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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造，致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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SI1967DH-T1-GE3-VB-SC70-6封裝 2個(gè)P溝道MOSFET

型號(hào)： SI1967DH-T1-GE3-VB
品牌： VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 極性 2個(gè)P溝道
  • 額定電壓 -20V
  • 額定電流 -1.5A
  • 導(dǎo)通電阻 230mΩ @ 4.5V, 276mΩ @ 2.5
  • 封裝類型 SC70-6

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

SI1967DH-T1-GE3.pdf

--- 產(chǎn)品詳情 ---

SI1967DH-T1-GE3詳細(xì)參數(shù)說明  - 極性 2個(gè)P溝道 - 額定電壓 -20V - 額定電流 -1.5A - 導(dǎo)通電阻 230mΩ @ 4.5V, 276mΩ @ 2.5V - 門源電壓 12Vgs (±V) - 閾值電壓 -0.6~-2Vth (V) - 封裝類型 SC70-6  應(yīng)用簡介  SI1967DH-T1-GE3是一款雙P溝道MOSFET，具有負(fù)的額定電壓和額定電流，適合在各種電源管理和功率放大器應(yīng)用中使用。它的導(dǎo)通電阻適中且具有較高的性能特性，能夠提供可靠而高效的電流開關(guān)功能。  該器件通過控制12Vgs (±V)的門源電壓，實(shí)現(xiàn)開關(guān)管的導(dǎo)通和截止，實(shí)現(xiàn)電流的控制和開關(guān)的狀態(tài)轉(zhuǎn)換。它的導(dǎo)通電阻較低能夠降低功率損耗，提高系統(tǒng)效率。  SI1967DH-T1-GE3采用SC70-6封裝，封裝小巧，適合在空間有限的應(yīng)用場景中使用。  該器件廣泛應(yīng)用于電源開關(guān)、電源逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等領(lǐng)域。由于其雙P溝道的特性，它可以用于控制和開關(guān)負(fù)電壓的電路，非常適用于負(fù)電源應(yīng)用的需要。在這些領(lǐng)域中，SI1967DH-T1-GE3能夠提供可靠的功率開關(guān)控制，實(shí)現(xiàn)高效能的電流傳輸和開關(guān)操作。  總之，SI1967DH-T1-GE3是一款雙P溝道MOSFET，適用于電源管理和功率放大器的各種應(yīng)用模塊中，特別是在電源開關(guān)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等領(lǐng)域，以及需要控制和開關(guān)負(fù)電壓的電路場景中。

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