半導體產(chǎn)業(yè):創(chuàng)新發(fā)展正當時

　　中國半導體行業(yè)協(xié)會最新統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示，2010年，我國國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)銷售額1440 億元，實現(xiàn)近30%的高增長。不僅如此，在國家對研發(fā)創(chuàng)新給予重點投入與大力扶持的幫助下，在我國半導體企業(yè)的不懈努力下，我國半導體技術與產(chǎn)品創(chuàng)新也取得了顯著成果。但總體來看，在半導體核心技術與產(chǎn)品的研發(fā)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)化方面，我們還有很長的路要走，創(chuàng)新仍是我國半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的主旋律。

　　新興產(chǎn)業(yè)帶動創(chuàng)新

　　與國際先進水平相比，我國集成電路產(chǎn)業(yè)基礎較為薄弱，企業(yè)科技創(chuàng)新和自我發(fā)展能力不強，應用開發(fā)水平亟待提高，產(chǎn)業(yè)鏈有待完善，我國企業(yè)在市場上還很難與跨國公司正面交鋒。如何瞄準差異化市場，培育新的增長點是必解之題。

　　上海華虹NEC電子有限公司銷售與市場副總裁高峰認為，國家近期公布了7大戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)規(guī)劃，新型產(chǎn)品創(chuàng)新的重點必將出現(xiàn)在與戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)相關的 IC產(chǎn)品中，如LED驅(qū)動、新型電力電子器件大功率IGBT/MOSFET、MEMS、高速通信用芯片等，而作為產(chǎn)業(yè)鏈一環(huán)的半導體設備、材料等也將是產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新的重點目標?！斑@些新興熱點市場從本質(zhì)上來說是核心集成電路芯片在多個產(chǎn)業(yè)領域的交*融合應用，重點新興產(chǎn)業(yè)應用市場的興起將衍生出多層次的集成電路市場需求。這些新興熱點產(chǎn)品和應用為集成電路產(chǎn)業(yè)加快發(fā)展提供了廣闊的市場和創(chuàng)新空間?！彼f。

　　聯(lián)芯科技有限公司相關負責人表示，圍繞戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，我國半導體企業(yè)應該在一些細分的半導體產(chǎn)品和技術領域方面進行突破：在應用領域，應優(yōu)先在面向互聯(lián)網(wǎng)應用的智能終端芯片及 LTE/LTE-A終端SoC芯片領域取得突破，重點關注生物醫(yī)療電子產(chǎn)品、清潔能源和智能家居等方面的應用;在技術領域，應重點在多頻段、低功耗的射頻基帶納米技術(45nm/32nm)的SoC集成技術，面向軟件無線電的射頻/混合信號電路的可重構結構及其設計技術，基帶、射頻單芯片協(xié)同仿真設計技術等方面進行突破。

　　廈門永紅研究所所長助理彭淑合表示，今年是國家布局戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的開局之年，我國半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展迎來又一個春天。在超大規(guī)模集成電路方面，需要對封裝、引線精密制造、芯片導線接合、集成電路材料的選擇、結構的設計和冷卻的手段等進行技術創(chuàng)新;在LED照明方面，需要加大對硅襯底LED技術、核心裝備MOCVD國產(chǎn)化、大功率白光LED技術的創(chuàng)新;在芯片設計和制造方面，高階制程控制和整合、高精密度儀器、硅提純、切片、深紫外光(EUV)或無光罩電子束、摻雜等技術創(chuàng)新顯得尤為重要。

　　重大專項驅(qū)動創(chuàng)新

　　集成電路產(chǎn)業(yè)是國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，是國民經(jīng)濟和社會信息化的重要基礎。我國發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)必須發(fā)揮國家意志。國發(fā)4號文強調(diào)，發(fā)揮國家科技重大專項的引導作用，大力支持集成電路重大關鍵技術的研發(fā)，努力實現(xiàn)關鍵技術的整體突破，加快具有自主知識產(chǎn)權技術的產(chǎn)業(yè)化和推廣應用。

　　事實上，“核高基”等重大專項的實施，已經(jīng)帶動我國集成電路產(chǎn)業(yè)在一些核心領域取得突破。

　　“以華虹NEC為例，‘十一五’期間，華虹NEC承擔的兩個重大專項‘0.25微米～0.18微米通用BCD產(chǎn)品工藝開發(fā)與產(chǎn)業(yè)化’和‘0.18微米 /0.13微米鍺硅BiCMOS成套工藝技術’已取得顯著成績。其中，瞄準高端電源管理芯片市場需求而成功開發(fā)的0.18微米BCD技術平臺，已于 2010年12月進入量產(chǎn)。目前正在對世界上最前沿的0.13微米/0.18微米SiGeBiCMOS進行技術攻關，并已取得重要階段性成果。已有兩款 SiGe產(chǎn)品進入小批量生產(chǎn)階段，填補了國內(nèi)空白?！备叻逭f。

　　當然，通過重大專項帶動集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新，還應進一步優(yōu)化管理方式，找準創(chuàng)新突破口。中國半導體行業(yè)協(xié)會集成電路設計分會副理事長魏少軍認為：“重大專項要防止兩個誤區(qū)：一是要防止重大專項代替一切，二是要防止企業(yè)盲目跟進重大專項課題任務?！?/p>

　　協(xié)同發(fā)展加快創(chuàng)新

　　隨著技術的升級和競爭的加劇，市場競爭已經(jīng)不再是單一產(chǎn)品的競爭，而是商業(yè)模式和產(chǎn)業(yè)鏈的競爭。在發(fā)達國家掌控核心技術、完成專利布局的情況下，我國企業(yè)利用龐大的“中國市場”，通過商業(yè)模式創(chuàng)新和加強產(chǎn)業(yè)鏈之間的合作，增強企業(yè)的創(chuàng)新實力，改善創(chuàng)新效果，是從“追隨”實現(xiàn)“趕超”的有效途徑。

　　上海新進第二產(chǎn)品事業(yè)群總經(jīng)理王裕仁告訴記者，隨著全球范圍內(nèi)的產(chǎn)業(yè)轉移，“中國制造”正在吸引著全球生產(chǎn)要素的流入。在技術東移背景下，我國***地區(qū)和中國大陸的半導體公司有機會和系統(tǒng)廠商一起坐下來了解市場的真實需求，IC設計變得更加有的放矢，產(chǎn)品更加貼近客戶需求，產(chǎn)業(yè)鏈之間的合作更加密切。中國大陸的半導體公司的創(chuàng)新實力會得到很多提升，未來的進步空間會更廣闊。

　　蘇州晶方半導體科技股份有限公司董事長兼總經(jīng)理王蔚表示，一個半導體產(chǎn)品推出市場的時間長短、性能優(yōu)劣、價錢高低等，跟企業(yè)與其上下游產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)，與設備、物料供應商的相互合作程度相關。“以晶方半導體為例，一方面它積極與上下產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)之間通力合作，建立戰(zhàn)略聯(lián)盟，相互提供平臺，相互提供資源，增強企業(yè)的市場競爭地位和實力。另一方面，在前沿技術研發(fā)過程中，注意把握市場和技術發(fā)展趨勢和方向的準確性和及時性，通過跟上下游產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)緊密合作，互通有無，加快技術創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)化的步伐?！蓖跷嫡f。

　　從整個產(chǎn)業(yè)鏈條來看，要想提高產(chǎn)品核心競爭力，不但企業(yè)本身掌控技術工藝要突破完善，上游支撐的材料設備也必須發(fā)展就位?！耙虼?，支撐材料業(yè)不但要提供優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品，而且要指導下游廠商用好材料;反之，器件電路廠商也能就工藝發(fā)展對材料提出要求，反饋提升材料產(chǎn)品質(zhì)量。上下游的合作是非常重要的，各種方式無論合資、技術交流等都是發(fā)展創(chuàng)新、抗拒風險的重要手段?！庇醒邪雽w材料股份有限公司研發(fā)部經(jīng)理肖清華說。