爾必達破產(chǎn)事件三大結局猜想：宣告破產(chǎn)價格飆升？ - 全文

　　日本存儲器大廠爾必達（Elpida）申請破產(chǎn)保護一個月后，DRAM產(chǎn)業(yè)開始傳出整并消息，爾必達也企圖自保，藉由財務重整挹注資金來渡過難關。對此集邦科技（Trendforce）旗下研究部門DRAMeXchange分析指出， DRAM產(chǎn)業(yè)近年來面臨毛利率下降，以及傳統(tǒng)PC產(chǎn)業(yè)受平板機與智能手機等移動終端侵蝕影響，產(chǎn)業(yè)環(huán)境每況愈下，而爾必達產(chǎn)品長期對PC DRAM倚賴太深，同時營運重心偏向以受到景氣波動影響最巨的現(xiàn)貨市場為主，即使制程技術可與一線大廠抗衡，一旦面臨景氣劣勢，直接沖擊營收表現(xiàn)，導致市占率節(jié)節(jié)敗退。

　　爾必達未來發(fā)展仍是大家所關注的焦點，集邦科技認為，除了債務問題必須逐一解決外，日本政府的態(tài)度更具有關鍵性影響，爾必達也在尋找任何在市場繼續(xù)存活的可能性。針對爾必達事件最終結果，集邦科技提出“取得資金，債務重整”、“出售廠房，短期陣痛”、“宣告破產(chǎn)，價格飆升”三大可能性，指出爾必達處分瑞晶取得資金，廣島廠轉型IC設計，將是推動DRAM產(chǎn)業(yè)往前邁進，對產(chǎn)業(yè)沖擊影響較小的方式。

　　可能性一：取得資金債務重整

　　目前傳聞日本政府有意出資拯救爾必達，前提是希望日本國內(nèi)DRAM與NAND Flash兩大產(chǎn)品線整合，此外，為搶攻移動終端市場，廣島廠將降低標準型存儲器比重，提升移動式存儲器投片，然而，受限于自主閃存（NAND Flash）技術的短缺，導致與韓系廠商相較之下，無法在MCP （Multi-Chip Packaging）領域有進一步的發(fā)展。

　　因此，身為NAND Flash營收排名第二的東芝半導體（Toshiba），不排除在日本政府主導下與爾必達進行技術合作，如果順利，未來將有MCP （Multi-Chip Packaging）產(chǎn)品續(xù)攻成長性高的智能手機及平板電腦兩大市場，與韓系大廠在移動式存儲器領域相抗衡。

　　爾必達在標準型存儲器上，僅委由瑞晶作為生產(chǎn)主力，加速轉進25奈米制程。但由供需面的動能做觀察，盡管瑞晶獨撐大局，標準型存儲器整體市況仍供過于求，對DRAM平均銷售單價的拉抬效應有限。在債務方面，爾必達亦有可能與銀行團洽談以債轉股，甚至減免部份債務，整體退出DRAM產(chǎn)能可能性低，對后續(xù)顆粒價格拉抬的效應最小。

　　可能性二：出售廠房短期陣痛

　　倘若日本政府僅提供程度上的債務展延，爾必達的自救仍需繼續(xù)進行。在廣島廠方面，隨著日本政府整并面板產(chǎn)業(yè)后，目前也將觸角伸入國內(nèi)半導體產(chǎn)業(yè)，近期正在進行瑞薩電子（Renesas Electronics）、富士通（Fujitsu）及松下（Panasonic）的整并工作，并嘗試將IC 設計及晶片生產(chǎn)區(qū)分為兩大事業(yè)體，未來將成立一家名為INCJ的公司進行經(jīng)營主導IC 設計業(yè)務，生產(chǎn)部份不排除將轉入爾必達廣島廠生產(chǎn)，冀望降低其標準型DRAM的曝險。

　　同時，爾必達為解決財務上的問題，集邦科技認為，出售瑞晶或廣島廠的可能性不低，假設售出之后，勢必面臨技術轉換陣痛期，屆時投片將會減少，時間有可能長達半年左右。從供需面來看，2012年下半年將有機會轉為供需平衡，技術轉進能力強的廠商，標準型DRAM有望呈現(xiàn)獲利的價格走勢。

　　可能性三：宣告破產(chǎn)價格飆升

　　由于日本政府經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省尚未決定是否相救爾必達，若最后決議不提供援助，爾必達將全面退出市場，屆時包含瑞晶在內(nèi)的投片，合計每月165K都將停止，全球DRAM產(chǎn)能將頓時失去12%，供過于求的狀況短期內(nèi)轉為供不應求，DRAM合約顆粒價格將上看2.35美元，成長幅度超過100%，本是淺碟價格走勢的現(xiàn)貨市場，由于庫存水位普遍不高下，更有機會上看2.5美元價位。

　　此外，集邦科技認為，若爾必達退出移動式存儲器版圖，最大受惠者將會是同時具備DRAM與NAND Flash產(chǎn)能的韓廠海力士半導體（Hynux），其產(chǎn)品線完備，是僅次于三星半導體（Samsung）、營收排名第二大的供應商，將與美系美光半導體分食爾必達現(xiàn)有市占。

　　美系甚至臺系的DRAM廠都可能將瑞晶視為整并對象。集邦科技預估，假設瑞晶易主，將現(xiàn)有的爾必達技術逐步更新至新技術母廠的準備時間，將至少存在六個月的空窗期，不僅產(chǎn)能利用率降低，制程良率也需要時間逐步改善。

　　預計2012年PC DRAM 的年度總產(chǎn)能將因制程轉換而產(chǎn)生至少225K片的缺口，將大幅修正當下DRAM供過于求的市況，直接轉為供需平衡，若再加計產(chǎn)業(yè)鏈對爾必達存亡的疑慮做出激烈反應，加備庫存周數(shù)或是重復下單以避免后續(xù)價格劇烈彈升，以及配合下半年需求端較佳的季節(jié)性銷售，PC DRAM價格將有機會大幅回漲。