650 V、120 mΩ、21 A、TO-263-7 封裝、第 3 代分立 SiC MOSFET
Wolfspeed 通過推出第三代 650 V MOSFET 擴展了其碳化硅 (SiC) 技術(shù)領(lǐng)先地位，在更廣泛的電源系統(tǒng)中實現(xiàn)更小、更輕且高效的電源轉(zhuǎn)換。650 V MOSFET 產(chǎn)品系列非常適合高性能工業(yè)電源、服務(wù)器/電信電源、電動汽車充電系統(tǒng)、儲能系統(tǒng)、不間斷電源和電池管理系統(tǒng)等應(yīng)用。
特征
- 整個溫度范圍內(nèi)的低通態(tài)電阻
- 低寄生電容
- 具有超低反向恢復(fù)的快速二極管
- 高溫操作 (TJ = 175°C)
- 開爾文源極引腳
- 行業(yè)標準通孔和 SMT 封裝
- 外形尺寸小
- 低引線電感
- 低熱阻
好處
- 通過降低開關(guān)和傳導(dǎo)損耗提高系統(tǒng)效率
- 實現(xiàn)高開關(guān)頻率操作
- 提高系統(tǒng)級功率密度
- 減小系統(tǒng)尺寸；重量; 和冷卻要求
- 支持新的硬開關(guān)拓撲（圖騰柱 PFC）
應(yīng)用領(lǐng)域
- 工業(yè)電源
- 服務(wù)器/電信
- 電動汽車充電系統(tǒng)
- 儲能系統(tǒng)（ESS）
- 不間斷電源 (UPS)
- 電池管理系統(tǒng) (BMS)
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C3M0280090D
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C3M0065100K
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C3M0040120J1
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C2M0080120D
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C3M0160120D
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C2M0280120D
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