MAT02系列NPN雙通道單芯片晶體管的設(shè)計(jì)經(jīng)過(guò)優(yōu)化，提供極低噪聲、低漂移和低rBE特性。ADI公司專有的氮化硅“三重鈍化”工藝使器件的關(guān)鍵參數(shù)能在寬溫度范圍和長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)保持穩(wěn)定。此外，MAT02能夠在寬集電極電流范圍內(nèi)保持高電流增益(hFE)。MAT02的優(yōu)異特性包括失調(diào)電壓最大值僅50μV。保證器件性能的額定溫度范圍為軍用溫度范圍。
發(fā)射極-基極結(jié)上提供了輸入保護(hù)二極管，防止器件特性因?yàn)榘l(fā)射極電流反向偏置而下降。保護(hù)二極管形成的寄生隔離結(jié)將基板箝位在發(fā)射極最低負(fù)電壓，從而在晶體管之間實(shí)現(xiàn)完全隔離。
MAT02適用于任何優(yōu)先考慮低噪聲要求的應(yīng)用。它可以用作輸入級(jí)，使放大器的噪聲電壓在100 Hz時(shí)小于1.0 nV/Hz。其它應(yīng)用，如對(duì)數(shù)和反對(duì)數(shù)電路等，則可以使用MAT02的出色對(duì)數(shù)一致性。體電阻典型值僅有0.3 - 0.4 Ω。當(dāng)集電極電流在1μA至10mA范圍時(shí)，MAT02的電氣特性接近于理想晶體管。
- 低失調(diào)電壓：50μV（最大值）
- 低噪聲電壓（100 Hz、1 mA）：1.0 nV/√Hz（最大值）
- 高增益(hFE)：
500（最小值，IC = 1 mA）
300（最小值，IC = 1 μA） - 出色的對(duì)數(shù)一致性：
rBE約為0.3 Ω - 低失調(diào)電壓漂移
- LM194的改良版，可直接替代
MAT14
MAT12
SSM2212
MAT03
MAT03S
MAT02S
MAT01
