--- 產品參數 ---
- VDS 最大值(V) 650
- 內徑最大值(A) 31
- 封裝 TO-220-3L
--- 產品詳情 ---
Qorvo 的 UF3C065080T3S 650 V、80 mohm RDS(on) 共源共柵 SiC FET 產品將其高性能第 3 代 SiC JFET 與 FET 優(yōu)化 MOSFET 共同封裝,以生產當今市場上唯一的標準柵極驅動 SiC 器件。該系列不僅具有超低柵極電荷,而且具有同類額定值器件中最好的反向恢復特性。這些器件采用 TO-220-3L 封裝,與推薦的 RC 緩沖器一起使用時非常適合開關電感負載,以及任何需要標準柵極驅動的應用。
主要特征
- 導通電阻 (RDS(on)):80 mohm(典型值)
- 最高工作溫度:175 °C
- 優(yōu)秀的反向恢復
- 低柵極電荷
- 低本征電容
- ESD 保護,HBM 2 級
VDS 最大值(V) | 650 |
RDS(on) Typ @ 25C (mohm) | 80 |
內徑最大值(A) | 31 |
一代 | 第 3 代 |
Tj 最大值(°C) | 175 |
汽車資質 | 是的 |
包裝類型 | TO-220-3L |
UF3C065030B3
UF3C065030K3S
UF3C065030K4S
UF3C065030T3S
UF3C065040B3
UF3C065040K3S
UF3C065040K4S
UF3C065040T3S
UF3C065080B3
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UF3C120080K3S
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