（Dynamic Random Access Memory）存儲器是一種易失性存儲器，意味著當(dāng)斷電時，存儲在其中的信息會丟失。這是因為DRAM使用電容來存儲數(shù)據(jù)，電容需要持續(xù)地充電來保持?jǐn)?shù)據(jù)的有效性。一旦斷電，電容會迅速失去電荷，導(dǎo)致存儲的數(shù)據(jù)丟失。
2023-07-28 15:02:032204 MXD1210非易失性RAM控制器是一款超低功耗CMOS電路，可將標(biāo)準(zhǔn)（易失性）CMOS RAM轉(zhuǎn)換為非易失性存儲器。它還會持續(xù)監(jiān)控電源，以在RAM的電源處于邊際（超出容限）條件時提供RAM寫保護(hù)
2023-07-21 15:01:52
該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。 該芯片
2023-07-18 17:13:33
該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。 該芯片
2023-07-18 17:08:13
兼容12個內(nèi)核時鐘周期。片內(nèi)集成有62 KB非易失性Flash/EE程序存儲器。片內(nèi)同時集成4 kB非易失性Flash/EE數(shù)據(jù)存儲器、256字節(jié)RAM和2 kB擴
2023-07-14 17:15:06
DS28E80為用戶可編程非易失存儲器芯片。與浮柵存儲單元相比，DS28E80采用了耐γ輻射的存儲單元技術(shù)。DS28E80具有248字節(jié)用戶存儲器，分成8字節(jié)大小的存儲塊，每個存儲塊可具有寫保護(hù)
2023-07-13 17:01:58
DS28E80為用戶可編程非易失存儲器芯片。與浮柵存儲單元相比，DS28E80采用了耐γ輻射的存儲單元技術(shù)。DS28E80具有248字節(jié)用戶存儲器，分成8字節(jié)大小的存儲塊，每個存儲塊可具有寫保護(hù)
2023-07-13 11:31:16
為了實現(xiàn)這一功能，還必須適合用于輔助計算的dram。現(xiàn)有智能手機使用的移動dram的速度是有限的。sk海力士根據(jù)蘋果公司的要求，提供了最適合操作r1芯片的dram。大幅增加了輸入/輸出（i/o）頻道的數(shù)量，可以將數(shù)據(jù)迅速傳送到存儲器內(nèi)外。
2023-07-12 09:39:56375 據(jù)悉，DRAM批發(fā)價格為存儲廠商和客戶間每個月或每季敲定一次。業(yè)內(nèi)人士稱，目前價格還在季末的拉鋸戰(zhàn)中，個別廠商面對的情況不一樣，若下游企業(yè)本身的庫存水位高，會不會接受價格調(diào)整還需再觀察。
2023-06-29 15:41:10262 存儲芯片行業(yè)目前正面臨長時間虧損衰退的情況，DRAM價格已經(jīng)跌至不可再降的水平，但巨頭廠商似乎計劃推動價格上漲。
2023-06-29 14:57:32617 據(jù)悉，
dram的批發(fā)價格是
存儲器事業(yè)者和顧客公司之間每個月或每個季度決定的。業(yè)界人士表示：“目前價格還處于季節(jié)的最后階段，因此個別制造企業(yè)面臨的狀況有所不同?！辈⒎Q：“如果下級企業(yè)的庫存水位上升，是否會受到價格調(diào)整，還需要進(jìn)一步觀察?！?/div>
2023-06-29 11:00:47393 ，非易失性存儲器在計算機關(guān)閉后存儲數(shù)據(jù)仍保留在計算機中。易失性存儲器的主要特征是它們需要電源來維持其存儲狀態(tài)。主要分為兩種類型：靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)和動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)。 1963年，F(xiàn)airchild發(fā)明了SRAM。作為即1959年I
2023-06-28 09:05:28874 半導(dǎo)體存儲器一般可分為易失性(Volatile Memory)和非易失性存儲器(Non Volatile Memory)。易失性存儲器是指數(shù)據(jù)信息只有在通電條件下才能保存，斷電后數(shù)據(jù)會丟失，主要
2023-06-25 14:30:181959 
DRAM錯誤數(shù)據(jù)主要通過Linux檢錯糾錯驅(qū)動程序采集。同時獲取每個CE的微觀地址信息，即channel、rank、bank、row和column。
2023-06-01 14:34:21183 
存儲器是集成電路領(lǐng)域的通用器件，其市場用量巨大，從類型上分為 ROMEPROM、E2PROM、SRAM、DRAM、FLASH 等。
2023-05-30 09:56:44251 
我們正在構(gòu)建一個設(shè)備來測量消耗。電路 ACS712 讀取那一刻的消耗量，所以，我需要做一個每秒累加的方法。問題：非易失性內(nèi)存有寫入限制，所以我需要使用易失性內(nèi)存。寫入易失性存儲器是否有一些限制？我們的想法是每秒讀取一次 ACS712 并寫入易失性存儲器，每 10 分鐘寫入一次非易失性存儲器。
2023-05-30 08:48:06
內(nèi)存系統(tǒng)：緩存、DRAM、磁盤是第一本以某種方式呈現(xiàn)整個層次結(jié)構(gòu)的書一致性，涵蓋完整的內(nèi)存層次結(jié)構(gòu)，并以重要的細(xì)節(jié)處理每個方面。這本書作為專家設(shè)計人員的權(quán)威參考手冊，但是它是如此完整，以至于可以
2023-05-26 15:42:59
0 DRAM 連接32位SDRAM時，最大支持64Mx32bit？
2023-05-26 07:27:07
器。由于它只使用一個MOS管來存信息，所以集成度可以很高，容量能夠做的很大。SDRAM比它多了一個與CPU時鐘同步。
DRAM分為很多種，常見的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM
2023-05-19 15:59:37
;
Adafruit_MCP23017 mcp;
易失性無符號長 last_interrupt；// 用于存儲上次中斷的時間（以毫秒為單位），用于去抖動
int debounce_delay = 100
2023-05-19 09:44:15
設(shè)備和RAM。
NOR Flash和NAND Flash都是非易失性存儲介質(zhì)，即使沒有電源，也可以保留數(shù)據(jù)。MultiMediaCard (MMC)和Secure Digital (SD)卡是符合相應(yīng)
2023-05-18 14:13:37
汽車是半導(dǎo)體行業(yè)增長最快的領(lǐng)域之一。據(jù)預(yù)測，汽車領(lǐng)域內(nèi)存（DRAM）與存儲（NAND/ NOR）市場總值將從 2021 年的 40 億美元增長到 2025 年的 100 億美元 （如圖 1 所示
2023-05-17 09:33:18417 
基于先進(jìn)CXL 2.0的128GB CXL DRAM將于今年量產(chǎn)，加速下一代存儲器解決方案的商用化
2023-05-15 17:02:10179 SRAM（Static RAM）不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)？其中的“刷新電路”什么意思？謝謝~
2023-05-10 14:56:06
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/周凱揚）在存儲行業(yè)有些萎靡不振的當(dāng)下，大部分廠商都在絞盡腦汁地去庫存，也有的廠商考慮從新的技術(shù)方向給存儲行業(yè)注入生機，比如最近發(fā)布了3D X-DRAM技術(shù)的NEO
2023-05-08 07:09:001982 
文件。我為配置工具提供了一個自定義的 dcd.bin 文件。
最近我對我的程序進(jìn)行了更改：我更改了分散文件以將目標(biāo)文件之一存儲在 DRAM 的未緩存部分中。由于我進(jìn)行了此更改，配置工具在嘗試構(gòu)建
2023-04-28 07:02:14
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶） SK海力士近日發(fā)布全球首次實現(xiàn)垂直堆疊12個單品DRAM芯片，成功開發(fā)出最高容量24GB的HBM3 DRAM新產(chǎn)品。
2023-04-23 00:01:002616 
我目前正在使用 YOCTO sumo linux 內(nèi)核 L4.14.98-2.3.1 和 imx6ul。在我的應(yīng)用程序中，我們需要將安全數(shù)據(jù)（例如密鑰）存儲在安全非易失性存儲 (SNVS) 區(qū)域
2023-04-14 07:38:45
中，車載電子系統(tǒng)設(shè)計的復(fù)雜度顯著提升，對于存儲產(chǎn)品而言，大容量、實時響應(yīng)、高可靠性和安全性必不可少，兆易創(chuàng)新車規(guī)級GD25/55 SPI NOR Flash和GD5F SPINAND Flash具有豐富
2023-04-13 15:18:46
我想用非易失性密鑰獲取CMAC值（僅驗證甚至可以）。我正在使用修改后的“csec_boot_protection_s32k148”項目。初始化 CSEc 模塊后，我使用給定的指令加載密鑰 ROM
2023-04-10 06:34:32
具有非易失性，即使切斷電源，信息也不會丟失，而且它和DRAM一樣可隨機存取。表1存儲器的技術(shù)規(guī)格比較在性能方面，自旋注入MRAM的讀取1擦寫時間都很短，均在2ns~20ns之間。它不需要閃存所必需
2023-04-07 16:41:05
FM33256B-G器件將FRAM存儲器與基于處理器的系統(tǒng)最常用的功能集成在一起，主要功能包括非易失性存儲器，實時時鐘，低VDD復(fù)位，看門狗定時器，非易失性事件計數(shù)器，可鎖定的64位序列號區(qū)域以及
2023-04-07 16:23:11
在CH573存儲中，分為用戶應(yīng)用程序存儲區(qū)CodeFlash，用戶非易失數(shù)據(jù)存儲區(qū)DataFlash,系統(tǒng)引導(dǎo)程序存儲區(qū)Bootloader，系統(tǒng)非易失配置信息存儲區(qū)InfoFlash。一般在使用時
2023-04-07 11:46:50
三相異步電動機為什么會旋轉(zhuǎn)？怎樣改變它的方向？
2023-04-07 10:12:18
請教一下大神伺服電機
失步時是
怎樣得到補償?shù)模?/div>
2023-03-23 15:34:44
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