--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 類型 N溝道
- 最大耐壓 100V
- 最大電流 2A
- 導(dǎo)通電阻 246mΩ @10V, 260mΩ @4.5V
- 門源電壓 20Vgs
- 門閾電壓 2Vth
- 封裝 SOT23
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
型號 SI2324DS-T1-GE3
絲印 VB1102M
品牌 VBsemi
詳細(xì)參數(shù)說明
- 類型 N溝道MOSFET
- 最大耐壓 100V
- 最大電流 2A
- 導(dǎo)通電阻 246mΩ @10V, 260mΩ @4.5V
- 門源電壓 20Vgs
- 門閾電壓 2Vth
- 封裝 SOT23
應(yīng)用簡介
SI2324DS-T1-GE3是一款N溝道MOSFET,適用于需要開關(guān)高電壓和大電流的電路。其最大耐壓為100V,最大電流為2A,具有低導(dǎo)通電阻,可支持高功率傳輸。
該器件具有快速開關(guān)速度和低開關(guān)損耗,適用于多種應(yīng)用領(lǐng)域,包括但不限于
1. 電源管理模塊 可用于開關(guān)電源中的電流控制和功率開關(guān)。
2. 電機(jī)驅(qū)動模塊 可用于驅(qū)動小型直流電機(jī)或步進(jìn)電機(jī)。
3. 照明模塊 可用于LED驅(qū)動和調(diào)光控制。
總之,SI2324DS-T1-GE3適用于需要高電壓和大電流的應(yīng)用領(lǐng)域的模塊設(shè)計,如電源管理、電機(jī)驅(qū)動和照明控制等。
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