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電子發(fā)燒友網(wǎng)>業(yè)界新聞>廠商新聞>三星收購MRAM芯片開發(fā)商Grandis

三星收購MRAM芯片開發(fā)商Grandis

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2024-03-22 14:10:5715

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AR眼鏡Micro-LED顯示屏開發(fā)商“MICLEDI Microdisplays”日前宣布完成首次A輪融資,本輪融資的參與者包括imec.xpand、PMV、imec、KBC和SFPIM。
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三星停售二手芯片設(shè)備最大需求方是中國

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MCU制程工藝邁進(jìn)28nm時(shí)代,汽車行業(yè)的創(chuàng)新之路

瑞薩日前宣布,公司已基于STT-MRAM的電路技術(shù)開發(fā)出具有快速讀寫能力的測試芯片。該MCU 測試芯片采用 22 納米工藝制造,包括一個(gè) 10.8Mbit嵌入式 MRAM 存儲(chǔ)單元陣列。
2024-03-05 10:05:46192

三星電子在硅谷成立AI芯片開發(fā)團(tuán)隊(duì)

三星電子近日在硅谷成立了一支全新的AI芯片開發(fā)團(tuán)隊(duì),以加速在人工智能領(lǐng)域的布局。這支團(tuán)隊(duì)由前谷歌研究員Woo Dong-hyuk領(lǐng)導(dǎo),他在谷歌期間曾是設(shè)計(jì)張量處理單元(TPU)平臺(tái)的核心成員之一。
2024-02-22 14:43:38244

英國AI芯片開發(fā)商尋求收購Arm、OpenAI都是潛在買家

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MRAM特性優(yōu)勢和存儲(chǔ)原理

MRAM是以磁性隧道結(jié)(MTJ)儲(chǔ)存單元為基礎(chǔ)。MTJ中包含了一個(gè)維持單一極性方向的固定層,和一個(gè)通過隧道結(jié)與其隔離的自由層。當(dāng)自由層被施予和固定層相同方向的極化時(shí),MTJ的隧道結(jié)便會(huì)顯現(xiàn)出低電阻特性;反之MTJ便會(huì)有高電阻。
2024-02-19 11:32:41367

三星電子在硅谷設(shè)立新實(shí)驗(yàn)室,開發(fā)下一代3D DRAM芯片

三星電子近日宣布,已在美國硅谷開設(shè)一個(gè)新的研發(fā)(R&D)實(shí)驗(yàn)室,專注于下一代3D DRAM芯片開發(fā)。這一新實(shí)驗(yàn)室將由三星的Device Solutions America(DSA)運(yùn)營,并負(fù)責(zé)監(jiān)督公司在美國的半導(dǎo)體生產(chǎn)活動(dòng)。
2024-01-29 11:29:25432

臺(tái)積電開發(fā)出SOT-MRAM陣列芯片,功耗極低

臺(tái)積電近日宣布,與工研院合作開發(fā)出自旋軌道轉(zhuǎn)矩磁性存儲(chǔ)器(SOT-MRAM)陣列芯片,該芯片具有極低的功耗,僅為其他類似技術(shù)的1%。這一創(chuàng)新技術(shù)為次世代存儲(chǔ)器領(lǐng)域帶來了新的突破。
2024-01-22 15:44:472345

臺(tái)積電開發(fā)出SOT-MRAM陣列芯片

據(jù)報(bào)道,全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造公司臺(tái)積電在次世代MRAM存儲(chǔ)器相關(guān)技術(shù)方面取得了重大進(jìn)展。該公司成功開發(fā)出自旋軌道轉(zhuǎn)矩磁性存儲(chǔ)器(SOT-MRAM)陣列芯片,并搭配創(chuàng)新的運(yùn)算架構(gòu),使其功耗僅為其他類似技術(shù)的1%。
2024-01-19 14:35:126646

殺手锏!臺(tái)積電開發(fā)SOT-MRAM陣列芯片

臺(tái)積電在MRAM技術(shù)方面已經(jīng)取得了顯著進(jìn)展,成功研發(fā)了22納米、16/12納米工藝的MRAM產(chǎn)品線,并積累了大量內(nèi)存和車用市場訂單。
2024-01-18 16:44:044838

深入探索MRAM的原理與技術(shù)

MRAM是以磁性隧道結(jié)(MTJ)儲(chǔ)存單元為基礎(chǔ)。MTJ中包含了一個(gè)維持單一極性方向的固定層,和一個(gè)通過隧道結(jié)與其隔離的自由層。當(dāng)自由層被施予和固定層相同方向的極化時(shí),MTJ的隧道結(jié)便會(huì)顯現(xiàn)出低電阻特性;反之MTJ便會(huì)有高電阻。
2024-01-09 11:15:26197

創(chuàng)紀(jì)錄的SOT-MRAM有望成為替代SRAM的候選者

最近,Imec公布的超大規(guī)模自旋軌道轉(zhuǎn)移MRAM (SOT-MRAM) 器件已實(shí)現(xiàn)創(chuàng)紀(jì)錄的性能,每比特開關(guān)能量低于100飛焦耳,耐用性超過10的15次方。
2024-01-05 11:47:18428

三星慌了!傳京東方有意收購LGD廣州8.5代線

三星電子做出上述決定是基于BOE有可能收購LG Display在中國廣州的液晶顯示器(LCD)工廠,以及三星Display的QD-OLED和LG Display的W-OLED制造成本差異等2個(gè)主要背景。
2024-01-03 16:03:38490

日本將向三星提供芯片研發(fā)中心

行業(yè)芯事行業(yè)資訊
深圳市浮思特科技有限公司發(fā)布于 2023-12-22 18:05:48

電機(jī)的角啟動(dòng)是不是降低電機(jī)的啟動(dòng)電流?。?/a>

三星電子在 EUV 曝光技術(shù)取得重大進(jìn)展

三星電子行業(yè)資訊
深圳市浮思特科技有限公司發(fā)布于 2023-12-05 17:16:29

三星將于明年量產(chǎn)LPDDR5T DRAM芯片

三星將從明年開始批量生產(chǎn)LPDDR5T DRAM芯片。三星電子副總裁Ha-Ryong Yoon最近在投資者論壇上介紹了公司狀況和今后計(jì)劃等。當(dāng)投資者詢問三星今后將開發(fā)的技術(shù)時(shí),管理人員公開了有關(guān)LPDDR5T DRAM的信息。
2023-12-01 09:45:16324

RAM和NAND再遇強(qiáng)敵, MRAM被大廠看好的未來之星

目前三星仍然是全球?qū)@谝唬?002年三星宣布研發(fā)MRAM,2005年三星率先研究STT-MRAM,但是此后的十年間,三星對(duì)MRAM的研發(fā)一直不溫不火,成本和工藝的限制,讓三星MRAM研發(fā)逐漸走向低調(diào)。
2023-11-22 14:43:53213

角啟動(dòng)跳空開是什么原因?

西門子電機(jī)繞組重繞后,角啟動(dòng)角型切換時(shí)跳空開,電機(jī)保養(yǎng)廠商說可能線圈繞組順序換了,只要把線圈首尾端換后就能啟動(dòng),西門子電機(jī)有這種現(xiàn)象,有誰遇到過這種情況嗎?原因是什么?
2023-11-09 07:17:20

日本Socionext發(fā)布了業(yè)界首款32核數(shù)據(jù)中心級(jí)芯片

日本定制芯片開發(fā)商 Socionext 發(fā)布了業(yè)界首款 32 核數(shù)據(jù)中心級(jí)芯片,該芯片將采用臺(tái)積電 2nm 級(jí)制造工藝制造。
2023-10-30 18:21:37487

一款國產(chǎn)USB3.0HUB集線器芯片

1.1V DCDC ,極大 的 精簡了 外圍電路 。 SL6340支持符合 USB IF規(guī)范的 的 BC1.2快充 協(xié)議, 他 可以 為 蘋果、三星 設(shè)備 提供 最高 1.5A的 充電 電流
2023-10-20 18:20:58

三星顯示2.18億美元順利收購美企eMagin

此前,micronet分析說:“如果三星收購emejin,將確保世界最高的Micro OLED技術(shù),從而彌補(bǔ)三星顯示器技術(shù)積累不足的缺點(diǎn)?!?b class="flag-6" style="color: red">三星電子的xr事業(yè)將獲得優(yōu)先權(quán),明年還可以獲得蘋果的xr訂單,中小規(guī)模的amoled復(fù)制成功經(jīng)驗(yàn)。
2023-10-20 11:03:40764

求助,GPS定位到為什么還不能實(shí)現(xiàn)定位?

GPS定位到為什么還不能實(shí)現(xiàn)定位?
2023-10-16 06:58:02

英飛凌又收購了一家芯片公司!

繼三月份收購一家氮化鎵廠商后,英飛凌又將一家芯片企業(yè)收入囊中。 10月4日 ,英飛凌宣布已收購了總部位于蘇黎世的初創(chuàng)公司3db Access AG(3db),這家公司是安全低功耗超寬帶(UWB)技術(shù)
2023-10-13 08:39:27329

#美國 #三星 美國徹底放棄卡脖子嗎?美國同意三星電子向中國工廠提供設(shè)備!

三星電子
深圳市浮思特科技有限公司發(fā)布于 2023-10-11 13:47:16

今日看點(diǎn)丨OpenAI考慮自研AI芯片?傳已在評(píng)估潛在收購目標(biāo);印度指控小米、vivo非法轉(zhuǎn)移資金,小米強(qiáng)烈否認(rèn)

1. OpenAI 考慮自研AI 芯片?傳已在評(píng)估潛在收購目標(biāo) ? 有媒體報(bào)道,ChatGPT開發(fā)商OpenAI正在探求自研AI芯片的可行性,甚至已經(jīng)在評(píng)估潛在的收購目標(biāo)。 ? 目前OpenAI尚未
2023-10-07 11:04:00485

BV百度風(fēng)投三輪加注,MRAM企業(yè)亙存科技再獲融資

亙存科技成立于2019年,是一家以mram技術(shù)為中心,致力于設(shè)計(jì)、開發(fā)和銷售相關(guān)產(chǎn)品的Fabless企業(yè)??偣驹O(shè)在深圳,在上海、蘇州等地設(shè)有r&d中心和支持團(tuán)隊(duì)。
2023-09-20 10:27:21660

ARM軟件開發(fā)商勘誤表

本文檔描述了按嚴(yán)重程度分類的勘誤表。 每種描述都包括: ?勘誤表的當(dāng)前狀態(tài)。 實(shí)現(xiàn)偏離規(guī)范和發(fā)生錯(cuò)誤行為所需的條件的?。 ?關(guān)于典型應(yīng)用的勘誤表的含義。 在可能的情況下使用?解決辦法的應(yīng)用程序和限制
2023-09-01 07:34:56

關(guān)于非易失性MRAM應(yīng)用

作為一種磁性技術(shù),MRAM本質(zhì)上是抗輻射的。這使得獨(dú)立版本在航空航天應(yīng)用中很受歡迎,而且這些應(yīng)用對(duì)價(jià)格的敏感度也較低。它相對(duì)較大,在內(nèi)存領(lǐng)域,尺寸意味著成本。
2023-08-30 15:28:50407

CoreSight ETM-M7軟件開發(fā)商勘誤表

本文檔描述了按嚴(yán)重程度分類的勘誤表。 每種描述都包括:·缺陷的當(dāng)前狀態(tài)·實(shí)施偏離規(guī)范的情況和發(fā)生錯(cuò)誤行為的條件·勘誤表對(duì)典型應(yīng)用程序的影響·可能的情況下,“變通辦法”的應(yīng)用和限制本文檔描述的勘誤表可能會(huì)影響正在開發(fā)將在此ARM產(chǎn)品的實(shí)施上運(yùn)行的軟件的任何人。
2023-08-24 07:13:36

三星顯示推進(jìn)收購Micro OLED制造商eMagin,瞄準(zhǔn)軍用XR市場

收購eMagin可以加快三星顯示OLEDoS面板的研發(fā)進(jìn)度。繼蘋果于今年6月發(fā)布Vision Pro頭顯后,三星電子也在加速推出其XR設(shè)備。如果三星顯示能夠?qū)崿F(xiàn)OLEDoS面板的穩(wěn)定生產(chǎn),就可以完成更多客戶的訂單。
2023-08-15 16:17:21532

納芯微擬收購模擬芯片商昆騰微67.60%股權(quán)

納芯微擬收購模擬芯片商昆騰微67.60%股權(quán) 日前,蘇州納芯微電子股份有限公司發(fā)布公告擬收購昆騰微電子股份有限公司的控股權(quán),目前納芯微已經(jīng)和昆騰微30名股東簽署了收購《意向協(xié)議》,納芯微擬通過現(xiàn)金
2023-08-14 17:18:501078

【風(fēng)火輪YY3568開發(fā)板免費(fèi)體驗(yàn)】開箱篇 -----最好的RK3568開發(fā)板賞析

大大降低通信成本。2 路IIC,可接多個(gè)IIC設(shè)備。1路CAN,能夠滿足汽車電子領(lǐng)域需求。 板載PCIE3.0和SATA接口,支持固態(tài)硬盤M.2,SATA硬盤,可擴(kuò)展大容量硬盤。 三星的DDR4和EMMC
2023-08-07 10:00:25

三星半導(dǎo)體與芯馳科技達(dá)成車規(guī)芯片戰(zhàn)略合作

三星半導(dǎo)體與芯馳科技聯(lián)合宣布,雙方達(dá)成長期戰(zhàn)略合作關(guān)系,加強(qiáng)在車規(guī)芯片領(lǐng)域的深度合作。為進(jìn)一步推動(dòng)車規(guī)半導(dǎo)體的系統(tǒng)集成和適配項(xiàng)目,芯馳科技將在全場景車規(guī)芯片的參考方案開發(fā)中引入三星半導(dǎo)體的高性能存儲(chǔ)芯片,共同推進(jìn)雙方在車載領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新與突破。
2023-08-03 17:29:15679

角控制電路實(shí)際接線

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角降壓啟動(dòng)控制電路1

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108.角降壓二次線路

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芯片制造商N(yùn)etsol推出STT-MRAM

Netsol的MRAM具有非易失特性和幾乎無限的耐用性。對(duì)于需要使用最少數(shù)量的引腳來快速存儲(chǔ)、檢索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用程序而言,是最為理想的存儲(chǔ)器。適用于工業(yè)設(shè)備中的代碼存儲(chǔ)、數(shù)據(jù)記錄、備份和工作存儲(chǔ)器??商娲鶩lash、FeRAM、nvSRAM等,具有卓越的性能和非易失特性。
2023-07-07 17:06:59262

角降壓啟動(dòng)程序怎么編寫?

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角正反轉(zhuǎn)降壓啟動(dòng)控制回路#角正反轉(zhuǎn)

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手動(dòng)角降壓啟動(dòng)#角形降壓啟動(dòng)

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星形接法接線圖#角接線

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空氣延時(shí)觸頭角降壓啟動(dòng)#角形降壓啟動(dòng)

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數(shù)據(jù)記錄應(yīng)用STT-MRAM芯片S3R1016

MRAM在數(shù)據(jù)記錄應(yīng)用中,數(shù)據(jù)記錄是如下持續(xù)、反復(fù)地將重要數(shù)據(jù)保存于設(shè)備的過程??梢杂涗浵到y(tǒng)內(nèi)外部發(fā)生的事件;使用歷史;環(huán)境參數(shù) ;機(jī)器狀態(tài);用于分析目的的其他數(shù)據(jù)。因需要持續(xù)、反復(fù)地保存數(shù)據(jù),內(nèi)存需要快速的寫入速度與高耐久性。
2023-06-20 17:06:22219

【EASY EAI Nano人工智能開發(fā)套件試用體驗(yàn)】硬件解讀——從套件到芯片

開發(fā)板不完全一樣。 閃存芯片 開發(fā)板上的閃存芯片是:KLM8G1GETF-B041 主要規(guī)格信息如下: 型號(hào):KLM8G1GETF-B041 制造:SAMSUNG(三星半導(dǎo)體) 功能類別:嵌入式存儲(chǔ)器
2023-06-10 12:26:35

USB PD3.1+PD+QC+AFC+FCP 快充協(xié)議取電芯片 PD誘騙芯片

1.概述 XSP16 是一款集成 USB Power Delivery PD3.1 快充協(xié)議、PD2.0/3.0 快充協(xié)議、QC2.0/3.0 快充協(xié)議、華為 FCP 協(xié)議和三星 AFC 協(xié)議
2023-06-01 22:14:22

SC2002A芯片替代料XPD720 pps快充協(xié)議芯片支持三星 AFC 協(xié)議

供應(yīng)SC2002A芯片替代料XPD720 pps快充協(xié)議芯片支持三星 AFC 協(xié)議,提供XPD720關(guān)鍵參數(shù) ,廣泛應(yīng)用于AC-DC 適配器、車載充電器等設(shè)備的 USB Type-C 端口充電解決方案,更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向深圳富滿微代理驪微電子申請。>>
2023-06-01 10:10:41

1Mbit存儲(chǔ)MRAM芯片MR0A16A

Everspin型號(hào)MR0A16A容量為1Mbit的MRAM存儲(chǔ)芯片,組織為16位的65536個(gè)字。提供與SRAM兼容的35ns讀/寫時(shí)序,續(xù)航時(shí)間無限制。數(shù)據(jù)在20年以上的時(shí)間內(nèi)始終是非易失性的。
2023-05-31 17:23:08403

sw2303智融協(xié)議芯片代換料富滿電子xpd720 65w pps協(xié)議

)2.0/3.0 以及 PPS、QC3.0+/QC3.0/QC2.0 快充協(xié)議、華為 FCP/SCP/HVSCP 快充協(xié)議、三星 AFC 快充協(xié)議、BC1.2 DC
2023-05-31 17:22:55

fp6606c替代料XPD320單C口快充協(xié)議芯片外置VBUS MOS

(PD3.0)以及 PPS、QC3.0+/QC3.0/QC2.0 快充協(xié)議、華為 FCP/SCP 快充協(xié)議、三星 AFC 快充協(xié)議、BC1.2 DCP以及蘋果設(shè)備 2.4A
2023-05-31 16:25:58

XPD320B 20w協(xié)議芯片外置VBUS MOS支持三星 AFC 協(xié)議

供應(yīng)XPD320B 20w協(xié)議芯片外置VBUS MOS支持三星 AFC 協(xié)議,廣泛應(yīng)用于AC-DC 適配器、車載充電器等設(shè)備的USB Type-C 端口充電解決方案,更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向深圳富滿微代理驪微電子申請。>>   
2023-05-30 14:24:29

XPD702DPS4525 A+C多口充協(xié)議芯片輸出功率高至100W-芯片xpd702

) 3.1 以及 PPS、QC3.0+/3.0/2.0 快充協(xié)議、華為 FCP/SCP/HVSCP 快充協(xié)議、三星 AFC 快充協(xié)議、VOOC快充協(xié)議、MTK PE
2023-05-29 16:30:29

XPD319BP18 三星18w快充協(xié)議芯片支持三星afc快充協(xié)議-一級(jí)代理富滿

供應(yīng)XPD319BP18 三星18w快充協(xié)議芯片支持三星afc快充協(xié)議-一級(jí)代理富滿,廣泛應(yīng)用于AC-DC適配器、車載充電器等設(shè)備提供高性價(jià)比的 USB Type-C 端口充電解決方案,更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向深圳富滿微代理驪微電子申請。>>  
2023-05-29 11:37:36

XPD319B 20w快充協(xié)議芯片支持三星afc快充協(xié)議-單C口快充方案

供應(yīng)XPD319B 20w快充協(xié)議芯片支持三星afc快充協(xié)議-單C口快充方案,廣泛應(yīng)用于AC-DC適配器、車載充電器等設(shè)備提供高性價(jià)比的 USB Type-C 端口充電解決方案,更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向深圳富滿微代理驪微電子申請。>>  
2023-05-29 11:13:51

XPD318BP25 三星25w充電器協(xié)議芯片單c口支持三星25w方案

供應(yīng)XPD318BP25 三星25w充電器協(xié)議芯片單c口支持三星25w方案 ,廣泛應(yīng)用于AC-DC 適配器、USB 充電設(shè)備等領(lǐng)域,更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向深圳富滿微代理驪微電子申請。>>
2023-05-29 10:09:46

NVIDIA仍不死心,再次加入ARM站場

。競爭對(duì)手三星早與另一間GPU大廠AMD合作,將其圖形技術(shù)帶入到手機(jī)上,具備了硬件加速光線追蹤和可變速率著色功能。雖然首款產(chǎn)品Exynos 2200并不算很成功,但三星未來必然會(huì)延續(xù)這種做法,加深與AMD的合作。
2023-05-28 08:51:03

行業(yè)首創(chuàng)!恩智浦?jǐn)y手臺(tái)積電,推出汽車級(jí)16納米FinFET嵌入式MRAM

恩智浦和臺(tái)積電聯(lián)合開發(fā)采用臺(tái)積電16納米FinFET技術(shù)的嵌入式MRAM IP? 借助MRAM,汽車廠商可以更高效地推出新功能,加速OTA升級(jí),消除量產(chǎn)瓶頸 恩智浦計(jì)劃于2025年初推出采用該技術(shù)
2023-05-26 20:15:02396

如何查看S32G3支持的DDR芯片

S32G3開發(fā)板上使用的ddr芯片是micro MT53E1G32D2FW-046 AUT: B 但是我們的開發(fā)板使用的是三星芯片(K4FBE3D4HM THCL)。 如何查看 S32G3 支持的 DDR 芯片?。以及如何支持新的DDR芯片?
2023-05-23 07:15:48

今日看點(diǎn)丨三星和特斯拉尋求合作 共同開發(fā)自動(dòng)駕駛芯片等技術(shù);首款搭載M3芯片的Mac電腦最快年底上市

1. 三星和特斯拉尋求合作 共同開發(fā)自動(dòng)駕駛芯片等技術(shù) ? 據(jù)報(bào)道,三星電子會(huì)長李在镕于5月10日與特斯拉 CEO 埃隆?馬斯克進(jìn)行了會(huì)面,討論了未來尖端產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域的合作方案,這家芯片制造商與特斯拉
2023-05-15 11:10:48624

PD誘騙芯片 QC誘騙芯片 PD QC快充取電芯片

1.概述 XSP06 是一款集成 USB Power Delivery(PD2.0/3.0)快充協(xié)議,QC3.0/2.0 快充協(xié)議,和三星 AFC 快充協(xié)議(兼容 BC1.2)的 USB 多功能
2023-05-11 15:40:45

帶你了解AirTag中的UWB技術(shù)

后發(fā)布了UWB技術(shù)的使用規(guī)定通知。UWB已被用于消費(fèi)類電子產(chǎn)品中,比如三星的Galaxy S21,具備“一連指”功能的小米10,配置UWB芯片的iPhone11、iPhone12等。一些芯片廠商也提供
2023-05-11 11:51:43

MLCC龍頭漲價(jià);車廠砍單芯片;臺(tái)積電28nm設(shè)備訂單全部取消!

的裸片面積上實(shí)現(xiàn)相同的功能,從而實(shí)現(xiàn)了外設(shè)和存儲(chǔ)的更高集成度,新產(chǎn)品預(yù)計(jì)第四季度全面上市。 行業(yè)風(fēng)向 【三星將減產(chǎn)NAND閃存產(chǎn)能5%,西安廠為重點(diǎn)】 據(jù)韓媒報(bào)道,三星將在第二季度將其NAND產(chǎn)能
2023-05-10 10:54:09

高通宣布收購以色列車載通訊芯片制造Autotalks

時(shí)事熱點(diǎn)行業(yè)資訊
電子發(fā)燒友網(wǎng)官方發(fā)布于 2023-05-09 11:30:12

Netsol SPI MRAM芯片S3A1604

S3A1604是一種NETSOL MRAM存儲(chǔ)芯片。具有SPI總線接口、XIP(就地執(zhí)行)性能和基于硬件/軟件的數(shù)據(jù)保護(hù)系統(tǒng)。可以取代具有相同功能和非易失性的閃存、FeRAM或(nv)SRAM。提供SPI、DSPI、QSPI等模式,以允許帶寬擴(kuò)展選項(xiàng)。
2023-04-27 17:33:44420

XPD767BP18 支持三星pps快充協(xié)議芯片-65W和65W以內(nèi)多口互聯(lián)

 供應(yīng)XPD767BP18 支持三星pps快充協(xié)議芯片-65W和65W以內(nèi)多口互聯(lián),更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向富滿微代理驪微電子申請。>>  
2023-04-26 10:22:36

XPD977BV 65W和65W以內(nèi)多快充協(xié)議充電芯片-XPD977芯片參數(shù)

) 3.0/2.0 以及 PPS、QC3.0/2.0CLASS B 快充協(xié)議、華為 FCP/SCP 快充協(xié)議、三星 AFC 快 充協(xié)議、VOOC 2.0 快充協(xié)議、B
2023-04-25 14:44:51

XPD977 65W和65W以內(nèi)移動(dòng)電源多協(xié)議快充芯片-多功能USB端口控制器

) 3.0/2.0 以及 PPS、QC3.0/2.0CLASS B 快充協(xié)議、華為 FCP/SCP 快充協(xié)議、三星 AFC 快 充協(xié)議、VOOC 2.0 快充協(xié)議
2023-04-25 11:44:53

深度剖析角變壓器的相移

角變壓器,初級(jí)側(cè)Y連接,次級(jí)側(cè)角形連接,如下圖所示。極性標(biāo)記在每個(gè)相位上都標(biāo)明。繞組上的點(diǎn)表示在未接通的端子上同時(shí)為正的端子?!   ?b class="flag-6" style="color: red">星側(cè)的相位標(biāo)記為A,B,C,角洲側(cè)的相位標(biāo)記為a,b,c
2023-04-20 17:39:25

一文了解新型存儲(chǔ)器MRAM

MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發(fā)性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫入能力,以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
2023-04-19 17:45:462538

DRAM價(jià)格正式反彈 三星通知分銷:不再低于當(dāng)前價(jià)格出售DRAM芯片

時(shí)事熱點(diǎn)行業(yè)資訊
電子發(fā)燒友網(wǎng)官方發(fā)布于 2023-04-17 15:17:56

如何使用SEMC將iMX RT1024連接到MRAM?

中的波形,我發(fā)現(xiàn) iMX RT1024 SRAM 操作存在一個(gè)問題。MR5A16A MRAM 聲明地址線必須在芯片啟用變低時(shí)有效iMX RT1024 參考手冊指出,芯片啟用在地址有效之前變?yōu)榈碗娖?/div>
2023-04-17 07:52:33

PD QC受電端協(xié)議芯片-XSP12 帶MCU功能

快充協(xié)議、華為FCP 協(xié)議和三星 AFC 快充協(xié)議(兼容 BC1.2)的 USB Type-C 多功能取電芯片,支持和其它 MCU共用 D+D-網(wǎng)絡(luò),自動(dòng)識(shí)別電腦或充電器。支持從充電器/車充等電源上
2023-04-11 10:38:57

#三星折疊屏 #三星fold3 換外屏#硬聲創(chuàng)作季

電路維修
也許吧發(fā)布于 2023-04-09 14:05:19

NETSOL串行MRAM產(chǎn)品介紹

STT-MRAM它具有SPl總線接口、XIP(就地執(zhí)行)功能和基于硬件/軟件的數(shù)據(jù)保護(hù)機(jī)制。SPl(串行外圍接口)是一個(gè)帶有命令、地址和數(shù)據(jù)信號(hào)的同步串行通信接口。
2023-04-07 17:02:07758

MRAM實(shí)現(xiàn)對(duì)車載MCU中嵌入式存儲(chǔ)器的取代

產(chǎn)品會(huì)取代獨(dú)立存儲(chǔ)器目前各廠商已經(jīng)基本掌握了用于實(shí)現(xiàn)第一階段應(yīng)用的關(guān)鍵技術(shù)。在車載MCU中,通常是將設(shè)備工作時(shí)使用的sram存儲(chǔ)器和用于存放程序的閃存集成在同一塊芯片上。如果能夠?qū)⒆孕⑷?b class="flag-6" style="color: red">MRAM集成到
2023-04-07 16:41:05

與FRAM相比Everspin MRAM具有哪些優(yōu)勢?

Everspin的8Mb MRAM MR3A16ACMA35可以在較慢的富士通8Mb FRAM MB85R8M2T上運(yùn)行,但還允許系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員利用MRAM的四倍隨機(jī)存取周期時(shí)間。Everspin
2023-04-07 16:26:28

三星或創(chuàng)14年最差業(yè)績逆周期擴(kuò)產(chǎn)打壓對(duì)手

三星時(shí)事熱點(diǎn)行業(yè)資訊
電子發(fā)燒友網(wǎng)官方發(fā)布于 2023-04-06 16:41:07

STM32開發(fā)

STM32開發(fā)板 STM32F103RCT6最小系統(tǒng)板 ARM 一鍵串口下載 液晶屏
2023-04-04 11:05:04

N32G430C8L7_STB開發(fā)

N32G430C8L7_STB開發(fā)板用于32位MCU N32G430C8L7的開發(fā)
2023-03-31 12:05:12

N32G4FRML-STB開發(fā)

高性能32位N32G4FRM系列芯片的樣片開發(fā),開發(fā)板主MCU芯片型號(hào)N32G4FRMEL7
2023-03-31 12:05:12

MRAM芯片應(yīng)用于PLC產(chǎn)品上的特性

在PLC(可編程邏輯控制器)產(chǎn)品中,MRAM芯片的應(yīng)用也日漸普及,本文將介紹MRAM芯片應(yīng)用于PLC產(chǎn)品上的特性。--代理商:吉芯澤科技
2023-03-29 16:31:221168

Pegasus智能家居開發(fā)套件

HiHope 滿天星智能家居開發(fā)套件
2023-03-28 13:07:10

ATK-Mini Linux開發(fā)板-EMMC

ATK-Mini Linux開發(fā)板-EMMC
2023-03-28 13:05:54

ATK-Mini Linux開發(fā)板-NAND

ATK-Mini Linux開發(fā)板-NAND
2023-03-28 13:05:54

CC2541開發(fā)套件

TI CC2541開發(fā)套件
2023-03-25 01:27:25

MYC-C3352-256N256D-80-I

芯片 I.MX8M 開發(fā)
2023-03-24 15:06:54

MYD-C8MMQ6-8E2D-180-C

芯片 I.MX8M 開發(fā)
2023-03-24 15:06:54

MYD-CZU3EG-4E4D-1200-C

芯片 MPSOC 開發(fā)
2023-03-24 15:06:53

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