--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 頻率 直流至 6 GHz
- 力量 41.7 分貝
- 功率(W) 15 瓦
- P1dB 19分貝
- 飽和功率 20 瓦
--- 產(chǎn)品詳情 ---
United Monolithic Semiconductors 的 CHK8101-SYC 是一款無與倫比的高電子遷移率晶體管 (HEMT),工作頻率為 DC 至 6 GHz。它提供超過 15 W 的輸出功率,具有 19 dB 的小信號增益和 64% 的功率附加效率。該晶體管采用 0.5 μm 柵極長度 GaN HEMT 技術(shù)開發(fā),需要外部匹配電路。它設(shè)計用于在脈沖和連續(xù)波操作模式下工作,并為各種射頻功率應(yīng)用提供通用和寬帶解決方案。HEMT 需要 50 V 的直流偏置并消耗 100 mA 的電流。它采用密封陶瓷金屬法蘭封裝,適用于雷達和電信應(yīng)用。
第一個符合空間要求的密封封裝 GaN 功率晶體管
CHK8101-SYC 是專用于空間應(yīng)用的 15W GaN 封裝晶體管
感謝由 ESA 基礎(chǔ)技術(shù)研究計劃資助的歐洲 GREAT2 計劃 ( Link ) 的支持,我們非常自豪地宣布發(fā)布 CHK8101-SYC,這是一款組裝在全密封金屬陶瓷法蘭功率封裝中的 15W GaN 功率晶體管.
這種無與倫比的 GaN 晶體管可用于高達 6GHz 的高性能射頻功率應(yīng)用。這種性能水平已經(jīng)通過專用于 1.3GHz 應(yīng)用的演示板得到驗證,其中 20W CW 輸出功率是在 50V 直流偏置下實現(xiàn)的,典型 PAE 為 64%,小信號增益為 20dB。
這款新產(chǎn)品采用我們的 GH50 空間評估 GaN-on-SiC 技術(shù)生產(chǎn),目前處于采樣階段。資格測試正在進行中,目標是使該零件在 2022 年完全符合太空要求,并列入 ESA QPL(合格零件清單)。這是一系列符合空間要求的密封封裝功率晶體管中的第一個,計劃作為與 ESA 正在進行的 GH50 能力認證合作的一部分推出。
產(chǎn)品規(guī)格
產(chǎn)品詳情
零件號
CHK8101-SYC
制造商
聯(lián)合單片半導(dǎo)體
描述
15 W GaN HEMT,從直流到 6 GHz
一般參數(shù)
晶體管類型
HEMT
技術(shù)
氮化鎵
應(yīng)用行業(yè)
無線基礎(chǔ)設(shè)施、雷達
應(yīng)用
電信
連續(xù)波/脈沖
連續(xù)波,脈沖
頻率
直流至 6 GHz
力量
41.7 分貝
功率(W)
15 瓦
P1dB
19分貝
飽和功率
20 瓦
獲得
14分貝
功率附加效率
64 %
效率
73 %
特征
專為寬帶操作、高效率、高功率增益而設(shè)計
電源電壓
50 伏
擊穿電壓 - 漏源
180 伏
電壓 - 漏源 (Vdss)
50 伏
電壓 - 柵源 (Vgs)
-10 至 2 伏
漏電流
700毫安
漏極偏置電流
3毫安(最大)
靜態(tài)漏極電流
200毫安
柵極漏電流 (Ig)
-0.4 毫安
匹配
需要外部匹配電路
輸入電容
0.4 pF
結(jié)溫 (Tj)
200攝氏度
熱阻
5.8 C/W
包裹
3 引線密封陶瓷金屬法蘭封裝
RoHS
是的
貯存溫度
-55 至 150 攝氏度
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CHA6105-99F
CHA4107-QDG
CHA3656-QAG
CHA2157-99F
CHA5050-QDG
CHA2063a99F
CHA2190-99F
CHA3666-SNF
CHA2066-99F
CHA3666-QAG
CHA7114-99F
CHA2091-99F
CHA8100-99F
CHA2097a99F
CHA2069-QDG
CHA3688aQDG
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