如何選擇非易失性SRAM，如何解決SRAM的數(shù)據(jù)保存問題

隨著半導體技術(shù)的飛速發(fā)展，各種存儲器相繼推出，性能不斷提高。目前存儲器主要有以下幾種類型：靜態(tài)RAM（SRAM），動態(tài)RAM（DRAM）EPROM，EEPROM，F(xiàn)LASH MEMORY。這里討論一種由普通SRAM、后備電池以及相應(yīng)控制電路集成的新型存儲器：非易失性SRAM（NVSRAM）。

為解決SRAM的數(shù)據(jù)保存問題，國外著名半導體公司率先推出了可以完全替代SRAM的NV-SRAM系列產(chǎn)品，國內(nèi)也有同類產(chǎn)品相繼問世。面對眾多的NVSRAM產(chǎn)品，廣大用戶如何選擇質(zhì)優(yōu)價廉的產(chǎn)品呢？建議用戶根據(jù)以下幾個性能指標和價格進行選擇：

一、保護數(shù)據(jù)的可靠性：指系統(tǒng)上、掉電期間NVSRAM是否被誤寫，這是NVSRAM最重要的一項性能指標，也是用戶最關(guān)心而又難以在購買時測試的。雖然各廠家都聲稱自己的產(chǎn)品萬無一失保護數(shù)據(jù)，其實真正做到這一點的卻很少。大多數(shù)NVSRAM產(chǎn)品使用時會丟失數(shù)據(jù)，給用戶帶來很多問題和不便。這主要有以下幾個原因：上電無保護延時，上電期間丟失數(shù)據(jù);掉電時主電源電壓下降快，保護電路不能快速將SRAM的供電從主電源切換到備用電池，或?qū)RAM的片選信號的封鎖不及時。

二、保護電壓：設(shè)置保護電壓主要是為了防止上。掉電期間數(shù)據(jù)的誤寫。對于用戶來說，在完全可靠保護數(shù)據(jù)的前提下，保護電壓越低越好。

三、上電保護延時：這是指系統(tǒng)上電時，當VCC高于保護電壓時，NV-SRAM延時多長時間才可以訪問。這個延時是必要的，因為VCC高于保護電壓時系統(tǒng)不一定正常工作，有可能正處于復位狀態(tài)或不確定狀態(tài)，極有可能誤定NVSRAM。NVSRAM內(nèi)部電路加以必要的保護延時可以有效地防止上電期間的誤寫。用戶在使用NVSRAM時要注意產(chǎn)品的延時參數(shù)，系統(tǒng)工作時最好先測試一下NVSRAM是否已可以訪問;或在初始化程序中加一段延時程序。

四、使用溫度范圍：某些NVSRAM產(chǎn)品保護電壓會隨溫度變化而變化。如果使用NV-SRAM的系統(tǒng)要求的溫度范圍較大，則可以用以下辦法做簡單測試：將NVSRAM放在冰箱速凍室半小時左右，再立即插人系統(tǒng)使用，測試系統(tǒng)能否正常讀寫NV-SRAM。

五、訪問速度：各類NV-SRAM產(chǎn)品上都標有訪問速度，用戶可以根據(jù)自己應(yīng)用系統(tǒng)的要求進行選擇。

六、功耗及使用壽命：國外產(chǎn)品都使用低功耗芯片，內(nèi)部控制電路在系統(tǒng)正常工作時電流小于1mA，系統(tǒng)掉電時切換到電池供電，此時的電流僅為100nA左右。NV-SRAM都使用鋰電池作后備電源，由于鋰電池自耗電極低，NVSRAM的使用壽命一般可到十年左右。

七、價格：總的來說，國外產(chǎn)品價格昂貴，國內(nèi)產(chǎn)品價格便宜，但是對于要丟失數(shù)據(jù)的芯片，即使價格再便宜，建議用戶也不要選用。

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存儲器(161608) 存儲器(161608)
sram(113777) sram(113777)

NUCLEO-STM32H723ZG使用MDAM、DMA1/2在SRAM間傳輸數(shù)據(jù)錯誤或不傳輸?shù)脑颍?/a>

為0xFF，目的地址后64kb全部初始化為0，傳輸64kb數(shù)據(jù)，發(fā)現(xiàn)目的地址傳輸?shù)?b class="flag-6" style="color: red">數(shù)據(jù)有部分丟失，隔10幾個地址就全是0（猜測未傳輸成功） 2、源地址：0x30000000（D2域 SRAM

2024-03-19 07:32:40

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2024-03-15 10:17:20

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2024-03-15 10:07:03

具有SRAM和200mΩ RSENSE的TPS23882 3型2 線對8通道PoE PSE控制器數(shù)據(jù)表

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2024-01-04 10:46:19

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2023-12-20 09:31:27

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sram讀寫電路設(shè)計

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西門子 EDA的內(nèi)存技術(shù)專家Jongsin Yun說， SRAM 的微縮滯后于邏輯收縮，主要是由于最新技術(shù)中嚴格的設(shè)計規(guī)則。過去，我們對 SRAM 有單獨的設(shè)計規(guī)則，這使我們能夠比基于邏輯晶體管

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ShareMemory，顧名思義就是共享內(nèi)存。這個概念在很多計算機系統(tǒng)中都存在，本文特指 EC SRAM 映射到 CPU Memory 空間的共享內(nèi)存設(shè)計。

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SRAM，存儲器的新未來

SRAM 的數(shù)量是任何人工智能處理解決方案的關(guān)鍵要素，它的數(shù)量在很大程度上取決于您是在談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">數(shù)據(jù)中心還是設(shè)備，或者是訓練還是推理。但我想不出有哪些應(yīng)用程序在處理元件旁邊沒有至少大量的 SRAM，用于運行人工智能訓練或推理。

2023-11-12 10:05:05

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AT32F系列使用DMA將數(shù)據(jù)從FLASH傳輸?shù)?b class="flag-6" style="color: red">SRAM的使用方法

AT32F系列使用DMA將數(shù)據(jù)從FLASH傳輸?shù)?b class="flag-6" style="color: red">SRAM

2023-10-27 07:58:50

EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時開啟非易失性CPLD,處理器

EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時開啟非易失性CPLD,處理器EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時開啟非易失性CPLD,處理器

2023-10-24 15:38:16

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2023-10-24 07:49:15

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如何查看MDK編譯后程序所占用的Flash和SRAM資源的大?。?另外在.s啟動文件中堆和棧的大小又該如何分配？

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2023-10-24 06:17:32

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2023-10-20 07:39:21

將函數(shù)加載到Flash或SRAM指定地址的方法

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2023-10-20 06:10:59

SRAM的的數(shù)據(jù)在掉電后還能保存嗎？

掉電后還能讀取到SRAM的數(shù)據(jù)嗎

2023-10-15 09:24:03

STM8可以實現(xiàn)從SRAM啟動程序嗎？

STM8可以實現(xiàn)從SRAM啟動程序嗎

2023-10-09 07:38:29

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硬件面試的時候，看到應(yīng)聘者簡歷上寫著，有過AMD工作或?qū)嵙暯?jīng)歷，熟悉CPU和內(nèi)存。于是我問，那請你畫一下SRAM和DRAM的基本cell出來，然后簡要說一下工作原理及特點，但是沒能說出來。

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如何提高SRAM的讀取速度？

如何提高SRAM的讀取速度

2023-09-28 06:28:57

請問FSMC外擴SRAM數(shù)據(jù)之間是怎么傳送的？

FSMC外擴SRAM數(shù)據(jù)之間是怎么傳送的？先保存在FSMC再傳送外擴SRAM

2023-09-27 06:03:22

使用SRAM來代指對SRAM和PSRAM芯片的支持

使用MM32F3270 FSMC驅(qū)動SRAM

2023-09-18 16:29:50

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使用M032在SRAM中運行ISR

應(yīng)用程序: 此示例代碼使用 M032 在 SRAM 中運行 ISR 。 BSP 版本: M031_Series_BSP_CMSIS_V3.03.000 硬件: NuMaker-M032SE

2023-08-31 09:21:19

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應(yīng)用程序: 此示例使用 M487 SPIM 接口訪問 DMM 模式的外部 SRAM 。 BSP 版本: M480_BSP_CMSIS_V3.05.001 硬件: NuMaker-PFM-M487

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如何使用mermoc () 從堆中分配EBI SRAM

NUC472/NUC472/NUC442系列裝有外部連接設(shè)備的外部公交界面(EBI)。 NUC472/NUC442 EBI便利連接控制界面由地址、數(shù)據(jù)、芯片選擇和讀/寫斯特羅貝組成的設(shè)備,例如NOR閃光

2023-08-23 06:35:44

SRAM型FPGA的抗輻照加固設(shè)計

讓一顆SRAM型FPGA在太空長期穩(wěn)定運行的難度，就類似練成獨孤九劍的難度。

2023-08-15 10:36:08

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講解一下SRAM型FPGA在軌會遇到的問題及其影響

SRAM型FPGA屬于核心元器件，因此對SRAM型FPGA進行抗輻照加固設(shè)計非常必要。今天貧道主要給大家布道一下SRAM型FPGA在軌會遇到的問題及其影響。

2023-08-11 10:32:46

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SRAM型FPGA在軌會遇到的問題及其影響

2023-08-11 10:30:45

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NUCLEO-STM32H723ZG使用MDAM、DMA1/2在SRAM間傳輸數(shù)據(jù)錯誤或不傳輸?shù)脑颍?/a>

2023-08-07 13:02:00

STM32 FSMC操作SRAM的步驟簡析

本次操作的SRAM的型號是IS62WV51216，是高速，8M位靜態(tài)SRAM。它采用ISSI（Intergrated Silicon Solution, Inc）公司的高性能CMOS技術(shù)，按照512K個字（16）位進行組織存儲單元。

2023-07-22 14:58:56

1092

DS1250是一款芯片

DS1250 4096k、非易失SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個完整的NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容

2023-07-21 15:41:00

DS1245是一款芯片

DS1245 1024k非易失(NV) SRAM為1,048,576位、完全靜態(tài)的非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否

2023-07-21 15:38:54

DS1230是一款芯片

DS1230 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍

2023-07-21 15:37:16

DS1225是一款芯片

DS1225AB及DS1225AD為65,536位、全靜態(tài)非易失(NV) SRAM，按照8位、8192字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍，一旦

2023-07-21 15:29:48

DS1220是一款芯片

DS1220AB及DS1220AD 16k非易失(NV) SRAM為16,384位、全靜態(tài)NV SRAM，按照8位、2048字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC

2023-07-21 15:28:06

DS1345YP-100+是一款監(jiān)測器

DS1345 1024k非易失(NV) SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出

2023-07-21 15:23:14

DS1330是一款芯片

DS1330 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍

2023-07-21 15:20:44

DS1270是一款芯片

DS1270 16M非易失SRAM為16,777,216位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、2,097,152字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍

2023-07-21 15:18:27

DS1265是一款芯片

DS1265 8M非易失SRAM為8,388,608位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍

2023-07-21 15:13:33

DS1249是一款芯片

DS1249 2048k非易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、262,144字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出

2023-07-21 15:11:06

DRAM和SRAM元器件原理

元器件原理＜DRAM＞由1個晶體管、1個電容器構(gòu)成 數(shù)據(jù)的寫入方法＜“1” 時＞ Word線電位為 high Bit線電位為 high Word線電位為 low 元器件原理＜SRAM＞存儲單元

2023-07-12 17:29:08

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一文了解i.MXRTxxx系列片內(nèi)SRAM分區(qū)電源控制

大家好，我是痞子衡，是正經(jīng)搞技術(shù)的痞子。今天痞子衡給大家介紹的是從功耗測試角度了解i.MXRTxxx系列片內(nèi)SRAM分區(qū)電源控制。

2023-07-07 09:58:03

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IP_數(shù)據(jù)表(M-1):SRAM and TCAM

IP_數(shù)據(jù)表(M-1):SRAM and TCAM

2023-07-06 20:12:09

如何保存數(shù)據(jù)在SRAM存儲器中通過SW?

************************************************* ************************************* * 詳細說明： * 這個例子的目的是展示如何保存數(shù)據(jù)在 SRAM 存儲器中通過

2023-06-05 09:47:48

M7-0如何訪問SRAM區(qū)域34A00000~353FFFFF？

（Flexible Memory Controller）模塊，將SRAM地址范圍映射到外部地址線上，然后通過外部總線訪問SRAM，實現(xiàn)對該區(qū)域的訪問。需要注意的是，還需要在代碼中正確配置FMC控制器和外部存儲器的類型、時序等參數(shù)，才能保證數(shù)據(jù)的正確讀寫。

2023-06-01 18:18:45

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非易失性內(nèi)存有寫入限制嗎？

我們正在構(gòu)建一個設(shè)備來測量消耗。電路 ACS712 讀取那一刻的消耗量，所以，我需要做一個每秒累加的方法。問題：非易失性內(nèi)存有寫入限制，所以我需要使用易失性內(nèi)存。寫入易失性存儲器是否有一些限制？我們的想法是每秒讀取一次 ACS712 并寫入易失性存儲器，每 10 分鐘寫入一次非易失性存儲器。

2023-05-30 08:48:06

sram內(nèi)存塊不適合mcal_bss段怎么解決？

: *** [makefile:266: main.elf] 錯誤 1 在查看數(shù)據(jù)表后，我已經(jīng)將 sram 區(qū)域從默認的 28KB 擴展到 34KB。如果我將另一個 1KB 擴展到 35KB，我會

2023-05-19 08:31:12

SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)嗎？

SRAM（Static RAM）不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)？其中的“刷新電路”什么意思？謝謝~

2023-05-10 14:56:06

【正點原子STM32戰(zhàn)艦V4開發(fā)板免費試用】使用外部 SRAM 存放顯示緩存

到了FSMC的NE3端口，地址為19位，數(shù)據(jù)為16位，設(shè)置一下cubemx，時序配置為0；4；0 生成代碼，我這里是用的Makefile 把顯存放在SRAM中，代碼如下 static uint16_t

2023-05-08 20:01:14

如何使用 QDR(TM) II SRAM 和 DDR II SRAM 用戶手冊

如何使用 QDR(TM) II SRAM 和 DDR II SRAM 用戶手冊

2023-04-27 20:25:40

國產(chǎn)512kbit串行SRAM----SCLPSRAC1

EMI Serial SRAM是為串行接口的SRAM，外擴SRAM可以通過使用SPI的接口來將外部RAM添加到幾乎所有應(yīng)用中。串行訪問的靜態(tài)隨機存取存儲器采用先進的CMOS技術(shù)進行設(shè)計和制造，以提供高速性能和低功耗。

2023-04-27 17:37:44

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用FPGA往SRAM芯片中寫數(shù)據(jù)重復寫多次才能寫是怎么回事呢？

用FPGA往SRAM芯片中寫數(shù)據(jù)重復寫多次才能寫是怎么回事呢？

2023-04-23 11:46:44

FPGA重復讀取同步SRAM所有地址數(shù)據(jù)出錯可能是哪些原因？

FPGA重復讀取同步SRAM所有地址數(shù)據(jù)，一定時間后隨機出現(xiàn)某個或者某些地址為數(shù)據(jù)永久性出錯，期間寫控制位一直為無效狀態(tài)，可能是哪些原因？

2023-04-23 11:45:30

是否可以禁用SRAM2的數(shù)據(jù)緩存并保留SRAM 0和SRAM1的數(shù)據(jù)緩存？

我正在使用 S32k358 uC，我想禁用內(nèi)存區(qū)域的數(shù)據(jù)緩存。在框圖中，我看到樹形 SRAM 塊 SRAM0、SRAM1、SRAM2。是否可以禁用 SRAM2 的數(shù)據(jù)緩存并保留 SRAM 0 和 SRAM1 的數(shù)據(jù)緩存？

2023-04-23 08:01:09

IMXRT1064外部SRAM，同步和異步模式的CLK使用差異是什么？

IMXRT1064 外部 SRAM - 同步和異步模式的 CLK 使用差異

2023-04-21 08:31:29

設(shè)置外圍模塊后MCUXPRESSO溢出SRAM怎么解決？

[Build 9221] [2023-03-28] SDK 是 SDK_2.x_LPC55S06 2.13.0.201911251446如果我啟動并設(shè)置一個新項目，編譯后，我沒有任何錯誤，SRAM

2023-04-20 09:06:04

NUCLEO-STM32H723ZG使用MDAM、DMA1/2在SRAM間傳輸數(shù)據(jù)錯誤或不傳輸，請問是什么原因?qū)е?/a>

2023-04-14 15:25:19

如何在MCUXpresso IDE上使用芯片上的所有SRAM？

內(nèi)存放入 SRAM_OC2，SRAM_ITC_cm7 的內(nèi)存使用從 150% 減少到 140% .順便說一句，在應(yīng)用程序鏈接到RAM時是否需要將SRAM_ITC_cm7設(shè)置為第一個？我已經(jīng)將具有512KB的SRAM_OC1設(shè)置為第一個，調(diào)試器無法重置并且通過DMA傳輸?shù)?b class="flag-6" style="color: red">數(shù)據(jù)是錯誤的。為什么？

2023-04-14 08:01:47