LTO宣布兩代新LTO磁帶技術(shù)的開發(fā)計(jì)劃

??? 線性磁帶開放聯(lián)合會(huì)（Linear Tape Open Consor tium）宣布了兩代LTO磁帶產(chǎn)品，最新磁帶產(chǎn)品在使用LTO-8壓縮技術(shù)的情況下的最大容量提高到了32TB。

??? 它是通過增加壓縮歷史緩沖區(qū)來實(shí)現(xiàn)容量的增加。它說，測試表明著可以將壓縮率從現(xiàn)有的2比1提高到2.5比1，因此原始磁帶容量的增長率要小于壓縮容量的增長率。

??? 現(xiàn)在磁帶使用的壓縮技術(shù)是LTO-5，它可以提供1.4TB原始容量和3TB的壓縮容量。即將推出的LTO-6壓縮技術(shù)利用擴(kuò)展壓縮歷史緩沖區(qū)的方式提高了壓縮數(shù)據(jù)的容量，它將提供3.2TB的原始容量和8TB的壓縮容量。

??? LTO-7壓縮技術(shù)可以提供6.4TB的原始容量和16TB的壓縮容量，LTO-8技術(shù)可以提供12.8TB的原始容量和32TB的壓縮容量。

??? 由于增加壓縮歷史緩沖區(qū)可以讓壓縮數(shù)據(jù)傳輸率的提高速度比本地?cái)?shù)據(jù)傳輸率的提高速度更快，因此數(shù)據(jù)傳輸率也會(huì)增加。LTO-5可以提供最高140MB/s的數(shù)據(jù)傳輸率和280MB/s的壓縮數(shù)據(jù)傳輸率，LTO-6可以提供最高210MB/s的數(shù)據(jù)傳輸率和525MB/s的壓縮數(shù)據(jù)傳輸率。 LTO-7可以提供最高315MB/s的本地?cái)?shù)據(jù)傳輸率和788MB/s的壓縮數(shù)據(jù)傳輸率，LTO-8可以提供最高472MB/s的本地?cái)?shù)據(jù)傳輸率和1.18GB/s的壓縮數(shù)據(jù)傳輸率。

??? LTO聯(lián)合會(huì)未公布新格式的發(fā)布日期。如果用每一代格式相隔2.5年的經(jīng)驗(yàn)來粗略估算，那么從現(xiàn)在的LTO-5格式算起，我們將在2012年底獲得LTO-6格式，在2015年初獲得LTO-7格式，在2017年底獲得LTO-8格式。

??? 聯(lián)合會(huì)沒有透露增加磁帶媒體長度或通過讀寫頭加快磁帶速度的內(nèi)容，因此照這種情況來看，增加本地容量和I/O數(shù)據(jù)傳輸率的方式可能是增加軌道和/或縮小媒體上的比特。媒體廠商們應(yīng)該能夠開發(fā)出這種水平的媒體，因此我們將看到更大容量的磁帶產(chǎn)品。

??? 現(xiàn)在LTO的客戶和產(chǎn)品供應(yīng)商可以放心了，至少在未來七年里不用擔(dān)心內(nèi)容太多而容量不足。到2015年時(shí)，情況應(yīng)該會(huì)變得更加明朗。備份和歸檔數(shù)據(jù)的磁盤存儲(chǔ)方案將對磁帶數(shù)據(jù)存儲(chǔ)造成何種影響也將在那時(shí)變得更加清晰。LTO聯(lián)合會(huì)的成員即惠普、IBM和Quantum到時(shí)候也可以更清楚地判斷是否還需要開發(fā)更多代的LTO技術(shù)。

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LTO磁帶(5779) LTO磁帶(5779)

LTO150F22000JTE3

2.2 kOhms ±5% 150W TO-247-2 通孔電阻器汽車級(jí) AEC-Q200，非電感厚膜

2024-03-14 22:52:55

LTO150F470R0JTE3

470 Ohms ±5% 150W TO-247-2 通孔電阻器汽車級(jí) AEC-Q200，非電感厚膜

2024-03-14 22:52:55

LTO150F4R700JTE3

4.7 Ohms ±5% 150W TO-247-2 通孔電阻器汽車級(jí) AEC-Q200，非電感厚膜

2024-03-14 22:52:55

LTO100H100R0JTE3

100 Ohms ±5% 100W TO-247-2 通孔電阻器汽車 AEC-Q200，非感性，防脈沖，安全厚膜

2024-03-14 22:52:54

LTO100H1R000JTE3

1 Ohms ±5% 100W TO-247-2 通孔電阻器汽車 AEC-Q200，非感性，防脈沖，安全厚膜

2024-03-14 22:52:54

LTO100H39000JTE3

3.9 kOhms ±5% 100W TO-247-2 通孔電阻器汽車 AEC-Q200，非感性，防脈沖，安全厚膜

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LTO100H470R0JTE3

470 Ohms ±5% 100W TO-247-2 通孔電阻器汽車 AEC-Q200，非感性，防脈沖，安全厚膜

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LTO100H47R00JTE3

47 Ohms ±5% 100W TO-247-2 通孔電阻器汽車 AEC-Q200，非感性，防脈沖，安全厚膜

2024-03-14 22:52:54

LTO100H4R700JTE3

4.7 Ohms ±5% 100W TO-247-2 通孔電阻器汽車 AEC-Q200，非感性，防脈沖，安全厚膜

2024-03-14 22:52:54

LTO100HR8000JTE3

800 mOhms ±5% 100W TO-247-2 通孔電阻器汽車 AEC-Q200，非感性，防脈沖，安全厚膜

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LTO150F10000JTE3

RES 1K OHM 5% 150W TO247-2

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LTO150F100R0JTE3

100 Ohms ±5% 150W TO-247-2 通孔電阻器汽車級(jí) AEC-Q200，非電感厚膜

2024-03-14 22:52:54

LTO150F1R000JTE3

1 Ohms ±5% 150W TO-247-2 通孔電阻器汽車級(jí) AEC-Q200，非電感厚膜

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LTO150F220R0JTE3

220 Ohms ±5% 150W TO-247-2 通孔電阻器汽車級(jí) AEC-Q200，非電感厚膜

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LTO150F2R200JTE3

2.2 Ohms ±5% 150W TO-247-2 通孔電阻器汽車級(jí) AEC-Q200，非電感厚膜

2024-03-14 22:52:54

LTO150FR1000JTE3

100 mOhms ±5% 150W TO-247-2 通孔電阻器汽車級(jí) AEC-Q200，非電感厚膜

2024-03-14 22:52:54

ACCLLTO150VS

ACC LTO150 CLIP A VISSER MAX08NG

2024-03-14 22:52:54

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首先感謝MYIR & ELECFANS給與的使用米爾-全志T113-i開發(fā)板的機(jī)會(huì)。一、開發(fā)板簡介米爾-全志T113-i開發(fā)板搭載全志T113處理器，雙核A7@1.2GHz

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LTO100FR1000JTE3

100 mOhms ±5% 100W TO-247-2 通孔電阻器汽車級(jí) AEC-Q200，非電感厚膜

2024-02-08 14:39:04

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【芒果派MangoPi MQ Quad】基于芒果派MangoPi MQ Quad編譯程序執(zhí)行

。 root@orangepizero2:~# gcc -v Using built-in specs. COLLECT_GCC=gcc COLLECT_LTO_WRAPPER=/usr/lib/gcc

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高通宣布面向工業(yè)和企業(yè)物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品組合推出全新長期產(chǎn)品計(jì)劃

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基于芒果派MangoPi MQ Quad編譯程序執(zhí)行

了下。 ? root@orangepizero2:~# gcc -vUsing built-in specs.COLLECT_GCC=gccCOLLECT_LTO_WRAPPER=/usr/lib/gcc

2023-07-22 09:15:23

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電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《CASDuino電腦磁帶兼容播放器開源分享.zip》資料免費(fèi)下載

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成長計(jì)劃知識(shí)賦能 | 第十期：DAYU200開發(fā)入門秒Get

OpenHarmony開源開發(fā)者成長計(jì)劃知識(shí)賦能直播將聚焦北向應(yīng)用開發(fā)，為了讓開發(fā)者更好地了解北向應(yīng)用開發(fā)技術(shù)，知識(shí)賦能直播第十期特推出DAYU200開發(fā)入門的系列直播課程，資深北向技術(shù)專家徐建國老師會(huì)在直播課上同步

2023-04-17 11:18:05

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2023-04-13 15:31:35

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