，部分儲(chǔ)能系統(tǒng)的關(guān)鍵器件仍存在供不應(yīng)求的現(xiàn)象。 ? 儲(chǔ)能過(guò)剩只是短暫現(xiàn)象 ? 前幾年，國(guó)內(nèi)的新型儲(chǔ)能迎來(lái)大爆發(fā)，尤其是鋰電儲(chǔ)能，備受資本喜愛(ài)，企業(yè)數(shù)量也開(kāi)始暴增。眾多新玩家的進(jìn)入，一個(gè)直接的影響便是過(guò)去備受市場(chǎng)詬病
2024-03-19 18:16:52
1948 內(nèi)存（DRAM）市場(chǎng)正在迎來(lái)一波上漲潮。
2024-03-08 14:18:52208 
近期的演示會(huì)上，美光詳細(xì)闡述了其針對(duì)納米印刷與DRAM制造之間的具體工作模式。他們提出，DRAM工藝的每一個(gè)節(jié)點(diǎn)以及浸入式光刻的精度要求使得物理流程變得愈發(fā)復(fù)雜。
2024-03-05 16:18:24190 三星作為行業(yè)領(lǐng)軍者，在本季度DRAM營(yíng)收達(dá)到79.5億美元，環(huán)比增長(zhǎng)近50％，主要受益于1αnm DDR5的出貨提速，服務(wù)器DRAM出貨量躍增逾60％。
2024-03-05 15:40:57162 鑒于ChatGPT的廣泛應(yīng)用，引發(fā)了AI算力需求的迅猛增長(zhǎng)，使得英偉達(dá)的AI芯片供不應(yīng)求，出現(xiàn)大規(guī)模短缺。如今，英偉達(dá)似乎在面對(duì)更多挑戰(zhàn)。
2024-02-27 15:10:55321 
DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）存儲(chǔ)器主要通過(guò)電容來(lái)存儲(chǔ)信息。這些電容用于存儲(chǔ)電荷，而電荷的多寡則代表了一個(gè)二進(jìn)制位是1還是0。
2024-02-19 10:56:36264 
1月23日消息，據(jù)外媒Tom’s Hardware報(bào)導(dǎo)，有市場(chǎng)人士表示，由4個(gè)或8個(gè)NAND Flash芯片組成的NAND封裝模組已經(jīng)供不應(yīng)求，特別是大容量消費(fèi)級(jí)SSD的價(jià)格或許會(huì)大幅上漲，而且預(yù)計(jì)一季度晚些時(shí)候會(huì)出現(xiàn)。
2024-01-24 17:17:23486 DRAM稼動(dòng)率緩步改善，業(yè)界認(rèn)為，整體DRAM投片量從2024年第1季將逐季提升，較2023年第4季小幅提升約5%左右，下半年投片量回升速度將明顯加快。
2024-01-23 10:53:04159 因?yàn)锳I芯片需求的大爆發(fā)，臺(tái)積電先進(jìn)封裝產(chǎn)能供不應(yīng)求，而且產(chǎn)能供不應(yīng)求的狀況可能延續(xù)到2025年；這是臺(tái)積電總裁魏哲家在法人說(shuō)明會(huì)上透露的。 而且臺(tái)積電一直持續(xù)的擴(kuò)張先進(jìn)封裝產(chǎn)能，但是依然不能滿(mǎn)足AI的強(qiáng)勁需求；這在一定程度會(huì)使得其他相關(guān)封裝廠商因?yàn)榻邮苻D(zhuǎn)單而受益。
2024-01-22 18:48:08560 近日，臺(tái)積電在法人說(shuō)明會(huì)上表示，由于人工智能（AI）芯片先進(jìn)封裝需求持續(xù)強(qiáng)勁，目前產(chǎn)能無(wú)法滿(mǎn)足客戶(hù)的需求，供不應(yīng)求的狀況可能延續(xù)到2025年。為了應(yīng)對(duì)這一需求，臺(tái)積電今年將持續(xù)擴(kuò)充先進(jìn)封裝產(chǎn)能。
2024-01-22 15:59:49331 希柏特指出，臺(tái)積電有意派遣大量員工進(jìn)駐新的工廠，并預(yù)估至2035年前這個(gè)區(qū)域?qū)?huì)創(chuàng)造出2.5萬(wàn)個(gè)就業(yè)機(jī)會(huì)。然而，面臨著利率上升、建造成本飆升等不利因素影響，德國(guó)房地產(chǎn)市場(chǎng)出現(xiàn)衰退趨勢(shì)，尤其是德累斯頓地區(qū)的住房供給難以滿(mǎn)足半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)擴(kuò)張需求
2024-01-16 11:22:13136 知名蘋(píng)果分析師郭明錤透露，蘋(píng)果即將推出的Vision Pro頭顯預(yù)計(jì)在初期將備貨6-8萬(wàn)臺(tái)。這一數(shù)量有限，預(yù)示著該產(chǎn)品在上市初期可能出現(xiàn)供不應(yīng)求的情況。
2024-01-12 16:06:332233 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《淺析配電能源管理系統(tǒng)在鋼鐵行業(yè)的應(yīng)用.docx》資料免費(fèi)下載
2024-01-11 16:15:04
0 有存儲(chǔ)模組廠收到三星2024年第一季度將DRAM價(jià)格提高至少15%的通知。但三星并未提及NAND閃存定價(jià)，但預(yù)計(jì)NAND價(jià)格將繼續(xù)上漲。2023年12月DRAM價(jià)格上漲2%-3%，大幅提升DRAM價(jià)格，但低于當(dāng)月3D TLC NAND約10%的漲幅。
2024-01-08 16:43:54466 據(jù)DRAM產(chǎn)品分類(lèi)顯示，PC DRAM方面，DDR5訂單需求未得到充分滿(mǎn)足，買(mǎi)方預(yù)期DDR4價(jià)格將進(jìn)一步上漲，這激發(fā)了備貨需求。盡管新一代設(shè)備向DDR5轉(zhuǎn)型，但對(duì)于DDR4采購(gòu)量增幅不定。預(yù)計(jì)PC DRAM季度合約價(jià)變化幅度將在10～15%之間，其中DDR5占據(jù)更大比例。
2024-01-08 14:27:26195 數(shù)據(jù)顯示，首爾半導(dǎo)體操作 DRAM晶圓及HBM相關(guān)設(shè)備的定單數(shù)量有所上升。其中三星電子已開(kāi)始擴(kuò)大其HBM生產(chǎn)能力，并啟動(dòng)大規(guī)模HBM設(shè)備采購(gòu)；此外，三星和SK海力士計(jì)劃加強(qiáng)DRAM技術(shù)轉(zhuǎn)移，進(jìn)一步加大對(duì)DRAM的投資力度。
2024-01-08 10:25:22387 影響PCB焊接質(zhì)量的因素
[![歐若奇科技]
專(zhuān)業(yè)電路設(shè)計(jì)，PCB復(fù)制，原理圖反推，電子產(chǎn)品優(yōu)化設(shè)計(jì)等
隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展，電子元器件的小型化、微型化、間距為0.3mm~0.5mm高密度的芯片
2024-01-05 09:39:59
存儲(chǔ)芯片漲價(jià)風(fēng)潮進(jìn)一步蔓延，這一次NOR Flash行業(yè)即將迎來(lái)拐點(diǎn)。摩根士丹利最新報(bào)告指出，2024年全球NOR Flash市場(chǎng)將從供過(guò)于求轉(zhuǎn)向供不應(yīng)求，迎來(lái)“量?jī)r(jià)齊升”的局面。
2024-01-04 16:11:53478 根據(jù)最新的存儲(chǔ)器模組行業(yè)消息，隨著自2023年下半年以來(lái)NAND Flash價(jià)格一路攀升，三星電子和美光等主要存儲(chǔ)器制造商計(jì)劃在Q1上調(diào)DRAM價(jià)格，漲幅預(yù)計(jì)將達(dá)到15%-20%。 業(yè)內(nèi)分析師指出
2024-01-03 18:14:16872 近期，全球DRAM市場(chǎng)風(fēng)云再起。兩大巨頭三星和SK海力士紛紛宣布增加設(shè)備投資和產(chǎn)能，這一舉動(dòng)無(wú)疑將對(duì)整個(gè)市場(chǎng)帶來(lái)深遠(yuǎn)的影響。而現(xiàn)在，最新消息表明，DRAM價(jià)格有望在2024年第一季度迎來(lái)新一輪的上漲，漲幅預(yù)計(jì)達(dá)到15%至20%。
2024-01-03 14:35:20414 部分存儲(chǔ)模組廠已接到三星通知，要求明年年初至少將DRAM價(jià)格上調(diào)15%以上，且該通知并未涉及NAND閃存定價(jià)，故預(yù)計(jì)后者將會(huì)持續(xù)上漲。DRAM價(jià)格在去年年底上漲2%-3%，不及3D TLC NAND約10%；
2024-01-03 10:46:21549 在這一氛圍下，NOR Flash行業(yè)已開(kāi)始醞釀漲價(jià)。臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)今日有消息指出，預(yù)計(jì)NOR Flash將接棒啟動(dòng)存儲(chǔ)芯片新一輪漲價(jià)潮，預(yù)計(jì)明年1月起先漲5%，二季度漲幅有望擴(kuò)大至10％。
2023-12-26 14:37:42127 MOS管（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）作為一種常見(jiàn)的電子元件，其壽命的長(zhǎng)短對(duì)于電子產(chǎn)品的質(zhì)量和可靠性都有著重要的影響。而影響MOS管壽命的因素也有很多，包括工藝因素、環(huán)境因素、電氣因素等等。下面
2023-12-22 11:43:10508 彎曲時(shí)請(qǐng)小心：為什么不應(yīng)該利用元件腳端彎曲這個(gè)捷徑
2023-12-15 16:56:24131 
保護(hù)器件過(guò)電應(yīng)力失效機(jī)理和失效現(xiàn)象淺析
2023-12-14 17:06:45262 
這是因?yàn)殡S著全世界半導(dǎo)體制造企業(yè)展開(kāi)asml euv設(shè)備訂單競(jìng)爭(zhēng)，供不應(yīng)求。該公司去年以每臺(tái)2500億韓元（1.89億美元）到3000億韓元（2.27億美元）的價(jià)格出售了42臺(tái)euv設(shè)備。
2023-12-11 15:09:22280 陶瓷電容溫度系數(shù)淺析：1類(lèi)和2類(lèi)電容有何差異？如何標(biāo)識(shí)？
2023-12-08 17:30:05432 
dram和nand的區(qū)別? DRAM和NAND是兩種不同類(lèi)型的存儲(chǔ)器。DRAM（Dynamic Random Access Memory）是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，而NAND（Not AND）是一種邏輯
2023-12-08 10:32:003894 目前，為進(jìn)行人工智能（ai）的大規(guī)模模型訓(xùn)練，需要很多高性能ai芯片，但nvidia h100、a100等價(jià)格昂貴，而且供不應(yīng)求，因此對(duì)技術(shù)大企業(yè)來(lái)說(shuō)，負(fù)擔(dān)不小的費(fèi)用。
2023-12-07 14:01:20213 電子電路板中的穩(wěn)態(tài)與瞬態(tài)熱傳遞淺析
2023-12-05 17:20:05310 
汽車(chē)一直是碳化硅（SiC）的主要應(yīng)用市場(chǎng)。在整個(gè)汽車(chē)半導(dǎo)體供需發(fā)生改變的情況下，碳化硅是否還會(huì)延續(xù)此前供不應(yīng)求的市場(chǎng)行情？
2023-12-05 09:44:51151 三星將從明年開(kāi)始批量生產(chǎn)LPDDR5T DRAM芯片。三星電子副總裁Ha-Ryong Yoon最近在投資者論壇上介紹了公司狀況和今后計(jì)劃等。當(dāng)投資者詢(xún)問(wèn)三星今后將開(kāi)發(fā)的技術(shù)時(shí)，管理人員公開(kāi)了有關(guān)LPDDR5T DRAM的信息。
2023-12-01 09:45:16324 DRAM制造技術(shù)進(jìn)入10nm世代（不到20nm世代）已經(jīng)過(guò)去五年了。過(guò)去五年，DRAM技術(shù)和產(chǎn)品格局發(fā)生了巨大變化。因此，本文總結(jié)和更新了DRAM的產(chǎn)品、發(fā)展和技術(shù)趨勢(shì)。
2023-11-25 14:30:15536 
電流反饋運(yùn)算放大器噪聲考慮因素
2023-11-23 07:57:04
DRAM測(cè)試發(fā)生在晶圓探針和封裝測(cè)試。最終組裝的封裝、終端系統(tǒng)要求和成本考慮推動(dòng)了測(cè)試流程，包括ATE要求和相關(guān)測(cè)試內(nèi)容。
2023-11-22 16:52:11904 
芯片制造商正在使用更多的DRAM。在某些情況下，DRAM——尤其是高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）——正在取代一些SRAM。DRAM在耐用性方面有著良好的記錄，也有成熟的工藝，而且比SRAM便宜得多
2023-11-22 16:36:08476 
DRAM有多種類(lèi)型可供選擇。有些速度非常快，如HBM，但也很昂貴。其他類(lèi)型速度較慢，但價(jià)格便宜，如基本的DDR DIMM。然而，變化的是，在異構(gòu)架構(gòu)中，兩者都可以發(fā)揮重要作用，以及多種其他DRAM類(lèi)型和更狹義的存儲(chǔ)器，如MRAM或ReRAM。
2023-11-15 11:27:13243 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《4G時(shí)代電信運(yùn)營(yíng)商流量經(jīng)營(yíng)發(fā)展淺析.doc》資料免費(fèi)下載
2023-11-10 15:42:280 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《五種寬帶接入主要技術(shù)淺析.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-10 14:48:480 燒錄程序的時(shí)候，哪些非技術(shù)因素會(huì)影響燒錄結(jié)果
2023-11-08 07:04:10
中國(guó)已是IGBT全球最大的市場(chǎng)，其需求的增長(zhǎng)主要是新能源的增長(zhǎng)帶來(lái)的，其中新能源汽車(chē)、光伏等需求更是核心的增長(zhǎng)。由于需求的增長(zhǎng)，IGBT單管常常是處于供不應(yīng)求的狀態(tài)。
2023-11-07 16:05:06458 
筆電DDR5 16Gb SO-DIMM 高容量存儲(chǔ)器模組合約價(jià)，10 月也較9 月上漲11.5%，到每單位33 美元。智能手機(jī)DRAM合約價(jià)也開(kāi)始漲價(jià)。TrendForce 預(yù)計(jì)第四季行動(dòng)DRAM
2023-11-03 17:23:09958 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《淺析板框壓濾機(jī)類(lèi)型構(gòu)造和工作原理.doc》資料免費(fèi)下載
2023-11-03 10:37:180 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《太陽(yáng)能電池晶體硅光伏組件封裝淺析(工藝控制篇).doc》資料免費(fèi)下載
2023-11-03 10:21:411 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《智能照明控制設(shè)計(jì)原則淺析.doc》資料免費(fèi)下載
2023-11-03 09:40:020 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《工程機(jī)械液壓系統(tǒng)節(jié)能技術(shù)淺析.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-03 09:37:450 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《淺析各種類(lèi)型的光伏支架.doc》資料免費(fèi)下載
2023-11-02 11:37:491 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《淺析智能家居照明系統(tǒng)工作原理及應(yīng)用.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-02 11:23:560 有分析人士指出，Model Y高性能版售價(jià)上漲反映了市場(chǎng)對(duì)于該車(chē)型的供不應(yīng)求態(tài)勢(shì)。“特斯拉憑借不斷演進(jìn)的產(chǎn)品實(shí)力，持續(xù)獲得消費(fèi)市場(chǎng)的熱烈反響?！碧厮估矫嬉矊?duì)此作出了回應(yīng)。
2023-11-01 16:58:31988 昂貴 H100 的一時(shí)洛陽(yáng)紙貴，供不應(yīng)求，大模型訓(xùn)練究竟需要多少?gòu)埧?？GPT-4 很有可能是在 10000 到 20000 張 A100 的基礎(chǔ)上訓(xùn)練完成的[8]。按照 Elon Musk 的說(shuō)法
2023-10-29 09:48:134175 
在2023年2月在國(guó)際學(xué)會(huì)ISSCC上，三星電子正是披露了公司研發(fā)的存儲(chǔ)容量為24Gbit的DDR5 DRAM的概要（下圖左）和硅芯片（下圖右）。
2023-10-29 09:46:58783 
美光1β DDR5 DRAM支持計(jì)算能力向更高的性能擴(kuò)展，能支持?jǐn)?shù)據(jù)中心和客戶(hù)端平臺(tái)上的人工智能（AI）訓(xùn)練和推理、生成式AI、數(shù)據(jù)分析和內(nèi)存數(shù)據(jù)庫(kù)（IMDB）等應(yīng)用。
2023-10-26 14:19:24136 三星電子在此次會(huì)議上表示：“從2023年5月開(kāi)始批量生產(chǎn)了12納米級(jí)dram，目前正在開(kāi)發(fā)的11納米級(jí)dram將提供業(yè)界最高密度?！绷硗猓钦跍?zhǔn)備10納米dram的新的3d構(gòu)架，并計(jì)劃為一個(gè)芯片提供100gb （gigabit）以上的容量。
2023-10-23 09:54:24485 據(jù)TrendForce的研究顯示，第4季DRAM與NAND Flash均價(jià)將開(kāi)始全面上漲。特別是DRAM，預(yù)計(jì)第4季的合約價(jià)將季漲幅約在3%到8%之間。然而，這波上漲是否能持續(xù)，取決于供應(yīng)商是否堅(jiān)守減產(chǎn)策略以及實(shí)際需求的回升程度，尤其值得關(guān)注的領(lǐng)域是通用型服務(wù)器。
2023-10-16 09:17:18376 德累斯頓是德國(guó)薩克森州所在地。當(dāng)?shù)胤康禺a(chǎn)同業(yè)聯(lián)盟辦公室主任說(shuō)，生產(chǎn)企業(yè)投資當(dāng)然是好事，但房地產(chǎn)市場(chǎng)當(dāng)前的問(wèn)題和未解決的問(wèn)題會(huì)進(jìn)一步惡化。
2023-10-12 11:35:16394 MCU的靜態(tài)功耗主要是跟什么因素有關(guān)系
2023-10-11 08:00:58
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/周凱揚(yáng)）在近期的閃存峰會(huì)上，一家由英國(guó)蘭卡斯特大學(xué)孵化的初創(chuàng)公司Quinas Technology獲得了創(chuàng)新大獎(jiǎng)。他們展示了ULTRARAM，一個(gè)結(jié)合了DRAM高性能和閃存
2023-10-09 00:10:001310 平澤p3 晶圓廠是三星最大的生產(chǎn)基地之一。據(jù)報(bào)道，三星原計(jì)劃將p3工廠的生產(chǎn)能力增加到8萬(wàn)個(gè)dram和3萬(wàn)個(gè)nand芯片，但目前已將生產(chǎn)能力減少到5萬(wàn)個(gè)dram和1萬(wàn)個(gè)nand芯片。
2023-10-08 11:45:57762 在當(dāng)前我們比較熟悉的存儲(chǔ)產(chǎn)品就是DRAM和NAND，DRAM和NAND也一直在尋求高帶寬和低功耗的發(fā)展。
2023-10-07 10:18:221687 
內(nèi)存應(yīng)該是每個(gè)硬件工程師都繞不開(kāi)的話題，稍微復(fù)雜一點(diǎn)的系統(tǒng)都需要用到DRAM，并且DRAM是除CPU之外，最為復(fù)雜也最貴的核心部件了，其設(shè)計(jì)，仿真，調(diào)試，焊接，等等都非常復(fù)雜，且重要。對(duì)DRAM
2023-09-25 11:38:421900 
但中國(guó)臺(tái)灣工廠的ai供應(yīng)鏈條方面英偉達(dá)ai芯片仍
供不應(yīng)求，但微軟到2024年的需求成倍增加有望保持gh200芯片訂單上調(diào)，ai服務(wù)器的長(zhǎng)期成長(zhǎng)動(dòng)力是不會(huì)改變?！?/div>
2023-09-20 11:37:00609 據(jù)消息人士透露，nand閃存價(jià)格從第三季度初的最低點(diǎn)開(kāi)始逐漸反彈，到目前為止已經(jīng)上漲了10%以上。他表示：“nand價(jià)格上漲將為dram價(jià)格上漲營(yíng)造有利的市場(chǎng)氛圍。存儲(chǔ)器模塊制造企業(yè)正在密切關(guān)注dram價(jià)格反彈的時(shí)間。
2023-09-20 10:19:50503 天風(fēng)國(guó)際分析師郭明錤也據(jù)15 iphone pro - max需求預(yù)測(cè)像以前一樣強(qiáng)的優(yōu)于去年的iphone 14 pro m iphone 15職業(yè)max的等待時(shí)間遠(yuǎn)遠(yuǎn)長(zhǎng)于其他機(jī)種，但不一定有，唯獨(dú)需求。iphone15 pro max由于批量生產(chǎn)時(shí)間較晚，目前出貨量較少，目前生產(chǎn)問(wèn)題明顯比其他型號(hào)嚴(yán)重。
2023-09-19 10:11:27543 9月12日，據(jù)《韓國(guó)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)導(dǎo)，三星電子近期與客戶(hù)（谷歌等手機(jī)制造商）簽署了內(nèi)存芯片供應(yīng)協(xié)議，DRAM和NAND閃存芯片價(jià)格較現(xiàn)有合同價(jià)格上調(diào)10%-20％。三星電子預(yù)計(jì)，從第四季度起存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)或?qū)?b class="flag-6" style="color: red">供不應(yīng)求。
2023-09-14 10:56:18206 日前有消息稱(chēng)，存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域正在迎來(lái)一輪明顯的復(fù)蘇，特別是移動(dòng)DRAM芯片銷(xiāo)售行業(yè)。
2023-09-14 10:42:471045 2022年第四季度DRAM行業(yè)營(yíng)收環(huán)比下降超過(guò)三成，跌幅超過(guò)2022年第三季度。2022年第四季度DDR4內(nèi)存價(jià)格環(huán)比下降23-28%，DDR5內(nèi)存價(jià)格下降30%-35%。2022年第四季度DRAM
2023-09-12 17:52:44758 
在下面的圖中顯示了堆疊式DRAM存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)相關(guān)部分的結(jié)構(gòu)圖。下圖(a)顯示了堆疊式DRAM存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸(SNC)結(jié)構(gòu)。
2023-09-08 10:02:25592 
有傳聞稱(chēng)，三星緩存DRAM將使用與hbm不同的成套方式。hbm目前水平連接到gpu，但緩存d內(nèi)存垂直連接到gpu。據(jù)悉，hbm可以將多個(gè)dram垂直連接起來(lái)，提高數(shù)據(jù)處理速度，因此，現(xiàn)金dram僅用一個(gè)芯片就可以?xún)?chǔ)存與整個(gè)hbm相同數(shù)量的數(shù)據(jù)。
2023-09-08 09:41:32399 Colello預(yù)測(cè)，英偉達(dá)資料中心營(yíng)收有望從2025會(huì)計(jì)年度的600億美元一路成長(zhǎng)至2028年度的1,000億美元，如此高的成長(zhǎng)率對(duì)大型科技業(yè)者來(lái)說(shuō)或許前所未見(jiàn)，各式各樣的企業(yè)都會(huì)決定投資AI。他說(shuō)，未來(lái)幾季英偉達(dá)無(wú)疑會(huì)把臺(tái)積電代工的每一顆GPU全都賣(mài)光。
2023-09-04 11:08:10207 在下面的圖中較為詳細(xì)的顯示了堆疊式DRAM單元STI和阱區(qū)形成工藝。下圖(a)為AA層版圖，虛線表示橫截面位置。
2023-09-04 09:32:371168 
內(nèi)存芯片在驅(qū)動(dòng)ic市場(chǎng)和ic技術(shù)發(fā)展方面發(fā)揮了重要作用。市場(chǎng)上兩個(gè)主要的內(nèi)存產(chǎn)品分別是DRAM和NAND。
2023-09-01 09:43:093285 
雖然今年上半年多層板占整體車(chē)用PCB達(dá)60％產(chǎn)值比重，然而在汽車(chē)電子化、ADAS趨于普及之下，將推動(dòng)HDI在汽車(chē)?yán)走_(dá)、汽車(chē)鏡頭模組的應(yīng)用，HDI及軟板成為車(chē)用最具成長(zhǎng)潛力的區(qū)塊，點(diǎn)名HDI供應(yīng)鏈健鼎、耀華、定穎、敬鵬可望受惠。
2023-08-30 16:38:27565 張淵菘28日出席玉山證券舉辦的IEK專(zhuān)家座談，認(rèn)為汽車(chē)將是今年唯一可望年增的PCB終端應(yīng)用，尤其電動(dòng)車(chē)占整體汽車(chē)比重達(dá)14％至15％，EV帶動(dòng)PCB的用量及面積，若能打入特斯拉、比亞迪等電動(dòng)車(chē)供應(yīng)鏈，未來(lái)一年至二年將有感接單。
2023-08-29 16:23:27433 
張淵菘 28日出席玉山證券主辦iek專(zhuān)家座談會(huì)車(chē)今年的唯一年均增長(zhǎng)率的可能性的pcb終端應(yīng)用，特別是整個(gè)電車(chē)汽車(chē)中所占比重達(dá)到14 - 15% ev特斯拉引領(lǐng)pcb的容量及面積，如果可能的話，比亞迪等進(jìn)軍電供應(yīng)鏈，未來(lái)1 ~ 2年遺憾的訂單。
2023-08-29 09:30:11289 DRAM（Dynamic Random Access Memory）存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)元是電容器和晶體管的組合。每個(gè)存儲(chǔ)單元由一個(gè)電容器和一個(gè)晶體管組成。電容器存儲(chǔ)位是用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的。晶體管用于控制電容器
2023-08-21 14:30:021021 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (DRAM) 是一種集成電路，目前廣泛應(yīng)用于需要低成本和高容量?jī)?nèi)存的數(shù)字電子設(shè)備，如現(xiàn)代計(jì)算機(jī)、顯卡、便攜式設(shè)備和游戲機(jī)。 技術(shù)進(jìn)步驅(qū)動(dòng)了DRAM的微縮，隨著技術(shù)在節(jié)點(diǎn)間迭代，芯片整體
2023-08-08 14:24:12744 
在過(guò)去一段時(shí)間內(nèi)，存儲(chǔ)器市場(chǎng)遭受了來(lái)自PC和智能手機(jī)需求低迷的嚴(yán)重沖擊，導(dǎo)致DRAM價(jià)格持續(xù)下跌，整個(gè)行業(yè)景氣不振。特別是用于智能手機(jī)和PC上暫存數(shù)據(jù)的DRAM，價(jià)格長(zhǎng)期跌跌不休，給廠商帶來(lái)了巨大
2023-08-03 15:18:57841 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (DRAM) 是一種集成電路，目前廣泛應(yīng)用于需要低成本和高容量?jī)?nèi)存的數(shù)字電子設(shè)備，如現(xiàn)代計(jì)算機(jī)、顯卡、便攜式設(shè)備和游戲機(jī)。
2023-08-03 12:27:03649 
引言：DRAM價(jià)格已連續(xù)兩個(gè)月未出現(xiàn)大幅下跌。
2023-08-02 10:33:42682 DRAM（Dynamic Random Access Memory）存儲(chǔ)器是一種易失性存儲(chǔ)器，意味著當(dāng)斷電時(shí)，存儲(chǔ)在其中的信息會(huì)丟失。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM使用電容來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，電容需要持續(xù)地充電來(lái)保持?jǐn)?shù)據(jù)的有效性。一旦斷電，電容會(huì)迅速失去電荷，導(dǎo)致存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)丟失。
2023-07-28 15:02:032203 但是摩根大通（小摩）的報(bào)告書(shū)對(duì)tsmc的發(fā)展，給出了比較樂(lè)觀的展望。報(bào)告書(shū)表示，由于人工智能（ai）的強(qiáng)力成長(zhǎng)，在ai半導(dǎo)體領(lǐng)域擁有較大市場(chǎng)占有率的tsmc處于有利的位置。
2023-07-21 11:33:25460 對(duì) GPU 硬件或更好的加速器的需求從未如此強(qiáng)烈，如果這種趨勢(shì)持續(xù)下去，當(dāng)前的高需求可能會(huì)延續(xù)到不久的將來(lái)。就 HPC 而言，這一趨勢(shì)表明 GPU 未來(lái)將會(huì)變得昂貴且難以找到（除非您購(gòu)買(mǎi)的數(shù)量足以直接向供應(yīng)商購(gòu)買(mǎi)）。
2023-07-17 14:50:18350 為了實(shí)現(xiàn)這一功能，還必須適合用于輔助計(jì)算的dram?，F(xiàn)有智能手機(jī)使用的移動(dòng)dram的速度是有限的。sk海力士根據(jù)蘋(píng)果公司的要求，提供了最適合操作r1芯片的dram。大幅增加了輸入/輸出（i/o）頻道的數(shù)量，可以將數(shù)據(jù)迅速傳送到存儲(chǔ)器內(nèi)外。
2023-07-12 09:39:56375 Mobile DRAM方面，由于上半年智能手機(jī)需求疲弱，盡管傳統(tǒng)旺季有望帶動(dòng)Mobile DRAM需求，加上原廠同時(shí)進(jìn)行減產(chǎn)，但對(duì)于快速降低原廠庫(kù)存的助益仍相當(dāng)有限。
2023-07-06 11:39:44170 
據(jù)悉，DRAM批發(fā)價(jià)格為存儲(chǔ)廠商和客戶(hù)間每個(gè)月或每季敲定一次。業(yè)內(nèi)人士稱(chēng)，目前價(jià)格還在季末的拉鋸戰(zhàn)中，個(gè)別廠商面對(duì)的情況不一樣，若下游企業(yè)本身的庫(kù)存水位高，會(huì)不會(huì)接受價(jià)格調(diào)整還需再觀察。
2023-06-29 15:41:10262 DRAM錯(cuò)誤數(shù)據(jù)主要通過(guò)Linux檢錯(cuò)糾錯(cuò)驅(qū)動(dòng)程序采集。同時(shí)獲取每個(gè)CE的微觀地址信息，即channel、rank、bank、row和column。
2023-06-01 14:34:21183 
在芯片行業(yè)持續(xù)衰退的情況下，美國(guó)芯片制造商美光科技公司九年來(lái)首次超越韓國(guó) SK 海力士公司成為全球動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (DRAM) 市場(chǎng)的第二大廠商。 根據(jù)臺(tái)灣市場(chǎng)研究公司 TrendForce
2023-06-01 08:46:06550 3D NAND ‘Punch & Plug’ 方法現(xiàn)在已廣為人知，因此只要不使用任何新材料，使用此工藝的 DRAM 應(yīng)該能夠快速量產(chǎn)。
2023-05-31 11:41:58358 DRAM 連接32位SDRAM時(shí)，最大支持64Mx32bit？
2023-05-26 07:27:07
基于先進(jìn)CXL 2.0的128GB CXL DRAM將于今年量產(chǎn)，加速下一代存儲(chǔ)器解決方案的商用化
2023-05-15 17:02:10179 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/周凱揚(yáng)）在存儲(chǔ)行業(yè)有些萎靡不振的當(dāng)下，大部分廠商都在絞盡腦汁地去庫(kù)存，也有的廠商考慮從新的技術(shù)方向給存儲(chǔ)行業(yè)注入生機(jī)，比如最近發(fā)布了3D X-DRAM技術(shù)的NEO
2023-05-08 07:09:001982 
我正在使用 Keil microvision 在 RT1062 上開(kāi)發(fā)應(yīng)用程序。
應(yīng)用程序代碼和數(shù)據(jù)在 DRAM 中。我使用secure provisioning tool生成了一個(gè)可以刷入的bin
2023-04-28 07:02:14
如何使用低延遲 DRAM 用戶(hù)手冊(cè) (M19202EJ1V0UM00)
2023-04-26 20:28:110 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶） SK海力士近日發(fā)布全球首次實(shí)現(xiàn)垂直堆疊12個(gè)單品DRAM芯片，成功開(kāi)發(fā)出最高容量24GB的HBM3 DRAM新產(chǎn)品。
2023-04-23 00:01:002616 
具體到企業(yè)層面，國(guó)內(nèi)外鋰電儲(chǔ)能訂單暴增，鋰電儲(chǔ)能產(chǎn)品供不應(yīng)求，生產(chǎn)線滿(mǎn)負(fù)荷工作等企業(yè)現(xiàn)狀，同樣向我們?cè)忈屃藘?chǔ)能的黃金時(shí)代大幕已徐徐拉開(kāi)。
2023-04-04 11:34:49673 
大家好，請(qǐng)問(wèn)大家知道如何在SDK1.9中修改U-Boot for P2020的2G DRAM大小嗎？我嘗試更改p1_p2_rdb_pc.h，但是uboot 無(wú)法運(yùn)行，見(jiàn)日志如下。還有一個(gè)
2023-04-03 06:40:26
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