--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 欠壓閉鎖(UVLO) 2.5 V VDD1
- 工作結(jié)溫最高可達(dá) 125°C
- 封裝 SOIC
--- 產(chǎn)品詳情 ---
ADuM4121/ADuM4121-1為2 A隔離式、單通道驅(qū)動(dòng)器,采用ADI公司的iCoupler?技術(shù)提供精密隔離。ADuM4121/ADuM4121-1提供5 kV rms隔離,采用8引腳寬體SOIC封裝。這些隔離器件將高速CMOS與單芯片變壓器技術(shù)融為一體,具有優(yōu)于脈沖變壓器和柵極驅(qū)動(dòng)器組合等替代器件的出色性能特征。
ADuM4121/ADuM4121-1采用2.5 V至6.5 V輸入電壓工作,可與較低電壓系統(tǒng)兼容。與采用高壓電平轉(zhuǎn)換方法的柵極驅(qū)動(dòng)器相比,ADuM4121/ADuM4121-1的輸入與輸出之間具有真電氣隔離優(yōu)勢(shì)。
ADuM4121/ADuM4121-1集成內(nèi)部米勒箝位,在2 V時(shí)可在柵極驅(qū)動(dòng)輸出的下降沿上激活,提供具有較低阻抗路徑的驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O,以減少米勒電容感應(yīng)導(dǎo)通的可能性。
有很多選項(xiàng)可用于熱關(guān)斷使能或禁用。因此,ADuM4121/ADuM4121-1可在各種開關(guān)電壓范圍內(nèi)對(duì)絕緣柵極雙極性晶體管(IGBT)/金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)配置的開關(guān)特性進(jìn)行可靠控制。
應(yīng)用
- 開關(guān)電源
- 隔離式IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器
- 工業(yè)逆變器
- 氮化鎵(GaN)/碳化硅(SiC)功率器件
- 峰值輸出電流:2 A (<2 Ω RDSON)
- 2.5 V至6.5 V輸入
- 4.5 V至35 V輸出
- 欠壓閉鎖(UVLO):2.5 V VDD1
- VDD2上提供多個(gè)UVLO選項(xiàng)
- A級(jí):VDD2上的UVLO:4.4 V(典型值)
- B級(jí):VDD2上的UVLO:7.3 V(典型值)
- C級(jí):VDD2上的UVLO:11.3 V(典型值)
- 精密時(shí)序特性
- 隔離器和驅(qū)動(dòng)器傳播延遲:53 ns(最大值)
- CMOS輸入邏輯電平
- 工作結(jié)溫最高可達(dá):125°C
- 高共模瞬變抗擾度:>150 kV/μs
- 默認(rèn)低電平輸出
- 內(nèi)部米勒箝位
- 安全和法規(guī)認(rèn)證(申請(qǐng)中)
- UL認(rèn)證符合UL 1577
- 1分鐘5 kV rms,SOIC長(zhǎng)封裝
- CSA元件驗(yàn)收通知5A
- 符合VDE標(biāo)準(zhǔn)證書(申請(qǐng)中)
- DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12
- VIORM = 849 V峰值
- 8引腳寬體SOIC封裝
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